Datenblatt / Datasheet FP10R12W1T7 B11
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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1www.infineon.com 2018-12-06
FP10R12W1T7_B11
EasyPIM™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTCEasyPIM™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200VIC nom = 10A / ICRM = 20A
PotentielleAnwendungen PotentialApplications• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters• •Klimaanlagen Airconditioning• •Motorantriebe Motordrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
• •TrenchstopTMIGBT7 TrenchstopTMIGBT7• •Überlastbetriebbiszu175°C Overloadoperationupto175°C
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit 2.5kVAC1mininsulation• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand
Al2O3substratewithlowthermalresistance
• •HoheLeistungsdichte Highpowerdensity• •KompaktesDesign Compactdesign• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC 10 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 10 AVGE = 15 V VCE sat
1,601,741,82
t.b.d. VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,15 5,80 6,45 V
GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,157 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,89 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,0066 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,0045 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω
td on0,0230,0250,026
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω
tr0,0140,0170,019
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω
td off0,150,250,305
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω
tf0,680,6950,70
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 550 A/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 8,2 Ω
Eon
0,730,941,13
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 2100 V/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 8,2 Ω
Eoff
1,251,621,87
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
3230
AA
Tvj = 150°CTvj = 175°C
tP ≤ 8 µs, tP ≤ 7 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,05 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C
Datasheet 3 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 10 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C I²t 27,5
24,0 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 V
VF
1,721,591,52
t.b.d. VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 VVGE = -15 V
IRM
10,515,317,5
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Qr
0,971,702,20
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Erec
0,240,510,72
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,45 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 100°C IFRMSM 25 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C IRMSM 25 A
StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 300
245 AA
GrenzlastintegralI²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 450
300 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 10 A VF 0,80 V
SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,54 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 4 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC 10 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 10 AVGE = 15 V VCE sat
1,601,741,82
t.b.d. VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,15 5,80 6,45 V
GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,157 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,89 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,0066 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,0045 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω
td on0,0230,0250,026
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω
tr0,0140,0170,019
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω
td off0,150,250,30
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω
tf0,680,6950,70
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 550 A/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 8,2 Ω
Eon
0,730,941,13
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 2100 V/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 8,2 Ω
Eoff
1,251,621,87
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
3230
AA
Tvj = 150°CTvj = 175°C
tP ≤ 8 µs, tP ≤ 7 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,05 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C
Datasheet 5 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 10 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C I²t 27,5
24,0 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 V
VF
1,721,591,52
t.b.d. VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 V IRM
10,515,317,5
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 V Qr
0,971,702,20
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 V Erec
0,240,510,72
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,45 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C
NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet 6 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
KriechstreckeCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5
6,3 mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200
RelativerTemperaturindex(elektr.)RTIElec.
Gehäusehousing RTI 140 °C
min. typ. max.
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 30 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'
RAA'+CC'
8,006,00 mΩ
LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 20 - 50 N
GewichtWeight G 24 g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Datasheet 7 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=175°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 12 13 140
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=600V
IC [A]
E [m
J]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 175°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 175°C
Datasheet 8 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 900,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 175°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 175°C
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=600V,Tvj=175°C
IC [A]
t [µ
s]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200,0001
0,001
0,01
0,1
1
10tdon
trtdoff
tf
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V,Tvj=175°C
RG [Ω]
t [µ
s]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 900,01
0,1
1
10tdon
trtdoff
tf
dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch)dv/dtIGBT,Inverter(typical)dv/dt=f(RG)VGE=±15V,VCE=600V,Tvj=25°C
RG [Ω]
dv/
dt [V
/ns]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 900
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10dv/dt-on at 1/10 Inom
dv/dt-off at Inom
Datasheet 9 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,1390,000798
20,4230,00727
30,7440,0549
40,7440,198
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=175°C
VCE [V]
IC [A
]
0 200 400 600 800 1000 1200 14000
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24IC, ModulIC, Chip
KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz
VCE [V]
C [nF
]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 1000,001
0,01
0,1
1
10Cies
Coes
Cres
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)VGE=f(QG)IC=10A,Tvj=25°C
QG [µC]
VG
E [V
]
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15VCE = 600 V
Datasheet 10 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=8.2Ω,VCE=600V
IF [A]
E [m
J]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 175°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=10A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 70 80 900,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 175°C
TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,1780,000719
20,5080,0064
310,0428
40,7640,184
Datasheet 11 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,GleichrichtertransientthermalimpedanceDiode,RectifierZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH: Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,0860,00145
20,2080,0162
30,7060,0831
40,540,282
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C
Datasheet 12 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TNTC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
Datasheet 13 V2.12018-12-06
FP10R12W1T7_B11
VorläufigeDatenPreliminaryDataSchaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
TrademarksAllreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2018-12-06
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