NASSCHEMISCHES ÄTZEN VON METALLEN · Aluminium ist mit einer Dichte von 2.7 g/cm3 ein Leichtmetall...

of 7 /7
www.MicroChemicals.de [email protected] Grundlagen der Mikrostrukturierung www.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html NASSCHEMISCHES ÄTZEN VON METALLEN In mikroelektronischen und -mechanischen Bauteilen kommen die verschiedensten Metalle aufgrund ihrer jeweili- gen elektrischen, optischen oder mechanischen Eigenschaften zum Einsatz. Besonders häu g sind dies Aluminium, Chrom, Gold, Kupfer, Silber, Nickel und Titan, welche alle auch nasschemisch strukturiert werden können. Dieses Kapitel beschreibt die Besonderheiten beim Ätzen dieser Metalle mit unterschiedlichen Ätzmischungen auch im Hinblick auf die Prozessierung einer dafür eingesetzten Lackmaske. Alle Konzentrationen der in diesem Kapitel mit * gekennzeichneten Substanzen beziehen sich auf die üblicherweise verfügbare Konzentration des betre endes Stoes wie im letzten Abschnitt aufgeführt. Ätzen von Aluminium Eigenschaften und Einsatzbereiche von Aluminium in der Mikrostrukturierung Aluminium ist mit einer Dichte von 2.7 g/cm 3 ein Leichtmetall und kristallisiert kubisch ächenzentriert. Durch seine hohe elektrische Leitfähigkeit ndet es in der Mikroelektronik für Leiterbahnen Anwendung, wofür es bei Kontakt mit Kupfer zur Verringerung der Elektromigration mit Kupfer und bei Kontakt mit Silici- um zur Vermeidung der Bildung von Aluminium-Silicium-Mikrolegierungen mit Silicium legiert wird. Mit einem Normalpotenzial von -1.66 V ist Aluminium kein Edelmetall, jedoch durch eine native, sehr dünne Oxidschicht (Al 2 O 3 ) in vielen Medien chemisch inert. Aluminium-Ätzen Typische Al-Ätzen bestehen aus wenigen % HNO 3 * zur Oxidation des Aluminiums, 65 - 80 % H 3 PO 4 * zum Ätzen des nativ vorhandenen und ständig durch die HNO 3 neu gebildeten Aluminiumoxids, Essigsäure * zur Verbes- serung der Benetzung des Substrats mit der Ätzlösung sowie zur Pu erung der Salpetersäure und Wasser zum Einstellen der Ätzrate bei gegebener Temperatur. Aluminium kann ebenfalls alkalisch z. B. mit verdünnter Natron- oder Kalilauge geätzt werden. Fotolackmas- ken kommen hierfür jedoch nicht in Frage, da der entsprechend hohe pH-Wert die Lackschicht in kurzer Zeit auöst bzw. im Falle quervernetzter Negativlacke ablösen kann. Homogenität des Al-Ätzens Das eigentliche Aluminium-Ätzen startet erst, wenn das auf Aluminiumober ächen grundsätzlich vorhan- dene, wenige nm dicke native Aluminiumoxid (Al 2 O 3 ) z. B. durch die Phosphorsäure als Bestandteil typischer Al-Ätzgemische abgetragen wurde. Aus diesem Grund wirkt sich auch die Fotolackprozessierung auf einen nachfolgenden Al-Ätzschritt aus: Alkalische Entwicklerlösungen greifen die Aluminium- oxidschicht verstärkt dort an, wo der Lack zuerst durch- entwickelt ist. Dazu gehören dünnere Lackbereiche, la- teral größere belichtete Bereiche oder Bereiche die z. B. beugungsbedingt oder durch eine inhomogene Belich- tung eine höhere Dosis erhalten haben. Je nach Grad der Überentwicklung und der Wartezeit zwischen Entwicklung und dem Al-Ätzen (Neubildung von nativem Al 2 O 3 ) kann dies dann zu einem lateral inhomogenen Aluminium-Ätzstart und damit zu unter- schiedlichen Ätztiefen bzw. -zeiten führen (Abb. 117). Ebenfalls problematisch für ein homogenes Ätzergebnis kann die Wassersto entwicklung bei der Ätzreakti- on sein. Die ständig gebildeten H 2 -Bläschen bleiben einige Zeit auf der Ober äche sitzen und blockieren so über eine unterdrückte Versorgung mit frischem Ätzmedium den Ätzvorgang. In diesem Fall kann es helfen, den Ätzvorgang mehrfach durch ein kurzen Eintauchen in Wasser zu unterbrechen was die H 2 -Bläschen zu- mindest vorübergehend beseitigt. lack O O Substrat Aluminium Al 2 O 3 Fotolack (unbelichtet) Fotolack (belichtet) Al-Angridurch den Entwickler Abb. 117: Alkalische Entwickler greifen das native Oxid auf Aluminium-Schichten dort verstärkt an, wo der Lack zuerst durchentwickelt ist. Dort kann das spätere, ei- gentliche Al-Ätzen rascher beginnen als an den beim Entwickeln länger durch die Lackschicht geschützten Bereichen.

Embed Size (px)

Transcript of NASSCHEMISCHES ÄTZEN VON METALLEN · Aluminium ist mit einer Dichte von 2.7 g/cm3 ein Leichtmetall...

