ListeverwendeterFormelzeichen - Springer978-3-658-14387-9/1.pdf · MPP maximale Leistung einer...

Liste verwendeter Formelzeichen

A SperrschichtflächeA LeuchtflächeA Stromverstärkung des Bipolartransistors in BasisschaltungAI inverse Stromverstärkung, RückwärtsstromverstärkungAD Differenzverstärkunga Beschleunigunga AusräumfaktorB magnetische FlussdichteB GleichstromverstärkungsfaktorB Mess-Bandbreite (betrachtetes Frequenzintervall)C KapazitätC TemperaturkonstanteCMRR GleichtaktunterdrückungCG Gehäuse-KapazitätCK KoppelkapazitätCS SperrschichtkapazitätCG GatekapazitätCS0 Null-KapazitätCEBO EmittersperrschichtkapazitätCCBO Kollektorsperrschichtkapazitätc LichtgeschwindigkeitcD DiffusionskapazitätcS0 flächenbezogene Kapazität des spannungslosen pn-ÜbergangsD differenzieller RückwirkungsfaktorD TastverhältnisDn Diffusionskonstante für ElektronenDp Diffusionskonstante für LöcherE elektrische FeldstärkeE EnergiewertE kinetische Energie

677© Springer Fachmedien Wiesbaden 2016L. Stiny, Aktive elektronische Bauelemente, DOI 10.1007/978-3-658-14387-9

678 Liste verwendeter Formelzeichen

Eg Bandabstand, Bandlücke, Energielücke�Eg Energieabstand�E Energiebreite, HalbwertsbreiteEV obere Bandkante ValenzbandEC untere Bandkante LeitungsbandED Energieniveau unterhalb der LeitungsbandkanteEA Energieniveau über der ValenzbandkanteEF Fermi-NiveauEEA ElektronenaffinitätEH Austrittsarbeite Basis des natürlichen Logarithmus, Euler’sche Zahl (D 2;718)e Elementarladung (Betrag)F KraftF RauschzahlFX .˛/ Wahrscheinlichkeitsverteilung, Verteilungsfunktionf Frequenzfc Grenzfrequenzfg Grenzfrequenzfg 3 dB-Grenzfrequenz bei V

fg0 3 dB-Grenzfrequenz bei V0

fM Modulationsfrequenzfmax maximale SchwingfrequenzfRes ResonanzfrequenzfT Transitfrequenzf0 SchwingfrequenzG LeitwertGBW Verstärkungs-Bandbreite-Produktg21 siehe S , SteilheitH magnetische Feldstärkeh Planck’sches WirkungsquantumhA relative Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A

h11e siehe rBEh12e siehe D, differenzieller RückwirkungsfaktorI , i.t/ StromIB BasisstromIB0 KippstromIC KollektorstromICBO Kollektor-Basis-ReststromICES Kollektor-Emitter-ReststromID DiffusionsstromID DrainstromID Diodenstrom

Liste verwendeter Formelzeichen 679

ID;AP Diodenstrom im ArbeitspunktIDSS Drain-SättigungsstromIE EmitterstromIEBO Emitter-Basis-ReststromICEO Kollektor-Emitter-ReststromIF FeldstromIF HaltestromIF DurchlassstromIFmax maximaler DurchlassstromIF;max maximaler DauerflussstromIFSM SpitzenflussstromIFRM periodischer SpitzenflussstromIH HaltestromIK KurzschlussstromILmax größter LaststromIPP StoßstromIP HöckerstromIV TalstromIR SperrstromIRM maximaler Rückwärtsstrom, Ausräumstrom, SperrreststromIS SperrsättigungsstromIS, Ith Schwell(en)stromIZ ZenerstromIZmax maximal zulässiger Sperrstrom ZenerdiodeIZmin minimaler Sperrstrom ZenerdiodeIv LichtstärkeK Steilheitsparameter, Steilheitskoeffizient, Transkonduktanz-Koeffizientk Boltzmann-Konstantek Wellenzahlk Konstantek Klirrfaktork GegenkopplungsfaktorL InduktivitätL mittlere Wegstrecke, DiffusionslängeL KanallängeLA Debye-LängeLD Debye-LängeLG Gehäuse-InduktivitätLeff effektive Längel Längeln Logarithmus zur Basis elog Logarithmus zur Basis 10


