GaN-basierte Laserdioden

Wiktor Pronobis, TU-Berlin

Ausarbeitung zum Seminar

”Ausgewahlte Kapitel der Festkorperphysik“

06.07.2010

Inhaltsverzeichnis

1 Einleitung 2

2 Laser 4

3 Diode 63.1 Aufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.2 Besetzungsinversion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63.3 Optische Wellenfuhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.4 Elektrischer Einschluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

4 GaN-basierte Laserdioden 104.1 Eigenschaften von GaN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104.2 Bandgap Engeneering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114.3 Aufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114.4 Funktionsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124.5 Kennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

5 Zusammenfassung 17

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Kapitel 1

Einleitung

Die GaN-basierten Laserdioden sind aus unserem Alltag nicht mehr wegzuden-ken. Sie sind die Dioden der Wahl wenn es darum geht effiziente blaue, violetteoder ultraviolette Laserdioden zu bauen. Die kurzere Wellenlange im Vergleichzum rot-strahlenden Laser erlaubt eine großere Speicherdichte bei optischenSpeichern. So hat die wichtigste Anwendung der GaN-basierten Laserdioden,die Blu-Ray Disc, eine 5-Mal so große Speicherkapazitat als ihr Vorganger, dieDVD. Typische Werte fur die Speicherkapazitaten der CD, DVD und BD unddie Wellenlange des Abtastlasers sind in Tabelle 1.1 zusammengefasst. Die Spei-chermenge ist proportional zu 1/λ2.

Medium Wellenlange d. Lasers/nm Speicherkapazitat/GBCD 780 0.9

DVD 650 4.7BD 405 25

Tabelle 1.1: Abhangigkeit der Speicherkapazitat von CD, DVD und BD von derWellenlange des verwendeten Lasers[Quelle: http://de.wikipedia.org/wiki/Compact Disc]

Weitere wichtige zukunftige Anwendungsgebiete sind der Laserfernseher(Abb. 1.1)und Laserprojektoren. Mit den bekannten roten Laserdioden und GaN-basiertenblauen und grunen Dioden lasst sich das volle Farbspektrum erzeugen. Die da-mit moglichen Laserfernseher zeichnen sich durch gestochen scharfe Bilder aus.

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Abbildung 1.1: Laserfernseher

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Kapitel 2

Laser

Ein Laser dient der Verstarkung von Licht. Dessen Funktionsweise beruht aufdrei wichtigen Wechselwirkungen von Licht mit Materie, welche durch die dreioptischen Ubergange in Abb. 2.1 beschrieben werden. Bei der Absorbtion wirdein Photon absorbiert und regt damit ein Elektron an auf ein hoheres Energie-niveau uberzugehen. Die Emission von Licht ergibt sich aus zwei Prozessen, derspontanen Emission bei der ein Elektron von einem hoher gelegenen Zustandauf ein tieferen springt und dabei ein Photon gleicher Energie aber beliebigerRichtung abgibt, und der stimulierten Emission, dem Umkehrprozess der Ab-sorbtion. Dabei regt ein einkommendes Photon ein Elektron an auf ein tieferesNiveau uberzugehen und dabei ein Photon gleicher Energie und Phase wie daseinfallende Photon abzugeben. Die stimulierte Emission ist der dominante Pro-zess beim Laser, der es ihm erlaubt, die Lichtverstarkung hervorzurufen. DerLaserstrahl zeichnet sich durch eine große Koharenz aus.

Abbildung 2.1: Optische Ubergange in Festkorpern, Quelle:[3]

Ein Laser ist ein System im Nichtgleichgewicht. Dies sieht man am bestendurch Aufstellen der Ratengleichung fur Teilchen, die der Absorbtion, spontanenund stimulierten Emission unterliegen.

Absorption : N1 = −B12N1Φ(ν)

spontane Emission : N2 = −A21N2

stimulierte Emission : N2 = −B21N2Φ(ν)

mit A21, B21, B12 als Einsteinkoeffizienten, N1/2 als Besetzungszahlen und Φ(ν)als spektrale Energiedichte des optischen Feldes. Nachdem die stimulierte Emis-sion der dominante Prozess beim Laser ist, kann man nun die Rate der stimu-

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lierte Emission durch die Rate der Absorption teilen und erhalt:

stimulierte Emission

Absorption=B21N2Φ(ν)

B12N1Φ(ν)=N2

N1� 1

Dies ist aber im Widerstruch zur bekannten Boltzmannverteilung im Gleichge-wicht, da E2 > E1. Daher muss der Laser standig einem dynamischen Prozessunterliegen, der sich durch das Zufuhren von Energie zur Erhaltung der Beset-zungsinversion manifestiert.