  • www.MicroChemicals.de [email protected]

    Grundlagen der Mikrostrukturierungwww.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html

    NASSCHEMISCHES TZEN VON METALLENIn mikroelektronischen und -mechanischen Bauteilen kommen die verschiedensten Metalle aufgrund ihrer jeweili-gen elektrischen, optischen oder mechanischen Eigenschaften zum Einsatz. Besonders hufi g sind dies Aluminium, Chrom, Gold, Kupfer, Silber, Nickel und Titan, welche alle auch nasschemisch strukturiert werden knnen.Dieses Kapitel beschreibt die Besonderheiten beim tzen dieser Metalle mit unterschiedlichen tzmischungen auch im Hinblick auf die Prozessierung einer dafr eingesetzten Lackmaske. Alle Konzentrationen der in diesem Kapitel mit * gekennzeichneten Substanzen beziehen sich auf die blicherweise verfgbare Konzentration des betre ff endes Stoff es wie im letzten Abschnitt aufgefhrt.

    tzen von Aluminium

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Aluminium in der MikrostrukturierungAluminium ist mit einer Dichte von 2.7 g/cm 3 ein Leichtmetall und kristallisiert kubisch fl chenzentriert. Durch seine hohe elektrische Leitfhigkeit fi ndet es in der Mikroelektronik fr Leiterbahnen Anwendung, wofr es bei Kontakt mit Kupfer zur Verringerung der Elektromigration mit Kupfer und bei Kontakt mit Silici-um zur Vermeidung der Bildung von Aluminium-Silicium-Mikrolegierungen mit Silicium legiert wird.Mit einem Normalpotenzial von -1.66 V ist Aluminium kein Edelmetall, jedoch durch eine native, sehr dnne Oxidschicht (Al2O3) in vielen Medien chemisch inert.

    Aluminium-tzenTypische Al-tzen bestehen aus wenigen % HNO 3

    * zur Oxidation des Aluminiums, 65 - 80 % H 3PO4* zum tzen

    des nativ vorhandenen und stndig durch die HNO 3 neu gebildeten Aluminiumoxids, Essigsure* zur Verbes-

    serung der Benetzung des Substrats mit der tzlsung sowie zur Puff erung der Salpetersure und Wasser zum Einstellen der tzrate bei gegebener Temperatur.Aluminium kann ebenfalls alkalisch z. B. mit verdnnter Natron- oder Kalilauge getzt werden. Fotolackmas-ken kommen hierfr jedoch nicht in Frage, da der entsprechend hohe pH-Wert die Lackschicht in kurzer Zeit aufl st bzw. im Falle quervernetzter Negativlacke ablsen kann.

    Homogenitt des Al-tzensDas eigentliche Aluminium-tzen startet erst, wenn das auf Aluminiumoberfl chen grundstzlich vorhan-dene, wenige nm dicke native Aluminiumoxid (Al 2O3) z. B. durch die Phosphorsure als Bestandteil typischer Al-tzgemische abgetragen wurde. Aus diesem Grund wirkt sich auch die Fotolackprozessierung auf einen nachfolgenden Al-tzschritt aus:Alkalische Entwicklerlsungen greifen die Aluminium-oxidschicht verstrkt dort an, wo der Lack zuerst durch-entwickelt ist. Dazu gehren dnnere Lackbereiche, la-teral grere belichtete Bereiche oder Bereiche die z. B. beugungsbedingt oder durch eine inhomogene Belich-tung eine hhere Dosis erhalten haben.Je nach Grad der berentwicklung und der Wartezeit zwischen Entwicklung und dem Al-tzen (Neubildung von nativem Al2O3) kann dies dann zu einem lateral inhomogenen Aluminium-tzstart und damit zu unter-schiedlichen tztiefen bzw. -zeiten fhren (Abb. 117).Ebenfalls problematisch fr ein homogenes tzergebnis kann die Wasserstoff entwicklung bei der tzreakti-on sein. Die stndig gebildeten H2-Blschen bleiben einige Zeit auf der Oberfl che sitzen und blockieren so ber eine unterdrckte Versorgung mit frischem tzmedium den tzvorgang. In diesem Fall kann es helfen, den tzvorgang mehrfach durch ein kurzen Eintauchen in Wasser zu unterbrechen was die H 2-Blschen zu-mindest vorbergehend beseitigt.

    lack

    O

    O

    Substrat Aluminium

    Al2O3

    Fotolack(unbelichtet)

    Fotolack(belichtet)

    Al-Angriff durch denEntwickler

    Abb. 117: Alkalische Entwickler greifen das native Oxid auf Aluminium-Schichten dort verstrkt an, wo der Lack zuerst durchentwickelt ist. Dort kann das sptere, ei-gentliche Al-tzen rascher beginnen als an den beim Entwickeln lnger durch die Lackschicht geschtzten Bereichen.

    http://www.MicroChemicals.demailto:[email protected]://www.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html
  • www.MicroChemicals.de [email protected]

    Grundlagen der Mikrostrukturierungwww.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html

    Kompatibilitt und SelektivittAlle unsere Fotolacke sind grundstzlich ausreichend stabil in H 3PO4/HNO3-basierten tzgemischen um als Lackmaske eingesetzt werden zu knnen.Die tzrate von auf H3PO4/HNO3-Gemischen basierenden Aluminium-tzen ist stark temperaturabhngig und verdoppelt sich bereits bei wenigen Grad Temperaturanstieg. Mit nur wenigen Prozent Silicium legier-tes Aluminium weist eine hnliche tzrate wie reines Aluminium auf.Kupfer wird von dieser Al-tze deutlich strker als Aluminium getzt, Nickel vergleichsweise schwach an-gegriff en. Titan, Chrom und Silber werden nicht nennenswert getzt, Edelmetalle wie Gold, Platin gar nicht angegriff en.

