Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.1www.infineon.com 2018-12-06

FP10R12W1T7_B11

EasyPIM™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTCEasyPIM™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC

VorläufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 1200VIC nom = 10A / ICRM = 20A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters• •Klimaanlagen Airconditioning• •Motorantriebe Motordrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat

• •TrenchstopTMIGBT7 TrenchstopTMIGBT7• •Überlastbetriebbiszu175°C Overloadoperationupto175°C

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit 2.5kVAC1mininsulation• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand

Al2O3substratewithlowthermalresistance

• •HoheLeistungsdichte Highpowerdensity• •KompaktesDesign Compactdesign• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet 2 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC 10 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 10 AVGE = 15 V VCE sat

1,601,741,82

t.b.d. VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,15 5,80 6,45 V

GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,157 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,89 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,0066 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,0045 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω

td on0,0230,0250,026

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω

tr0,0140,0170,019

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω

td off0,150,250,305

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω

tf0,680,6950,70

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 550 A/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 8,2 Ω

Eon

0,730,941,13

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 2100 V/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 8,2 Ω

Eoff

1,251,621,87

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC

3230

AA

Tvj = 150°CTvj = 175°C

tP ≤ 8 µs, tP ≤ 7 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,05 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

Datasheet 3 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 10 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C I²t 27,5

24,0 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 V

VF

1,721,591,52

t.b.d. VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 VVGE = -15 V

IRM

10,515,317,5

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 VVGE = -15 V

Qr

0,971,702,20

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 VVGE = -15 V

Erec

0,240,510,72

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,45 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 100°C IFRMSM 25 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 100°C IRMSM 25 A

StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 300

245 AA

GrenzlastintegralI²t-value

tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 450

300 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 10 A VF 0,80 V

SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,54 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Datasheet 4 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC 10 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 10 AVGE = 15 V VCE sat

1,601,741,82

t.b.d. VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,15 5,80 6,45 V

GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,157 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,89 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,0066 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,0045 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω

td on0,0230,0250,026

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGon = 8,2 Ω

tr0,0140,0170,019

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω

td off0,150,250,30

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload

IC = 10 A, VCE = 600 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 8,2 Ω

tf0,680,6950,70

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 550 A/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 8,2 Ω

Eon

0,730,941,13

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 10 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 2100 V/µs (Tvj = 175°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 8,2 Ω

Eoff

1,251,621,87

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC

3230

AA

Tvj = 150°CTvj = 175°C

tP ≤ 8 µs, tP ≤ 7 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,05 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

Datasheet 5 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 10 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C I²t 27,5

24,0 A²sA²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 V

VF

1,721,591,52

t.b.d. VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 V IRM

10,515,317,5

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge

IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 V Qr

0,971,702,20

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy

IF = 10 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=175°C)VR = 600 V Erec

0,240,510,72

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,45 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 175 °C

NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 6 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

KriechstreckeCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5

6,3 mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0

5,0 mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200

RelativerTemperaturindex(elektr.)RTIElec.

Gehäusehousing RTI 140 °C

min. typ. max.

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 30 nH

Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip

TH=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'

RAA'+CC'

8,006,00 mΩ

LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 20 - 50 N

GewichtWeight G 24 g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.

Datasheet 7 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=175°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 12 13 140

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=600V

IC [A]

E [m

J]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 175°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 175°C

Datasheet 8 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 900,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 175°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 175°C

SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=600V,Tvj=175°C

IC [A]

t [µ

s]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200,0001

0,001

0,01

0,1

1

10tdon

trtdoff

tf

SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=10A,VCE=600V,Tvj=175°C

RG [Ω]

t [µ

s]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 900,01

0,1

1

10tdon

trtdoff

tf

dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch)dv/dtIGBT,Inverter(typical)dv/dt=f(RG)VGE=±15V,VCE=600V,Tvj=25°C

RG [Ω]

dv/

dt [V

/ns]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 900

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10dv/dt-on at 1/10 Inom

dv/dt-off at Inom

Datasheet 9 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,1390,000798

20,4230,00727

30,7440,0549

40,7440,198

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=175°C

VCE [V]

IC [A

]

0 200 400 600 800 1000 1200 14000

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24IC, ModulIC, Chip

KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz

VCE [V]

C [nF

]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 1000,001

0,01

0,1

1

10Cies

Coes

Cres

GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)VGE=f(QG)IC=10A,Tvj=25°C

QG [µC]

VG

E [V

]

0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16-15

-12

-9

-6

-3

0

3

6

9

12

15VCE = 600 V

Datasheet 10 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=8.2Ω,VCE=600V

IF [A]

E [m

J]

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 200,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 175°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=10A,VCE=600V

RG [Ω]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 70 80 900,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 175°C

TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,1780,000719

20,5080,0064

310,0428

40,7640,184

Datasheet 11 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,GleichrichtertransientthermalimpedanceDiode,RectifierZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH: Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,0860,00145

20,2080,0162

30,7060,0831

40,540,282

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 175°C

Datasheet 12 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryData

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TNTC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

Datasheet 13 V2.12018-12-06

FP10R12W1T7_B11

VorläufigeDatenPreliminaryDataSchaltplan/Circuitdiagram

J

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

TrademarksAllreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.

Edition2018-12-06

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