Zur weiteren Verstarkung des Lichtes liegt es nahe, ein einzelnes Photon viel-fach fur die stimulierte Emission zu nutzen. Dazu sollte es eine lange Strecke imLasermedium durchlaufen. Weil der Festkorperkristall aber raumlich begrenztist, erreicht man die Lichtverstarkung mittels eines Resonators bestehend auszwei planparallelen Spiegeln zwischen denen das aktive Medium angeordnet ist,wobei einer der beiden Spiegel teildurchlassig ist. Photonen, die senkrecht zu denSpiegeln propagieren haben einen langeren Weg durch das Medium in dem dieBesetzungsinversion herrscht und erzeugen dementsprechend mehr induziertePhotonen als bei nur einem Durchlauf.

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Kapitel 3

Diode

3.1 Aufbau

Eine Diode besteht im Wesentlichen aus einem pn-Ubergang. Dieser entsteht,wenn man einen n-dotierten und einen p-dotierten Halbleiter in Kontakt bringt.Bei einem Halbleiter sind fur T = 0K alle Energieniveaus bis zur Valenzband-kante EV (oberste Energie des Valenzbandes) mit Elektronen gefullt, daherEV = EF . Die n/p-Dotierung stellt nun zusatzliche Elektronen/Locher zurVerfugung, sodass das Ferminiveau bei einem n-Halbleiter sich knapp uber derLeitungsbandkante EC (kleinste Energie des Leitungsbandes) bzw. bei einemp-Halbleiter knapp unter EV befindet. Dies ist in Abb. 3.1a verdeutlicht.

Fuhrt man beide Halbleiter zusammen, so diffundieren aufgrund der elek-trischen Kraft Elektronen vom n-Gebiet in das p-Gebiet bzw. Locher und um-gekehrt. Dies geschieht so lange, bis sich ein neues Gleichgewicht eingestellthat. Durch die nun vorliegende Raumladungsdichteverteilung (Abb. 3.1b) er-gibt sich eine ebenfalls raumabhangige Fermienergie. Diese muss im Gleichge-wicht so beschaffen sein, dass sie im n/p-Gebiet der Diode die Fermienergie desn/p-Halbleiters annimmt. Der entstehende Potenzialverlauf ist in Abb. 3.1c zusehen.

3.2 Besetzungsinversion

Grundlegend fur die Benutzung der Diode als Laser ist das Herstellen einer Be-setzungsinversion. Dies geschieht durch elektrisches Pumpen. Die Diode wirdin Durchlassrichtung betrieben. Dabei wird eine Spannung U in p-n Richtung(großere Spannung an p) von der Großenordnung der Bandlucke angelegt. Da-durch verkleinert sich die Potenzialdifferenz (Abb. 3.2a) und freie Elektronenaus dem Leitungsband im n-Gebiet driften in das p-Gebiet. Analog driften freieLocher aus dem Valenzband vom p- in das n-Gebiet. Der Verlauf des Leitungs-und Valenzbandes einer Diode bei Anlegen einer Spannung in Durchlassrich-tung sowie die besetzten und unbesetzten Zustande sind in Abb. 3.2 dargestellt.Es entsteht ein Gebiet der Dicke d mit Besetzungsinversion, da sich in diesemGebiet Elektronen im Leitungsband befinden, obwohl es unbesetzte Zustandeim Valenzband gibt. In diesem Gebiet dominiert die stimulierte Emission.

