Funktionsprinzip·Anwendung·Zukunft. Einführung ◦ Wieso „Flash“? Technik ◦...

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Flash-Speicher Funktionsprinzip·Anwendung·Zukunft

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Flash-SpeicherFunktionsprinzip·Anwendung·Zukunft

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Einführung◦ Wieso „Flash“?

Technik◦ Funktionsprinzip

Die Flash-Zelle Der Source-Drain-Kanal Beschreiben des Floating Gates Auslesen der Zelle Löschen der Zelle

◦ Architekturen NOR NAND Vergleich

◦ Anzahl Löschzyklen◦ Kenngrößen

Vor-/ Nachteile SSD und HHD

Gliederung

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Genaue Bezeichnung: Flash-EEPROM

Halbleitertechnik

Nicht flüchtig (non-volatil)

Beispiele für Verwendung◦ USB-Sticks, Speicherkarten, zur Speicherung von

Firmware, Solid State Drives und Hybridfestplatten

Einführung

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Traditionelles EEPROM:◦ Selektives Löschen einzelner Zellen möglich◦ Dafür vor jeder Zelle einen eigenen Transistor

Niedrigere Speicherdichte

Flash-EEPROM◦ Nur sektorenweise löschbar („flashen“)◦ Kein zusätzlicher Transistor für jede Zelle◦ Sektor muss vor jeder Änderung gelöscht werden

Einführung – Wieso „Flash“?

EEPROM = Electrically Erasable Programmable Read Only Memory

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Information = Elektronen in einen Transistor

Floating Gate (Transistor)◦ Entweder leitet (logisch 1) oder sperrt (logisch 0)

Ein Isolator schneidet Floating Gate von Stromzufuhr ab Ladung ist „gefangen“

Ladungszustandsänderung durch Tunneleffekt, der Elektronen durch Nichtleiter lässt

Funktionsprinzip

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Die Flash-Zelle

ähnelt einen FET 2 Gates: Control Gate; Floating Gate Elektronen auf CG verändern Schwellspannung Elektronen auf FG kodieren Bit

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Der Source-Drain-Kanal

Strom kann bei ungeladenen Zustand durch den Kanal fließen

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Beschreiben des Floating Gates

CHE: Channel Hot Electron Verfahren um benötigte Spannung zu reduzieren Source-Drain-Strecke dient als Elektronenbeschleuniger

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Auslesen der Zelle

Erzeugt durch elektrisches Feld einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain

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Löschen der Zelle

Elektronen werden durch hohe negative Löschspannung wieder „herausgezogen“

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Es lassen sich nur Blöcke löschen◦ 256 Bytes bis 128 KByte

Schreiboperationen die Daten verändern◦ Machen Lesen und Modifikation in einem Puffer, und

evtl. zurückschreiben in die Flash-Zelle notwendig

Löschen von Flash-Speicher

Deutliche Unterschiede bei Schreib- und Leserate

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Architekturen - NOR-Flash Speicherzellen sind

über Datenleitungen parallel geschaltet

Zugriff kann wahlfrei und direkt erfolgen

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Architekturen – NAND-Flash Serienschaltung

Beim Auslesen einer einzelnen Zelle – müssen die anderen in der Kette maskiert werden

Wird Blockweise über interne Register angesprochen

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NOR- Flash:

+ einfacher ansteuerbar+ schnelleres Lesen

relativ teuer keine hohe Speicherdichte

Verwendung:Bootcode-und Firmwarespeicher

Architekturen - VergleichNAND - Flash:+ schnelleres Schreiben+ höhere Speicherdichte+ höhere Kapazitäten+ mehr Löschzyklen

- Aufwendige Controller-Technik

Verwendung:

USB-Sticks, Speicherkarten, SSD‘s, HHD‘s etc.

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Anzahl ist begrenzt:◦ ca. 100 000 – 1 000 000 bei NAND-

Flash◦ ca. 10 000 bei NOR-Flash

Löschvorgang = hohe Spannungen◦ Oxid-Schicht wird mit jeden

Löschvorgang ein klein wenig beschädigt (Degradation)

◦ Bei Wegfall der Oxid-Schicht, bleiben Informationen nicht mehr im Floating Gate

Anzahl der Löschzyklen

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Endurance:◦ Garantierte von Löschzyklen ohne Defekt◦ Typischer Wert: 100 000 bzw. 1 000 000

Retention:◦ Zeitspanne, in der Daten lesbar bleiben◦ Elektronen können spontan von Floating Gate

abwandern◦ Typischer Wert: 10 Jahre

Kenngrößen

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Nicht Flüchtig Geringer Energieverbrauch Resistent gegen Erschütterungen und

magnetischen Feldern Geringes Gewicht Geräuschlos Sehr hohe Datendichte Kurze Zugriffszeiten (im Vergleich zu

Festplatten

Vorteile von Flash-Speicher

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Teurer als Festplatten und optische Speicher Langsamer als RAM Löschen nur ganzer Sektoren Komplexe Ansteuerung Begrenzte Anzahl von Schreibzyklen

Nachteile von Flash-Speicher

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Aus Speicherchips aufgebaut, wird festplattenartig angesprochen

Große Schock- und Temperaturtoleranz

Soll die Festplatte in den nächsten Jahren vor allem im mobilen Bereich und später komplett verdrängen

Solid State Disk (SSD)

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Mischung aus persistenten Halbleiterspeicher und magnetischen Speicher

Soll Lese-/Schreibkopf entlasten

Ansatz zur Verbindung von Vorteilen von Flash- und traditionellen Festplattenspeicher

Hybrid Hard Disk (HHD)

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Danke für Eure Aufmerksamkeit

Ende