lg Logarithmus zur Basis 10MBW Modulationsbandbreitem Masseme Ruhemasse des freien Elektronsmeff; m� effektive Massemn durchschnittliche effektive Masse der Elektronen im Leitungsband, effek-

tive Elektronenmassemp durchschnittliche effektiveMasse der Löcher im Valenzband, effektive Lö-

chermassems Kapazitätskoeffizient, GradationsexponentNF Rauschmaß, Rauschzahln Nummer der Elektronenschalen Elektronendichten Emissionskoeffizient, Korrekturfaktor, Nichtidealitätsfaktorn Anzahl der durchgeführten ZufallsexperimentenA absolute Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A

nA Dichte der AkzeptorennAB Anzahl Akzeptoren BasisnD Dichte der DonatorennDC Anzahl Donatoren KollektornDE Anzahl Donatoren Emitterni Eigenleitungsdichtenn Elektronendichte im n-Gebietnp Elektronendichte im p-Gebietpp Löcherdichte im p-Gebietpn Löcherdichte im n-GebietP WirkleistungP , PV VerlustleistungPV;max maximale VerlustleistungPV;max.puls/ maximale Verlustleistung bei PulsbetriebPPP PulsspitzenleistungPN NennbelastbarkeitPmax, Ptot maximale Belastung, maximale VerlustleistungPMPP maximale Leistung einer SolarzelleP.A/ Wahrscheinlichkeit des zufälligen Ereignisses A

p Impulsp LöcherdichtepX .˛/ Wahrscheinlichkeitsdichte, Verteilungsdichte, DichtefunktionQ GüteR Ohm’scher WiderstandR ReflexionskoeffizientRLZ Raumladungszone


RB BahnwiderstandRF Gleichstromwiderstand der Diode in FlussrichtungRL LastwiderstandRP ParallelwiderstandRS SerienwiderstandRS SperrwiderstandRV VorwiderstandRi InnenwiderstandRg InnenwiderstandRG InnenwiderstandRa InnenwiderstandRRes ResonanzwiderstandRth WärmewiderstandRth;JA Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und UmgebungRDS.on/ Einschaltwiderstand beim FETrBE differenzieller (dynamischer) EingangswiderstandrCE differenzieller (dynamischer) Ausgangswiderstand, Kleinsignalausgangs-

widerstandrD differenzieller (dynamischer) Widerstand der Diode, Wechselstromwider-

standrD DifferenzeingangswiderstandrGl GleichtakteingangswiderstandrD;AP differenzieller Widerstand der Diode im ArbeitspunktrZ differenzieller Innenwiderstand ZenerdiodeS Operator (Verknüpfung zwischen Ein- und Ausgangsgrößen)S Steilheit, ÜbertragungssteilheitSR SpannungsanstiegsrateSR RückwärtssteilheitSD Übertragungssteilheit, TranskonduktanzS� spektrale EmpfindlichkeitT PeriodendauerT absolute Temperatur in KelvinT KristalltemperaturTA UmgebungstemperaturTA;ref ReferenzumgebungstemperaturTC;ref ReferenzgehäusetemperaturTJ;max maximal erlaubte SperrschichttemperaturTC GehäusetemperaturTi intrinsische Temperaturt ZeittAA ZugriffszeittRC Lese-Zykluszeit


te Einschaltzeittf Abfallzeittrr Sperrverzögerungszeit, Rückwärts-Erholzeit, Übergangszeit, Erholungs-