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Abbildung 3.1: pn-Ubergang bei hoher Dotierung, (a) Energiebander getrennterHalbleiterbereiche, (b) Ladungsdichte innerhalb der pn-Diode, (c) Potenzialver-lauf innerhalb der Diode, Quelle:[4]

Abbildung 3.2: Betrieb einer Diode in Durchlassrichtung, (a) die Potenzialdif-ferenz verkleinert sich, (b) Besetzungsinversion kann fur Lichtemission genutztwerden, Quelle:[4]

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3.3 Optische Wellenfuhrung

Mit der optischen Wellenfuhrung mochte man vermeiden, dass Photonen parallelzu den Resonatorspiegeln aus der aktiven Zone austreten, da sie sonst verlorensind und nicht mehr zur stimulierten Emission beitragen. Dazu umhullt man dieaktive Materialschicht mit Brechzahl nA mit Mantelschichten, die eine kleinereBrechzahl aufweisen nM < nA. Nach dem Snelliusschen Gesetz tritt dann abdem sogenannten kritischen Winkel θk = arcsinnM/nA Totalreflexion ein. DieseMantelflachen umhullen die aktive Zone ublicherweise in transversaler Richtung.Durch die transversale Wellenfuhrung entstehen (Transversal-)Moden.

In der Raumrichtung in der sich der Laserstrahl ausbreitet befindet sich derResonator. Dieser wird realisiert durch die glatte Oberflache der aktiven Zonemit Ubergang zu Luft, die i.a. eine wesentlich kleinere Brechzahl aufweist alsdas Material in der aktiven Schicht.

Die dritte Raumrichtung ist die laterale Richtung. In dieser kann eine opti-sche Wellenfuhrung durch Atztechniken erreicht werden. Abbildungen 3.3 ver-deutlicht die optische Wellenfurung in transversaler und lateraler Richtung.

Abbildung 3.3: Optische Wellenfuhrung in der Laserdiode, Quelle:[3]

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3.4 Elektrischer Einschluss

Verluste bei einer Laserdiode treten zum Beispiel dadurch auf, dass Elektro-nen oder Locher aus der aktiven Zone in benachbarte Schichten diffundieren.Ein Teil der durch das Pumpen zugefuhrten Energie geht damit verloren, dadiese diffundierten Teilchen keine Besetzungsinversion mehr hervorrufen. Da-zu nutzt man das Prinzip der Heterostrukturen aus. Eine typische Laserdiodeist in einer Heterostruktur aufgebaut, d.h. sie besteht aus mehreren Schichtenmit unterschiedlichen Materialien. Der elektrische Einschluss ist realisiert durchMaterialien mit einer erhohten Bandlucke im Vergleich zur aktiven Schicht. DerSprung der Bandlucke zwischen den Schichten wirkt dabei als Potentialmauer,die das Diffundieren erschwert.

Ein ahnlicher Mechanismus ist der Quantengraben, der auf dem Prinzip desquantenmechanischen Potenzialtopfes beruht. Materialien mit großerer Bandluckeumhullen dabei eine Schicht mit kleinerer Bandlucke. Ist die Dicke der inne-ren Schicht in der Großenordnung der Elektronenwellenlange, beginnen quan-tenmechnische Effekte zu dominieren. Es bilden sich diskrete Energiezustandeinnerhalb des Quantengrabens und die Elektronen und Locher befinden sich inZustanden mit geringeren Aufenthaltswahrscheinlichkeiten außerhalb des Poten-zialtopfes. Typischerweise befinden sich mehrere Quantengraben hintereinanderinnerhalb der aktiven Zone(Multiple Quantum Well). Der charakteristische Ver-lauf der Valenz- und Leitungsbandkante ist in Abb. 3.4 dargestellt.

Abbildung 3.4: Quantengraben realisiert durch Materialien unterschiedlicherBandlucke, Quelle:[5]

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Kapitel 4

GaN-basierte Laserdioden

4.1 Eigenschaften von GaN

GaN ist das Basismaterial fur heutige blaue, violette und grune Laserdioden.Trotz der im Vergleich zu anderen Halbleitern großeren Defektdichte funktio-nieren GaN-basierte Laserdioden uberraschend gut und man kann noch nichteindeutig den Grund dafur angeben.

Sie sind sehr hart, stabil und besitzen eine hohe Warmekapazitat und ho-hen Schmelzpunkt. Daher kann man GaN-basierte Laserdioden in robuster undkompakter Weise herstellen, was die kommerzielle Verwendung moglich macht.GaN ist ein Halbleiter, welcher in der Zinkblende-, Wurtzite- und Kochsalzstruk-tur kristalisieren kann. Die stabilste und am haufigsten anzutreffende Strukturist jedoch die Wurtzitestruktur wie sie auch in den GaN basierten Laserdiodenvorliegt. Die Bandstruktur des GaN in Wurtziteform ist in Abb. 4.1 dargestellt.Auffallig sind die breiten Valenzbander, die z.B. eine effektive Massen Approxi-mation ungenau machen.