    Unsere AluminiumtzeUnsere Aluminiumtze TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4

    * : HNO3* : CH3COOH

    * : H2O = 80 %: 5 % : 5 % : 10 % und wird von uns in 2.5 L Gebinden in MOS-Qualitt angeboten.

    tzen von Chrom

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Chrom in der MikrostrukturierungChrom wird auf dem Gebiet der Mikrostrukturierung wegen seiner hohen Hrte und guten Haftung auf vie-len Materialien zur Herstellung von Fotomasken wie auch als Haftvermittler fr nachfolgend aufgebrachte Metallfi lme verwendet.

    tzgemische fr ChromChromtzen basieren meist Ammoniumcernitrat (NH 4)2[Ce(NO3)6] mit Perchlorsure (HClO4) als optionalem Additiv. Perchlorsure ist als uerst starke Sure in wssriger Lsung nahezu vollstndig dissoziiert (pKS-Wert < -8) und dient als sehr starkes Oxidationsmittel zur Stabilisierung des Ammoniumcernitrats. Ammo-niumcernitrat ist selbst ein sehr starkes Oxidationsmittel, welches gem der folgenden Summenformel

    3 (NH4)2Ce(NO3)6 + Cr Cr(NO3)3 + 3(NH4)2Ce(NO3)5das Chrom zur Oxidationsstufe III oxidiert, wobei das Cer von der Oxidationsstufe IV nach III reduziert wird. Das Chromnitrat, welches whrend des tzvorgangs einen dunklen, sich stndig neu bildenden Belag auf der Chromschicht bildet, ist in Wasser und damit in der Chromtze selbst sehr gut lslich was einen Komplex-bildner obsolet macht.

    Kompatibilitt und SelektivittAlle unsere Fotolacke sind ausreichend stabil in Ammoniumcernitrat und Perchlorsure basierten tzgemi-schen um als Lackmaske eingesetzt werden zu knnen.Kupfer, Silber und Vanadium werden von diesem tzgemisch stark getzt. Aluminium, Titan, Wolfram und Nickel erfahren nur einen schwachen Angriff . Die Edelmetalle Gold, Platin und Palladium werden nicht an-gegriff en. Erfahrungsgem kann es bei Kupfer in elektrisch leitender Verbindung zu Chrom zu einer stark verringerten tzrate des Chroms kommen.

    Unsere ChromtzeUnsere Chromtze TechniEtch Cr01 hat die Zusammensetzung Ammoniumcernitrat : Perchlorsure : Wasser = 10.9 % : 4.25 % : 84.85 % und weist bei Raumtemperatur eine tzrate von ca. 60 nm/Minute auf.

    tzen von Gold

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Gold in der MikrostrukturierungGold ist mit 19.3 g/cm3 ein Edelmetall sehr hoher Dichte welches kubisch fl chenzentriert kristallisiert. Mit einem Normalpotenzial von +1.5 V gehrt Gold zu den Edelmetallen. Durch seine Elektronenkonfi guration [Xe]4f145d106s1 kann Gold sehr schwer oxidiert werden: Das ungepaarte Valenzelektron ist durch das vollstndig gefllte 5d Orbi-tal von mglichen Reaktionspartnern weitgehend abgeschirmt und damit sehr schwer abzuspalten.Das nasschemische tzen von Gold erfordert deshalb zwei Voraussetzungen: Einen sehr stark oxidierenden Reaktionspartner und einen Komplexbildner, welcher das getzte Gold in Lsung hlt und den energetisch gnstigen Wiedereinbau verhindert.

    http://www.MicroChemicals.demailto:[email protected]://www.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html
  • www.MicroChemicals.de [email protected]

    Grundlagen der Mikrostrukturierungwww.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html

    Gerade wegen seiner hohen chemische Stabilitt gegenber den meisten Suren und Basen wird Gold in der Mikroelektronik als gegen Korrosion sehr unempfi ndliches Metall fr elektrische Kontaktfl chen bzw. deren Beschichtung eingesetzt.