zeit, Erholzeit, SperrverzugszeittP Einschaltzeittgd Zündverzögerungszeittgr Durchschaltzeittgs Zündausbreitungszeittgt Zündzeittc Schonzeittr Anstiegszeitts Ausräumzeit, Speicherzeitts EinschwingzeitU , u.t/ SpannungUa AusgangsspannungUe EingangsspannungUB BetriebsspannungUBmax maximale BetriebsspannungUb GleichvorspannungUB0 KippspannungUBT0 NullkippspannungUB0C, UB0� positive, negative Zündspannung (Kippspannung)UCL KlemmspannungUBR DurchbruchspannungUBR;GS Gate-Source-DurchbruchspannungU.BR/EBO Emitter-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CBO Kollektor-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CEO Kollektor-Emitter-DurchbruchspannungUD DiffusionsspannungUD DiodenspannungUD;AP Diodenspannung im ArbeitspunktUEB Spannung zwischen Emitter und BasisUBE Spannung zwischen Basis und EmitterUCB Spannung zwischen Kollektor und BasisUCE Spannung zwischen Kollektor und EmitterUCE;sat Kollektor-Emitter-SättigungsspannungUDSP Drain-Abschnürspannung, KniespannungUGSP Gate-AbschnürspannungUGS Spannung zwischen Gate und SourceUF äußere Spannung in Flussrichtung, FlussspannungUF;i innere FlussspannungUH Haltespannung


UR äußere Spannung in Sperrrichtung, SperrspannungUR;max maximale SperrspannungUth kritische SpannungUth Schwell(en)spannungUth, UP AbschnürspannungURM BetriebssperrspannungURRM periodische SpitzensperrspannungURSM SpitzensperrspannungUS SchleusenspannungUT TemperaturspannungUY Early-SpannungUZ ZenerspannunguR;eff effektive Rauschspannungü Übersteuerungsgrad, ÜbersteuerungsfaktorV BetriebsverstärkungVCC Betriebsspannung, SpeisespannungV0 LeerlaufspannungsverstärkungVGl Gleichtaktverstärkungv GeschwindigkeitvS Sättigungsgeschwindigkeitvdom Domänengeschwindigkeitv mittlere GeschwindigkeitW EnergieW KanalbreiteWS0 gesamte SperrschichtweiteWSR Sperrschichtweite in SperrrichtungWSF Sperrschichtweite in Flussrichtungwp Sperrschichtbreite im p-Gebietwn Sperrschichtbreite im n-GebietX ZufallsvariableX Arithmetischer Mittelwert, Erwartungswertx WegstreckeZ0 BezugswiderstandZ0 Wellenwiderstand

˛ Ionisationsrate˛ Wechselstromverstärkung des Bipolartransistors in Basisschaltung˛n Ionisationsrate der Elektronen˛p Ionisationsrate der Löcher˛Z Temperaturkoeffizientˇ Kleinsignalstromverstärkungsfaktor� Wellenlänge


� Parameter der Kanallängen-Modulation�0 Betriebswellenlänge�� spektrale Breite (Linienbreite, Halbwertsbreite)�Grenz Grenzwellenlänge" Dielektrizitätskonstante, Permittivität"0 elektrische Feldkonstante"r Permittivitätszahl, Dielektrizitätszahl# Temperatur in °C#0 Bezugstemperatur#max maximale Betriebstemperatur�n Elektronenbeweglichkeit�p Löcherbeweglichkeit� spezifischer Widerstand� Raumladungsdichte� spezifische Leitfähigkeit� Standardabweichung�2 Streuung, Varianz� Zeitkonstante� Lebensdauer Ladungsträger�T Transitzeit' Phasenwinkel' elektrisches Potenzial' Makropotenzial! Kreisfrequenz˚ Lichtstrom˝ Stichprobenumfang, Stichprobenraum� Wirkungsgrad Winkel Stromverstärkung des Bipolartransistors in Kollektorschaltung