Abbildung 4.1: Bandstruktur von GaN in Wurtzite Form, Quelle:[6]

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Material Eg/eV a/nmGaN 3.4 0.0319AlN 6.2 0.0311InN 0.7 0.0354

Tabelle 4.1: Energielucke und Gitterkonstante von GaN, InN, AlN

Weiterhin ist GaN ein direkter Halbleiter mit einer Bandlucke von 3.4eVbei Raumtemperatur was einer Wellenlange von 320 nm, also im nicht sichtba-ren ultravioletten Bereich, entspricht. Diese Eigenschaft ist die Voraussetzungfur die Herstellung von blauen, violletten und grunen Laserdioden. Ein indirek-ter Halbleiter ist wegen dem notwendigen Impulsubertrag der Photonen an dieElektronen ungunstig, da der Impuls der Photonen i.A. viel geringer ist undein zusatzliches Teilchen, das Phonon, fur diesen Ubergang notwendig ist. EineWechselwirkung mit drei Teilchen ist aber unwahrscheinlicher als eine mit nurzwei Teilchen. Zur Herstellung einer Diode ist die n- und p-Dotierung notwendig.Bei GaN geschieht die n-Dotierung ublicherweise mit Silizium oder Sauerstoffund die p-Dotierung mit Magnesium. Die Herstellung von p-dotiertem GaN ho-her Qualitat war der Durchbruch zur kommerziellen Nutzung von blauen undvioletten Laserdioden.

4.2 Bandgap Engeneering

Die Wellenlange des GaN-basierten Diodenlasers ist im Wesentlichen abhangigvon der Bandlucke des Materials in der aktiven Zone. Diese Bandlucke lasst sichnun durch Mischen von Materialien unterschiedlicher Bandlucke variieren unddamit die Photonenenergie des Laserstrahls festlegen. Ublicherweise verwendetman Mischungen der drei III-V-Halbleiter GaN, InN und AlN. Alle drei Ver-bindungen haben ahnliche Gitterkonstanten wie aus Tabelle 4.1 ersichtlich. InAbb. 4.2 ist die Bandlucke uber der Gitterkonstanten aufgetragen. Man erkenntaus Abb. 4.2, dass es theoretisch moglich ist, mit GaN, InN und AlN Halblei-tern Laserlicht in einem großen Wellenlangenbereich zu erzeugen. Das gesamtesichtbare Spektrum ist abgedeckt. Bei hohen InN Konzentrationen ergeben sichinfrarote Laser und bei hohen AlN Konzentrationen ultraviolettes Licht. DieAbhangigkeit der Bandlucke von der molaren Konzentration der Stoffe ist da-bei nicht trivial, sondern es werden empirische Korrekturfaktoren, sogenannte

”Bowing-Parameter“, eingefuhrt um den Verlauf der Bandlucke in Abhangigkeit

der molaren Konzentration zu beschreiben.

4.3 Aufbau

Der Aufbau einer typischen GaN Laserdiode ist in Abbildung 4.3 dargestellt.Auf einem Substrat sind Schichten unterschiedlichen Materials und Dicke auf-gewachsen. Die Dimensionen einer solchen Diode sind typischerweise 0.2 × 5 ×200µm3. In der Mitte befindet sich die aktive Zone. Unterhalb der aktivenZone, deren Dicke nur einen Bruchteil der gesamten Laserdiode bildet(1%),sind die n-dotierten und oberhalb die p-dotierten Materialien angeordnet. Dieseumhullenden Schichten(Heterostruktur) dienen der Steigerung der Effizienz der

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Abbildung 4.2: Bandlucke in Abhangigkeit von der Gitterkonstanten fur AlN,GaN und InN, Quelle:[7]

Laserdiode. Oberhalb bzw. unterhalb der letzten n- bzw. p-dotierten Schich-ten sind die metallischen Elektroden angebracht. An diese wird im Betrieb eineSpannung in Durchlassrichtung angelegt. Die Dicke der aktiven Zone bildet nureinen Bruchteil der Gesamthohe der Laserdiode.