    tzen von Gold mit HCl/HNO3Gemische aus Salpetersure und Salzsure (im Mischungsverhltnis 1 : 3 auch Knigswasser genannt) tzen Gold bereits bei Raumtemperatur. Die starke oxidative Wirkung dieses Gemisches beruht auf der Bildung von Nitrosylchlorid (NOCl) ber die Reaktion HNO 3 + 3 HCl NOCl + 2 Cl + 2 H2O. Die dabei ebenfalls gebilde-ten freien Chloratome halten das gelste Edelmetall als Chlorkomplex (Tetrachlorogold-(III)-sure = HAuCl 4) in der Lsung. Knigswasser verbraucht sich selbst und zerfllt mit der Zeit unter Bildung nitroser Gase und Chlorgas.Die tzrate von Knigswasser bei Raumtemperatur fr Gold liegt bei ca. 10 m/min und kann durch Erwr-men des Gemisches auf einige 10 m/min erhht werden.Palladium, Aluminium, Kupfer und Molybdn werden ebenfalls bei Raumtemperatur in Knigswasser getzt. Fr das tzen von Platin und Rhodium muss das Knigswasser zur Erzielung einer nennenswerten tzrate erhitzt werden, Iridium wird nur von stark erhitztem (kochenden) Knigswasser getzt.Silber wird von Knigswasser nicht getzt, da sich dabei auf dem Silber eine schtzende Silberchloridschicht ausbildet. Chrom, Titan, Tantal, Zirkonium, Hafnium und Niob bilden dnne, sehr dichte Passivier- (meist: Oxid-)schichten an ihrer Oberfl che welche zumindest bei Raumtemperatur das Metall vor einem nen-nenswerten Angriff in Knigswasser schtzen. Wolfram wird von Knigswasser aus dem gleichen Grund nur langsam getzt.

    tzen von Gold mit KI/I2Jod bildet ber die Gleichung 2 Au + I2 2 AuI Goldiodid, dessen wssrige Lslichkeit durch das gelste Kaliumiodid deutlich erhht wird. Das Jodid bzw. Jod kann durch andere Halogene bzw. deren Salze ersetzt werden ausgenommen Fluor, welches keine lsliche Goldverbindung bildet.Im Mischungsverhltnis KI : I2 : H2O = 4 g : 1 g : 40 ml erzielt diese Lsung bei Raumtemperatur eine tzrate fr Gold von etwa 1 m/min. Zu Kupfer besteht keine nennenswerte Selektivitt, Nickel wird davon nur im Falle direkter (elektrisch leitender) Verbindung mit Gold angegriff en.

    tzen von Gold mit CyanidenMit wssrigen Lsungen des sehr giftigen Natriumcyanid (NaCN) oder ebenfalls sehr giftigen Kaliumcyanid (KCN) wird Gold unter Bildung des gut lslichen Cyano-Komplexes [Au(CN) 2] gelst. Diese Reaktion erfordert entweder Luftsauerstoff oder Sauerstoff , welcher von der tzlsung zugegebenem H2O2 abgespalten wird.Cyanidlsungen greifen neben Gold auch z. B. Silber und Kupfer an, welche wasserlsliche, cyanidische Komplexe bilden.

    Unsere GoldtzlsungUnsere fertig angesetzte Goldtzlsung TechniEtch ACI2 basiert auf einer Kaliumiodid/Iod-Lsung.

    tzen von Kupfer

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Kupfer in der MikrostrukturierungAufgrund seiner hohen elektrischen Leitfhigkeit und den verglichen mit Silber geringeren Kosten fi ndet Kupfer in der Mikroelektronik wie auch im Leiterplattenbereich eine breite Anwendung als Material fr Lei-terbahnen. Durch die fehlende Mglichkeit einer trockenchemischen Strukturierung via Plasmatzen ms-sen hierfr nasschemische tzverfahren angewandt werden, ggfalls. in Kombination mit einer nachfolgen-den galvanischen Verstrkung.

    tzen von KupferKupfer wird von (auch verdnnter) Salpetersure sowie gesttigter 30 %iger Fe(Cl) 3 Lsung getzt. Gemische aus NH4OH und H2O2 tzen Kupfer ebenfalls.

    http://www.MicroChemicals.demailto:[email protected]://www.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html
  • www.MicroChemicals.de [email protected]

    Grundlagen der Mikrostrukturierungwww.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html

    tzen von Nickel

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Nickel in der MikrostrukturierungDas bergangsmetall Nickel gehrt mit einer Dichte von 8,9 g/cm3 zu den Schwermetallen und kristallisiert kubisch fl chenzentriert. Durch seine Hrte und hohe chemische Bestndigkeit werden Nickelschichten als Korrosionsschutz von Oberfl chen gegen chemische und mechanische Beanspruchung eingesetzt.

    tzen von NickelOxidierende Suren berziehen Nickel mit einer passivierenden Oxidschicht, welche das weitere tzen ver-hindert. Aus diesem Grund ist zum tzen von Nickel neben einem Oxidationsmittel ein Medium notwendig, welches das sich stndig neu bildende Oxid zu lsen vermag.Wie Titan lsst sich Nickel mit H 2O2 (zur Oxidation des Ti) und HF (tzen des Oxids) tzen. Als Oxidator kann auch Salpetersure und Salzsure statt Flusssure verwendet werden. Eine wssrige 30 %ige Fe(Cl) 3 Lsung tzt ebenfalls Nickel.

    tzen von Silber

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Silber in der MikrostrukturierungDas Edelmetall Silber kristallisiert wie Gold kubisch fl chenzentriert. Es besitzt unter allen Metallen die hchste elektrische Leitfhigkeit und wird in der Mikroelektronik dort als Material fr Leiterbahnen einge-setzt, wo die Anforderung an einen minimalen Widerstand die verglichen mit Kupfer hheren Materialkosten rechtfertigt.