Literatur

1. Aschenbrenner, F.: Industrielle Elektronik, Lehrbehelf für Vorlesungen

2. Balk, L.J.: Skriptum Elektronische Bauelemente. Bergische Uni Wuppertal (Okt. 2000)

3. Bächtold, W.: Hochfrequenz- und Mikrowellenelektronik II, Skript. ETH Zürich (SS 2004)

4. Best, J.: Elektrotechnische Grundlagen der Informatik. FH Mannheim (SS 2001)

5. Boit, C., Wagemann, H.G.: Vorlesungsskript Werkstoffe und Bauelemente der Elektrotechnik I(Bauelemente). TU Berlin (Okt. 2003)

6. Bohrmann, C.: Photoelektrochemie und Elektrolumineszenz. Dissertation, Uni Duisburg-Essen(2003)

7. Böhm, M.: Mikroelektronik. Uni Siegen (1997)

8. Brennan, K. F., Brown, A. S.: Theory of modern electronic semiconductor devices. Wiley, NewYork (2002)

9. Brückner, V.: Grundlagen der optischen Nachrichtenübertragung. Deutsche Telekom Unter-richtsblätter, 10.02.1997

10. Bundesamt für Sicherheit in der Informationstechnik: Nanotechnologie (2007)

11. Cuno, H.H.: Praktische Elektronik, Skriptum. Fachhochschule Regensburg (04/97)

12. Dodge, J., Advanced Power Technology: IGBT Technical Overview. Application NoteAPT0408 (2004)

13. Dodge, J., Advanced Power Technology: IGBT Tutorial. Application Note APT0201 (Juli 2002)

14. Fairchild Semiconductor: AN9010, MOSFET Basics (Nov. 1999)

15. Fairchild Semiconductor: AN9016, IGBT Basics 1 (Feb. 2001)

16. Fairchild Semiconductor: AN9020, IGBT Basics 2 (April 2002)

17. Föller, M.: Skript zur Vorlesung Elektrotechnische Grundlagen der Informatik, HochschuleMannheim (SS 2006)

18. Freudenberger, J.: Skript zur Vorlesung Elektrische Schaltungstechnik. FH Konstanz (SS 2006)

19. Gesch, H.: Vorlesung Elektronische Bauelemente I. FH Landshut (WS 2006/07)

20. Gemmeke, H.: Einführung in die Elektronik für Physiker. Forschungszentrum Karlsruhe (WS2002/03)

21. Goser, K.: Halbleiterbauelemente, Skriptum zur Vorlesung für Elektrotechniker/Infor-mationstechniker, Teil ICII. Uni Dortmund (WS 2002/03)

685

686 Literatur

22. Goßner, S.: Grundlagen der Elektronik; Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, 9. ergänzteund verbesserte Auflage, Januar 2016, Shaker-Verlag (2016)

23. Gross, R., Marx, A.: Festkörperphysik, Vorlesungsskript (WS 2004/2005)

24. Grundmann, M.: The Physics of Semiconductors. Springer (2006)

25. Heering, W.: Elektrophysik, Eine Einführung in die Quantenmechanik und Quantenstatistik.Uni Karlsruhe, Lichttechnisches Institut (2002)

26. Hilpert, H.: Halbleiterbauelemente. Teubner Studienskripten, Stuttgart (1972)

27. Hirt, N.: Script zur Lehrveranstaltung Analoge und Digitale Schaltungen, Teil: Digitale Schal-tungen. Technische Universität Ilmenau

28. Kaltenbach, K.: Bauelemente der Leistungselektronik. FH Lübeck (SS 2003)

29. Kamp, M.: Angewandte Halbleiterphysik. Uni Würzburg (WS 2006/07)

30. Kasper, M.: Grundlagen der Elektrotechnik II. TU Harburg

31. Kaufmann, A.: Signalübertragung, Skriptum. HTI Biel (Okt. 2003)

32. Khanna, V.K.: The Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT, Theory and Design. IEEE Press,Wiley-Interscience (1952)