Man sieht daraus, dass die Funktionsweise der Laserdiode einfach ist undman eine sehr einfache theoretische Diode bauen kann, es aber einen erheblichenAufwand kostet, die Theorie in die Praxis umzusetzen in Form von Technikenzur Steigerung der Effizienz und damit praktischen Anwendbarkeit.

4.4 Funktionsweise

Die prinzipielle Funktionsweise der Laserdiode ist im Abschnitt zur Diode er-klart worden. Um jedoch den obigen Aufbau einer GaN-basierten Laserdiode zuverstehen, betrachten wir die wichtigsten Methoden zur Steigerung der Effizienzeiner Laserdiode. Diese sind der optische Einschluss, den elektrische Einschlussund der Elektron Blocking Layer wie sie im Folgenden erklart werden.

Um die Photonen besser nutzen zu konnen muss man verhindern, dass siein benachbarte Schichten verloren gehen. Dies geschieht, indem die Brechzahlder Materialien nach außen hin (stufenweise) abfallt wie bereits bei den Diodenerlautert.

Der elektrische Einschluss verhindert die Diffusion von Elektronen oder Lochernaus der aktiven Zone in benachbarte Schichten, da diese nur in der aktiven Zonepotentiell mittels stimulierter Emission rekombinieren konnen. Außerhalb deraktiven Schicht ist dies nicht mehr moglich. Den elektronischen Einschluss er-reicht man durch Materialien mit von der aktiven Zone aus nach außen hingroßerer Bandlucke. Außerdem kann ein Elektron Blocking Layer mit im Ver-

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Abbildung 4.3: Aufbau einer GaN basierten Laserdiode gewachsen auf GaNSubstrat, Quelle:[1]

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gleich zu den anderen Materialien sehr großer Bandlucke eingefugt werden, waseine Potenzialbarriere fur die Elektronen darstellt und die Wahrscheinlichkeitfur eine Diffusion in benachbarte Schichten verringert.

Als weitere Moglichkeit fur den elektronischen Einschluss kann man inner-halb der aktiven Zone so genannte Quantengraben-Strukturen herstellen. In-nerhalb eines Quantengrabens haben die Elektronen eine niedrigere Energie.Diese gebundenen und diskreten Zustande sind daher bevorzugt von Elektro-nen besetzt und die Elektronen haben eine kleinere Wahrscheinlichkeit in be-nachbarte Schichten zu diffundieren, da die Aufenthaltswahrscheinlichkeit derElektronen außerhalb eines Quantengrabens geringer ist. In Abb. 4.4 ist der elek-tronische Einschluss anhand der Bandstruktur einer MQW InGaN Laserdiodemit Blocking Layer verdeutlicht.

Haufig werden tertiare oder quaternare Verbindungen als Mantelschichtenverwendet. Dies ist notwendig, da man bei diesen Materialien die Brechzahl unddie Bandlucke zum optischen und elektrischen Einschluss unabhangig variierenkann.

Abbildung 4.4: Schichtstruktur einer Laserdiode(links) und Bandstruktur einerInGaN MQW LD mit Blocking Layer(rechts), Quelle:[1]

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4.5 Kennlinien

Ein typischer Parameter fur eine Laserdiode ist der so genannte SchwellstromIth. Dieser ist definiert als der Strom, bei dem die Raten fur spontane undstimulierte Eimission gleich sind. In Abb. 4.5 ist die Leistung der emittiertenoptischen Strahlung in Abhangigkeit vom Eingangsstrom dargestellt(I-L Kur-ve). Ab dem Schwellstrom steigt die Leistung rapide linear an. Unterhalb desSchwellstromes ist die emittierte Energie der optischen Strahlung nicht Null,was auf die spontane Emission zuruckzufuhren ist. Der Schwellstrom hat eineexponenzielle Temperaturabhangigkeit Ith = I0e

T/T0 mit der kritischen Tempe-ratur T0 als weiteren Parameter. Dies ist ebenfalls in Abb. 4.5 verdeutlicht. Denexponentiellen Zusammenhang kann man z.B. in einer logarithmischen Darstel-lung des Schwellstromes uber der Temperatur sehen, wobei die Steigung diekritische Temperatur ergibt.