    tzen von Silbertzmischungen fr Silber bentigen eine Komponente, welche das Silber oxidiert, und eine weitere Kompo-nente zum Lsen bzw. tzen des dabei gebildeten Silberoxids.Neben der im Abschnitt tzen von Gold beschriebenen KI / I 2 / H2O-tzlsung wird Silber auch von NH4OH

    * : H2O2

    * : Methanol = 1 : 1 : 4 getzt. Das giftige Methanol ist kein zwingender Bestandteil und kann unter Einbuen der tzhomogenitt weggelassen bzw. durch Wasser ersetzt werden. Ein weiteres tzgemisch fr Silber ist eine wssrige Lsung aus HNO3

    * : HCl* : H2O = 1 : 1 : 1.

    tzen von Titan

    Eigenschaften und Einsatzbereiche von Titan in der MikrostrukturierungTitan als sehr hartes und korrosionsbestndiges Metall wird in der Mikrostrukturierung hufi g als Haft-schicht zwischen dem Substrat und darber aufgewachsene Metallschichten verwendet. Als Trennschicht zwischen dem Silicium-Substrat und Aluminium dient es als Barriere gegen eine Eindi ff usion von Si in Al zur Verhinderung des sog. Aluminium Spiking wobei das Aluminium die vom darin eindiff undierten Silicium zurck gelassenen Rume fllt und dadurch Kurzschlsse verursachen kann.

    tzen von TitanTitan bildet an Luft eine sehr stabile Oxidschicht. Diese wird nur durch Flusssure stark angegriff en, welches deshalb Bestandteil von Titantzen ist. Zur Oxidation der jeweils freigetzten Schichten eignet sich als zwei-ter Bestandteil H2O2. In einem Mischungsverhltnis HF

    * : H2O2* : H2O = 1 : 1 : 20 lsst sich Titan bei Raumtem-

    peratur mit etwa 1 m/Minute tzen.

    StandardkonzentrationenAlle Konzentrationsangaben aller in diesem Kapitel genannten, mit einem (*) markierten Sto ff e beziehen sich auf folgende Basis-Konzentrationen:HCl* = 37 % HCl in H2O HNO3

    * = 70 % HNO3 in H2OH2SO4

    * = 98 % H2SO4 in H2O HF* = 50 % HF in H2O

    H2O2* = 30 % H2O2 in H2O H3PO4

    * = 85 % H3PO4 in H2ONH4OH

    * = 29 % NH3 in H2O CH3COOH* = 99 % CH3COOH in H2O

    http://www.MicroChemicals.demailto:[email protected]://www.microchemicals.com/de/downloads/anwendungshinweise.html
  • Unsere Fotolacke: Anwendungsbereiche und Kompatibilitten

    Anwendungsbereiche 1 Lackserie Fotolacke Schichtdicke 2 Empfohlene Entwickler 3 Empfohlene Remover 4

    1 The

    oret

    isch

    kn

    nen

    alle

    Lac

    ke f

    r nah

    ezu

    alle

    Anw

    endu

    ngen

    ein

    gese

    tzt w

    erde

    n. M

    it de

    m A

    nwen

    dung

    sber

    eich

    sin

    d hi

    er

    die

    beso

    nder

    en E

    ignu

    ngen

    der

    jew

    eilig

    en L

    acke

    gem

    eint

    . 2 M

    it S

    tand

    arde

    quip

    men

    t unt

    er S

    tand

    ardb

    edin

    gung

    en e

    rzie

    lbar

    e un

    d pr

    ozes

    sier

    bare

    Lac

    ksch

    icht

    dick

    e. M

    anch

    e La

    cke

    knn

    en f

    r ger

    inge

    re S

    chic

    htdi

    cken

    ver

    dnn

    t wer

    den,

    mit

    ents

    prec

    hend

    em M

    ehra

    ufw

    and

    sind

    auc

    h di

    cker

    e La

    cksc

    hich

    ten

    erzi

    el- u

    nd p

    roze

    ssie

    rbar

    . 3 M

    etal

    lione

    nfre

    ie (M

    IF-)

    Ent

    wic

    kler

    sin

    d de

    utlic

    h te

    urer

    und

    dan

    n si

    nnvo

    ll, w

    enn

    met

    allio

    nenf

    rei e

    ntw

    icke

    lt w

    erde

    n m

    uss

    4 A

    uch

    abh

    ngig

    von

    der

    vor

    herig

    en L

    ackp

    roze

    ssie

    rung

    un

    den

    Sub

    stra

    tmat

    eria

    liebn

    , D

    etai

    ls i

    m A

    bsch

    nitt

    Rem

    over

    Posi

    tiv

    Hohe Haftung fr nasschemisches tzen, kein Fokus auf senkrechte Lack-flanken

    AZ 1500

    AZ 1505 AZ 1512 HS AZ 1514 H AZ 1518

    0.5 m 1.0 - 1.5 m 1.2 - 2.0 m 1.5 - 2.5 m

    AZ 351B, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ Developer

    AZ 100 Remover TechniStrip P1316 TechniStrip P 1331

    AZ 4500 AZ 4533

    AZ 4562 3 - 5 m

    5 - 10 m AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF

    AZ P4000

    AZ P4110 AZ P4330 AZ P4620 AZ P4903

    1 - 2 m 3 - 5 m

    6 - 20 m 10 - 30 m

    AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF

    AZ PL 177 AZ PL 177 3 - 8 m AZ 351B, AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF Sprhbelackung AZ 4999 1 - 15 m AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF Tauchbelackung MC Dip Coating Resist 2 - 15 m AZ 351B, AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF

    Steile Flanken, hohe Auflsung und groes Aspektverhltnis fr z. B. Tro-ckentzen und Galvanik

    AZ ECI 3000 AZ ECI 3007 AZ ECI 3012 AZ ECI 3027

    0.7 m 1.0 - 1.5 m

    2 - 4 m AZ 351B, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ Developer

    AZ 9200 AZ 9245

    AZ 9260 3 - 6 m

    5 - 20 m AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF

    Hoher Erweichungspunkt und hochauf-lsend fr z. B. Trockentzen AZ

    701 MiR AZ 701 MiR (14 cPs)

    AZ 701 MiR (29 cPs) 0.8 m

    2 - 3 m AZ 351B, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ Developer

    Posi

    tiv

    (che

    m.

    vers

    trk

    t)

    Steile Flanken, hohe Auflsung und groes Aspektverhltnis fr z. B. Tro-ckentzen und Galvanik

    AZ XT AZ 12 XT-20PL-05 AZ 12 XT-20PL-10 AZ 12 XT-20PL-20 AZ 40 XT

    3 - 5 m 6 - 10 m

    10 - 30 m 15 - 50 m

    AZ 400K, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF AZ 100 Remover TechniStrip P1316 TechniStrip P1331

    AZ IPS 6050 20 - 100 m

    Imag

    e re

    ver-

    sal Hoher Erweichungspunkt und unter-

    schnittene Lackprofile fr Lift-off

    AZ 5200 AZ 5209

    AZ 5214 1 m

    1 - 2 m AZ 351B, AZ 326 MIF, AZ 726 MIF

    TechniStrip Micro D2 TechniStrip P1316 TechniStrip P1331 TI TI 35ESX TI xLift-X

    3 - 4 m 4 - 8 m

    Nega

    tiv

    (que

    rver

    netz

    end)

    Unterschnittene Lackprofile und dank Quervernetzung kein thermisches Erweichen fr Lift-off

    AZ nLOF 2000 AZ nLOF 2020 AZ nLOF 2035 AZ nLOF 2070

    1.5 - 3 m 3 - 5 m

    6 - 15 m AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF TechniStrip NI555 TechniStrip NF52 TechniStrip MLO 07

    AZ nLOF 5500 AZ nLOF 5510 0.7 - 1.5 m

    Hohe Haftung, steile Lackflanken und groe Aspektverhltnisse fr z. B. Trockentzen und Galvanik

    AZ nXT

    AZ 15 nXT (115 cPs) AZ 15 nXT (450 cPs)

    2 - 3 m 5 - 20 m AZ

    326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF

    AZ 125 nXT 20 - 100 m AZ 326 MIF, AZ 726 MIF, AZ 826 MIF TechniStrip P1316 TechniStrip P1331 TechniStrip NF52 TechniStrip MLO 07

    Unsere Entwickler: Anwendungsbereiche und Kompatibilitten Anorganische Entwickler (typischer Bedarf bei Standard-Prozessen: ca. 20 L Entwickler je L Fotolack) AZ Developer basiert auf Na-Phosphat und Na-Metasilikat, ist auf minimalen Aluminiumabtrag optimiert und wird 1 : 1 verdnnt in DI-Wasser fr hohen Kontrast bis unverdnnt fr hohe Entwicklungsraten eingesetzt. Der Dunkel-abtrag ist verglichen mit anderen Entwicklern etwas hher. AZ 351B basiert auf gepufferter NaOH und wird blicherweise 1 : 4 mit Wasser verdnnt angewandt, fr Dicklacke auf Kosten des Kontrasts bis ca. 1 : 3 AZ 400K basiert auf gepufferter KOH und wird blicherweise 1 : 4 mit Wasser verdnnt angewandt, fr Dicklacke auf Kosten des Kontrasts bis ca. 1 : 3 AZ 303 speziell fr den AZ 111 XFS Fotolack basiert auf KOH / NaOH und wird blicherweise 1 : 3 - 1 : 7 mit Wasser verdnnt angewandt, je nach Anforderung an Entwicklungsrate und Kontrast.

    Metallionenfreie Entwickler (TMAH-basiert) (typischer Bedarf bei Standard-Prozessen: ca. 5 - 10 L Entwicklerkonzentrat je L Fotolack) AZ 326 MIF ist eine 2.38 %ige wssrige TMAH- (TetraMethylAmmoniumHydroxid) Lsung. AZ 726 MIF ist 2.38 % TMAH in Wasser, mit zustzlichen Netzmitteln zur raschen und homogenen Benetzung des Substrates z. B. fr die Puddle-Entwicklung.

  • AZ 826 MIF ist 2.38 % TMAH in Wasser, mit zustzlichen Netzmitteln zur raschen und homogenen Benetzung des Substrates z. B. fr die Puddle-Entwicklung und weiteren Additiven zur Entfernung schwer lslicher Lackbestand-teile (Rckstnde bei bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines etwas hheren Dunkelabtrags.