33. Lehmann, J.G.: Dioden und Transistoren, 3. Aufl. Vogel (1972)

34. Maly, W.: Atlas of IC technologies – An Introduction to VLSI Processes. Benjamin/CummingsPublishing, San Francisco (1987)

35. Mayer, O.: Regenerative Energien, Version 3

36. Mester, R.: Elektrotechnische und Digitaltechnische Grundlagen der Informatik. Uni Frankfurt(WS 2006/07)

37. Neamen, D. A.: Semiconductor Physics and Devices, Basic Principles. McGraw-Hill (2003)

38. Nührmann, D.: Das komplette Werkbuch Elektronik. Franzis (2002)

39. ON Semiconductor: AN1541/D, Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors, Sept. 2000– Rev. 0

40. Philips Semiconductors: Power Semiconductor Applications

41. Reichl, H.: Technologien der Mikrosysteme II, Skriptum. Technische Universität Berlin (2001)

42. Reithmaier, J.P.: Skriptum Angewandte Halbleiterphysik. Uni Würzburg (WS 2004/05)

43. Rieger, M.: Vorlesung Schaltkreisentwurf. FH Albstadt-Sigmaringen (WS2001/2002)

44. Rohner, S.: Aufbau und Inbetriebnahme eines IGBT-Modul-Teststandes, Studienarbeit. TU Ber-lin (2005)

45. Roth-Stielow, J.: Übungen Leistungselektronik 2. Universität Stuttgart

46. Säckinger, E.: Broadband circuits for optical fiber communication. Wiley (2005)

47. Schuch, B.: Aufbautechniken für die Kfz-Elektronik – Schlüssel zum Produkterfolg, Sonder-druck aus ATZ Automobiltechnische Zeitschrift, TEMIC (1998)

48. Semikron: Applikationshandbuch Leistungshalbleiter (2010)

49. Schenk, A.: Halbleiterbauelemente (SS 2006)

50. Sclater, N., Traister, J. E.: Handbook of Electrical Design Details. McGraw-Hill (2003)

51. Schmitt-Landsiedel, D.: Unterlagen zur Vorlesung Elektronische Bauelemente. TU München(WS 1999/2000)

Literatur 687

52. Schubert, M.: Systemkonzepte. FH Regensburg, Fachbereich Elektrotechnik (2001)

53. Sedra, A.S., Smith, K.C.: Microelectronic Circuits. Oxford University Press (2004)

54. Söser, P.: Integrierte Schaltungen 2, Skriptum. TU Graz (Winter 2000)

55. Steimle, W.: Zur rechnerischen Behandlung des bipolaren Transistors beim Entwurf linearerAnalogschaltungen. Frequenz 30 (1976)

56. Stiny, L.: Elektrotechnik für Studierende: Band 1 bis 4, Christiani

57. Stiny, L.: Fertigung und Test elektronischer Baugruppen. Christiani (2010)

58. STMicroelectronics: AN1491, IGBT Basics. (Dec. 2001)

59. Surina, T., Klasche, G.: Angewandte Impulstechnik. Franzis (1974)

60. Sze, S.M.: Physics of Semiconductor Devices. Wiley (1981)

61. Tempel, M.: Ein Beitrag zum Entwurf von Frequenzumsetzern hoher Dynamik mit GaAs-HBTs.Dissertation, Berlin (2006)

62. Thiede, A.: Skriptum Elektronik für den Maschinenbau. Uni Paderborn

63. Tietze, U., Schenk, Ch.: Halbleiterschaltungstechnik, 11. Aufl. Springer

64. TU Berlin, Institut für Hochfrequenz- und Halbleitersystemtechnik, Abteilung Festkörperelek-tronik: Praktikum Bipolare Bauelemente, Schaltverhalten von Halbleiterdioden

65. TU München: Unterlagen zur Vorlesung Elektronische Bauelemente. TU München (WS1999/2000)

66. Unger, H.G., Schultz, W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke I. Vieweg (1968)

67. Vishay Semiconductors: Application Note;What Is A Silicon Transient Voltage Suppressor AndHow Does It Work? Document Number 88436 (01-Mar-04)