Abbildung 4.5: Temperaturabhangigkeit des Schwellstromes am Beispiel einerInGaN MQW LD, Quelle:[1]

Zusatzlich zur I-L Kennline kann man die angelegte Spannung uber dem An-regungsstrom darstellen wie in Abb. 4.6. Dies ergibt die so genannte I-V Kurve.Die Pfeile in der Abbildung deuten neben der zugeordneten Achse der kennlini-en zufallig auch an, in welcher Richtung sich die Kennlinien verschieben mussenum die Effizienz der Laserdiode zu steigern. Je kleiner der Schwellstrom umsoeffizienter die Diode, da dann weniger Energie in das System hineingepumptwerden muss, damit die Diode die Lasertatigkeit erreicht. Zum anderen ist derWiderstand der Diode zu verringern, da dann bei kleinerer angelegter Spannungmehr Strom fließt.

Zum Vergleich vom zwei Laserdioden oder von einer Laserdiode zu verschie-denen Zeitpunkten kann man die I-L Kennlinien vergleichen wie es in Abb. 4.7geschehen ist. Bedeutend ist hier nicht nur der Schwellstrom sondern auch dieSteigung der Gerade ab dem Schwellstrom(slope-efficiency). Umso großer dieSteigung umso effizienter die Diode. Betrachtet man zwei solcher Kennlinieneiner zu verschiedenen Zeitpunkten, so stellt man fest, dass der Schwellstromeiner Laserdiode im Laufe der Zeit aufgrund der Degeneration der Laserdiodegroßer wird. Die Zeit, bei der der Schwellstrom den doppelten des ursprunglichenWertes erreicht hat ist die so genannte Lebensdauer der Diode.

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Abbildung 4.6: Typischer Verlauf der I-V und I-L Kurven hier am Beispiel einerInGaN MQW LD, Quelle:[1]

Abbildung 4.7: I-L Kurve fur zwei verschiedene Laserdioden, Quelle:[1]

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Kapitel 5

Zusammenfassung

Es wurde das Prinzip eines Lasers erklart. Dazu gehort die Besetzungsinversionund die daraus resultierende kontinuierliche Zulieferung der Energie.

Der Aufbau und Funktionsweise einer Laserdiode sowie Moglichkeiten zurEffizienzsteigerung wurden dargestellt. Wichtige Methoden sind die optischeWellenfuhrung durch kleinere Brechzahlen, der elektrische Einschluss mittelsgoßerer Bandlucken der Schichten in der Heterostuktur sowie der Quantengra-ben und Elektronen blockierende Schichten.

Bei den GaN basierten Laserdioden kann man durch Mischungen von ver-schiedenen III-V Halbleitern wie AlN, GaN und InN die Bandlucke der aktivenZone einstellen. Besonders geeignet ist hier der blaue und violette sichtbare Be-reich. Durch tertiare und quaternare GaN- basierte Verbindungen kann manauch die Brechzahl variieren und somit oben genannte Effekte ausnutzen umdie Effizienz zu steigern. Als Resonator wirkt hier die glatte Grenzschicht deraktiven Zone zu Luft.

Typische Daten einer GaN-basierten Laserdiode sind der Schwellstrom, abdem die Lasertatigkeit beginnt, die kritische Temperatur, welche die exponen-tielle Abhangigkeit des Schwellstromes von der Temperatur beschreibt und dieLabensdauer.

Insgesamt stellen die GaN-basierten Laserdioden eine effiziente Moglichkeitdar, blaues und violettes Laserlicht zu erzeugen. Das nachste Ziel ist die Herstel-lung der grunen GaN-basierten Laserdiode, was sich wegen einem Einbruch derEffizienz bei großeren Wellenlangen durch den Piezoelektischen Effekt zunachstals schwierig erweist, aber auch das ist nur eine Frage der Zeit bis effizientegrune Laserdioden kommerziell erhaltlich werden.

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Literaturverzeichnis

[1] The Blue Laser Diode, S.Nakamura & G.Fasol, Springer 1997

[2] Wide Bandgap Semiconductors, K.Takahashi & A.Yoshikawa &A.Sandhu, Springer 2007

[3] Laser Diode Micorsystems, H.Zappe, Springer 2004

[4] Laser, J.Eichler & H.J.Eichler, Springer 2006

[5] GaN-basierte Laserdioden, F.Gericke, 2008

[6] http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaN/

[7] Green-Gap Verbindungshalbleiter AlN, InN und GaN, J.Kavalakkatt,

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