    Unsere Remover: Anwendungsbereiche und Kompatibilitten AZ 100 Remover ist ein Amin-Lsemittel Gemisch und Standard-Remover fr AZ und TI Fotolacke. Zur Verbesserung seiner Performance kann AZ 100 Remover auf 60 - 80C erhitzt werden. Da der AZ 100 Remover mit Wasser stark alkalisch reagiert eignet er sich fr diesbezglich empfindliche Substratmaterialien wie z. B. Cu, Al oder ITO nur wenn eine Kontamination mit Wasser ausgeschlossen werden kann. TechniStrip P1316 ist ein Remover mit sehr starker Lsekraft fr Novolak-basierte Lacke (u. a. alle AZ Positivlacke), Epoxy-basierte Lacke, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75C kann TechniStrip P1316 auch z. B. durch Trockentzen oder Ionenimplantation strker quervernetzte Lacke rckstandsfrei auflsen. TechniStrip P1316 kann auch im Sprhverfahren eingesetzt werden. Nicht kompatibel mit Au oder GaAs. TechniStrip P1331 ist im Falle alkalisch empfindlicher Materialien eine Alternative zum TechniStrip P1316. Nicht kompatibel mit Au oder GaAs. TechniStrip NI555 ist ein Stripper mit sehr starker Lsekraft fr Novolak-basierte Negativlacke wie dem AZ 15 nXT und der AZ nLOF 2000 Serie und sehr dicke Positivlacken wie dem AZ 40 XT. TechniStrip NI555 wurde dafr entwickelt, auch quervernetzte Lacke nicht nur abzulsen, sondern rckstandsfrei aufzulsen. Dadurch werden Verunreinigungen des Beckens und Filter durch Lackpartikel und -hutchen verhindert, wie sie bei Standard-Strippern auftreten knnen. Nicht kompatibel mit Au oder GaAs. TechniClean CA25 ist ein Remover fr post etch residue (PER) removal. uerst effizient beim selektiven Entfernen organo-metallischer Oxide von Al, Cu, Ti, TiN, W und Ni. TechniStrip NF52 ist ein Sehr effizienter Remover fr Negativlacke (Flssiglacke als auch Trockenfilme). Durch seine Zusammensetzung und speziellen Additive kompatibel mit Metallen bicherweise eingesetzt fr BEOL interconnects oder WLP bumping. TechniStrip Micro D2 ist ein Vielseitig einsetzbarer Stripper fr Lift-off Prozesse oder generell dem Auflsen von Positiv- und Negativlacken. Seine Zusammensetzung zielt auf eine verbesserte Kompatibilitt zu vielen Metallen sowie III/V Halbleitern. TechniStrip MLO 07 Hoch-effizienter Remover fr Positiv- und Negativlacke eingesetzt in den Bereichen IR, III/V, MEMS, Photonic, TSV mask und solder bumping. Kompatibel zu Cu, Al, Sn/Ag, Alumina und einer Vielzahl organischer Substrate.

    Unsere Wafer und ihre Spezifikationen Silicium-, Quarz-, Quarzglas und Glaswafer Silicum-Wafer werden aus ber das Czochralski- (CZ-) oder Floatzone- (FZ-) Verfahren hergestellten Einkristallen gefertigt. Die deutlich teureren FZ-Wafer sind in erster Linie dann sinnvoll, wenn sehr hochohmige Wafer (> 100 Ohm cm) gefordert werden welche ber das CZ-Verfahren nicht machbar sind. Quarzwafer bestehen aus einkristallinem SiO2, Hauptkriterium ist hier die Kristallorientierung bzgl. der Waferoberflche (z. B. X-, Y-, Z-, AT- oder ST-Cut) Quarzglaswafer bestehen aus amorphem SiO2. Sog. JGS2-Wafer sind im Bereich von ca. 280 - 2000 nm Wellenlnge weitgehend transparent, die teureren JGS1-Wafer bei ca. 220 - 1100 nm. Unsere Glaswafer bestehen wenn nicht anders angegeben aus im Floatverfahren hergestelltem Borosilikatglas.

    Spezifikationen Fr alle Wafer relevant sind Durchmesser, Dicke und Oberflche (1- oder 2-seitig poliert). Bei Quarzglaswafern ist die Frage nach dem Material (JGS1 oder JGS2) zu klren, bei Quarzwafern die Kristallorientierung. Bei Silicium-Wafern gibt es neben der Kristallorientierung ( oder ) die Parameter Dotierung (n- oder p-Typ) sowie die elektrische Leitfhigkeit (in Ohm cm)

    Prime- Test- und Dummy-Wafer Bei Silicium-Wafern gibt neben dem blichen Prime-grade auch Test-grade Wafer, die sich meist nur in einer etwas breiteren Partikelspezifikation von Prime-Wafern unterscheiden. Dummy-Wafern erfllen aus unterschiedli-chen Grnden (z. B. sehr breite oder fehlenden Spezifizierung bestimmter Parameter, evtl. auch Reclaim-Wafer und solche vllig ohne Partikelspezifikation) weder Prime- noch Test-grade, knnen jedoch fr z. B. Belackungstests oder das Einfahren von Equipment eine sehr preiswerte Alternative sein.