68. Waller, G.: Werkstoffe, Bauelemente, Halbleiter, Vorlesungsmanuskript. FH Kiel, FachbereichInformatik und Elektrotechnik (WS 2001/2002)

69. Webster, G. (Hrsg.): Measurement, Instrumentation, and Sensors Handbook. CRC Press (1999)

70. Wolfrum, K.: Elektronik. FH Karlsruhe (2005)

Sachverzeichnis

1. Moment, 2651=f -Grenzfrequenz, 2731=f -Rauschen, 271, 273, 275, 391, 392, 50410/1000µs-Impuls, 1202. Durchbruch, 662DEG, 4033 dB-Bandbreite, 4728/20 µs-Impuls, 120

AAbätzen, 109Abblockkondensatoren, 516Abfallzeit, 72, 96, 224, 285, 287, 451, 503, 536,

537, 682Abgleich-Potenziometer, 485Abklingzeit, 451Ableitwiderstand, 332, 335Abreißdiode, 212Abschalt-Steuerstrom, 450Abschaltthyristor, 450Abschattung, 176, 182Abschnürbereich, 350, 351, 353–355, 370, 371,

378–380, 382, 386, 387, 414, 417Abschnürspannung, 341, 349, 351–354, 356,

683Abschnürung, 349, 365Absorptionszone, 171, 172Abstimmdiode, 183, 185Abstrahlcharakteristik, 136, 138, 143, 158Abweichung, mittlere, 259, 267Active Mode, 582Address Access Time, 584Address Setup Time, 584Adressdekoder, 579, 580, 582, 586Adressierung, 577, 582, 613, 624Advanced Low-Power-Schottky-TTL, 555

Advanced Schottky-TTL, 555AIM-Verfahren, 588air mass, 177Akkumulation, 358Akkumulatoren, 1Aktivmatrix-Displays, 148Akzeptoratom, 42, 113Akzeptoren, 6, 25, 33–36, 38, 358, 363, 680Al2O3-Keramik, 520Alterung, 177, 485, 508Aluminium, 17, 32, 115, 133, 145, 326, 357,

360, 402Aluminiumgalliumarsenid, 132Amplitude, mittlere, 259Amplituden

~bedingung, 492, 495~frequenzgang, 493, 496~gang, 488~mittelwert, 267~rand, 494

Anlaufbereich, 353, 354Anode, 77, 124–126, 130, 131, 145–147, 200,

202, 204, 421, 423–429, 445, 449, 450,452, 454, 456, 457

Anodenkürzung, 450, 451Anregungsenergie, 35, 146, 147Anreicherung, 357, 358, 363Anreicherungstyp, 340, 341, 359, 360, 362,

363, 365, 368, 370–372, 563, 594Anreicherungstyp, n-Kanal, 368, 406, 413Anschlussdrähte, 112, 257Anschlusskontakte, 112, 519Ansprechzeit, 119, 123, 143Ansteuerung, harte, 457Anstiegsgeschwindigkeit, 428, 438, 472,

500–502, 508

689

690 Sachverzeichnis

Anstiegsverzerrungen, 501Anstiegszeit, 285, 286, 439, 495, 503, 558, 682Antifuse-Technik, 587, 588Antisättigungsschaltung, 288Anzeigen, optische, 142Application Specific Integrated Circuit, 531,

627Äquivalenztypen, 219Arbeitsbereich, erlaubter, 257Arbeitsgerade, 167, 249, 289Arbeitspunkt, 85, 90–93, 127, 140, 152, 160,

168, 179, 191, 196, 198, 209, 224, 225,237, 241, 244–247, 249, 250, 252, 271,274, 275, 277, 278, 280, 282, 288, 289,294–300, 302, 304, 305, 307, 308, 314,317, 318, 335, 346–349, 351, 353, 362,364–367, 369–371, 373, 379, 380, 417,510, 533, 561, 679, 681, 682