    Unsere Silicium-, Quarz-, Quarzglas und Glaswafer Eine stndig aktualisierte Liste der aktuell verfgbaren Wafer finden Sie hier: www.microchemicals.com/de/produkte/wafer/waferlist.html

    Weitere Produkte aus unserem Portfolio Galvanik Elektrolyte und Hilfsstoffe fr die elektrochemische Abscheidung von z. B. Gold, Kupfer, Nickel, Zinn oder Palladium: www.microchemicals.com/de/produkte/galvanik.html

    Lsemittel (MOS, VLSI, ULSI) Aceton, Isopropanol, MEK, DMSO, Cyclopentanon, Butylacetat, u. a. www.microchemicals.com/de/produkte/loesungsmittel.html

    Suren und Basen (MOS, VLSI, ULSI) Salzsure, Schwefelsure, Salpetersure, KOH, TMAH, u. a. www.microchemicals.com/de/produkte/saeuren_basen.html

    tzmischungen Fr z. B. Chrom, Gold, Silicum, Kupfer, Titan, Titan / Wolfram u. a. www.microchemicals.com/de/produkte/aetzmischungen.html

    http://www.microchemicals.com/de/produkte/wafer/waferlist.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/produkte/galvanik.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/produkte/loesungsmittel.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/produkte/saeuren_basen.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/produkte/aetzmischungen.html
  • Weiterfhrende Informationen Technische Datenbltter: www.microchemicals.com/de/downloads/technische_datenblaetter/fotolacke.html Sicherheitsdatenbltter: www.microchemicals.com/de/downloads/sicherheitsdatenblaetter/sicherheitsdatenblaetter.html

    Unsere Lithografiebcher und -Poster

    Wir sehen es als unsere Aufgabe, Ihnen mglichst alle As-pekte der Mikrostrukturierung anwendungsorientiert verstnd-lich zu machen. Diesen Anspruch umgesetzt haben wir derzeit mit unserem Buch Fotolithografie auf ber 200 Seiten, sowie anspre-chend gestalteten DIN A0 Postern fr Ihr Bro oder Labor. Beides senden wir Ihnen als unser Kunde gerne gratis zu (ggfalls. berechnen wir fr auereuropische Lieferungen Versandkosten): www.microchemicals.com/de/downloads/broschueren.html www.microchemicals.com/de/downloads/poster.html Vielen Dank fr Ihr Interesse!

    Gewhrleistungs- und Haftungsausschluss & Markenrechte Alle in diesem Dokument enthaltenen Informationen, Prozessbeschreibungen, Rezepturen etc. sind nach bestem Wissen und Gewissen zusammengestellt. Dennoch knnen wir keine Gewhr fr die Korrektheit der Angaben ber-nehmen. Insbesondere bezglich der Rezepturen fr chemische (tz-)Prozesse bernehmen wir keine Gewhrleistung fr die korrekte Angabe der Bestandteile, der Mischverhltnisse, der Herstellung der Anstze und deren An-wendung. Die sichere Reihenfolge des Mischens von Bestandteilen einer Rezeptur entspricht blicherweise nicht der Reihenfolge ihrer Auflistung. Wir garantieren nicht fr die vollstndige Angabe von Hinweisen auf (u. a. gesundheitliche, arbeitssicherheitstechnische) Gefahren, die sich bei Herstellung und Anwendung der Rezepturen und Prozesse ergeben. Die Angaben in diesem Buch basieren im brigen auf unseren derzeitigen Erkenntnissen und Erfahrungen. Sie befreien den Verwender wegen der Flle mglicher Einflsse bei Verarbeitung und Anwendung unserer Produkte nicht von eigenen Prfungen und Versuchen. Eine Garantie bestimmter Eigenschaften oder die Eignung fr einen konkreten Einsatzzweck kann aus unseren Angaben nicht abgeleitet werden. Grundstzlich ist jeder Mitarbeiter dazu angehalten, sich im Zweifelsfall in geeigneter Fachliteratur ber die angedachten Prozesse vorab ausreichend zu informieren, um Schden an Personen und Equipment auszuschlieen. Alle hier vorliegenden Beschreibungen, Darstellungen, Daten, Verhltnisse, Gewichte, etc. knnen sich ohne Vorankndigung ndern und stellen nicht eine vertraglich vereinbarte Produktbeschaffenheit dar. Etwaige Schutzrechte sowie bestehende Rechtsvorschriften sind vom Verwender unserer Produkte in eigener Verantwortung zu beachten. Merck, Merck Performance Materials, AZ, the AZ logo, and the vibrant M are trademarks of Merck KGaA, Darmstadt, Germany MicroChemicals GmbH Fon: +49 (0)731 977 343 0 Nicolaus-Otto-Str. 39 Fax: +49 (0)731 977 343 29 89079, Ulm e-Mail: [email protected] Germany Internet: www.microchemicals.net

    http://www.microchemicals.com/de/downloads/technische_datenblaetter/fotolacke.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/downloads/sicherheitsdatenblaetter/sicherheitsdatenblaetter.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/downloads/broschueren.htmlhttp://www.microchemicals.com/de/downloads/poster.htmlmailto:[email protected]://www.microchemicals.net