Arbeitspunkt, temperaturunabhängiger, 356Arbeitspunktstrom, 275Arbeitspunktstrom, optimaler, 275Arbeitswiderstand, 232, 249, 299, 314, 389,

509, 514, 565Arbitrationslogik, 615ASCR, 449ASIC, 531, 627–635, 637, 641, 645, 670ASIC-Entwurf, 632, 634, 635Asymmetrical Silicon-Controlled Rectifier, 449Atom

~bindung, 11~hülle, 21~kern, 9, 14~masse, 5~rümpfe, 42, 363Wertigkeit, 21

Ätzgräben, 110Aufenthaltswahrscheinlichkeit, 193Auffrischen, 571, 583, 607Auger-Effekt, 141Auger-Rekombination, 141Ausbreitungsgeschwindigkeit, 159Ausgangs

~aussteuerbarkeit, 466, 467, 469, 472, 475,517

~kennlinie, 238, 239, 245, 249, 305, 348,365, 367, 369, 372, 380

~kennlinienfeld, 234, 238–241, 244–246,249–251, 299, 352, 353, 368, 371,372, 381, 382, 387, 412, 413

~kreis, 229, 231, 232, 238, 249, 280~lastfaktor, 536~leistung, 1, 140, 156, 160, 203, 205, 209,

211, 284, 502, 509, 516, 526, 561~leitwert, differenzieller, 244-Reflexionsfaktor, 312~ruhepotenzial, 464, 467, 484~spannung, 128, 148, 186, 188, 233, 234,

247, 265, 281, 305, 318, 389, 391,469, 470, 472, 473, 475–477, 480,483, 484, 486, 492, 493, 500–503,507–509, 511, 514, 532–534, 541,543, 550, 554, 557, 561, 673, 682

~strom, 234, 241, 278, 470, 480, 504, 508,509, 557, 558, 565

~strom, maximaler, 473~stufe, 496, 504, 508, 509, 515, 516, 547,

550~widerstand, 231, 244, 298, 299, 315, 316,

344, 355, 370, 380, 472, 480, 481,497, 507–509, 516, 681

~widerstand, differenzieller, 297~widerstand, dynamischer, 370, 371

Ausgangsamplitude, maximale, 502Ausräumfaktor, 286, 287, 677Ausräumstrom, 71, 286, 287, 439, 446, 679Ausräumzeit, 72, 95, 439, 682Ausschaltverhalten, 439, 452Ausschaltzeit, 285, 287Aussteuerung, lineare, 232Aussteuerungsbereich, 90, 484, 513Aussteuerungsgrenze, 467Austrittsarbeit, 17, 74, 75, 145, 147, 357, 678Autokorrelationsfunktion, 268Avalanche Induced Migration, 587, 588Avalanche-Effekt, 62, 129, 591, 595Avalanchefestigkeit, 413Avalanche-Fotodiode, 171

BBackwarddiode, 198Bad Block Management, 599, 600Bad Blocks, 599, 600Bahn

~gebiet, 43, 391, 415, 417, 458~widerstand, 59, 84, 88, 92, 102, 185, 197,

327, 379, 382, 408, 435, 681Ball, 522, 530Band

Sachverzeichnis 691

~abstand, 6, 20, 22, 27–29, 35, 36, 65, 97,131, 137, 327–329, 678

~abstand, Temperaturabhängigkeit, 29~diagramm, 16~kanten, 16, 17, 20, 24~lücke, 15, 21, 24, 25, 27, 65, 131, 163,

277, 327, 402, 678~übergang, direkter, 24~übergang, indirekter, 24

Bänderdiagramm, 16, 328Bändermodell, 15, 24, 34, 50, 52, 194, 200bandgap, 15Bandlückenbreite, 147BARITT-Diode, 210, 211Barium, 17Bariumtitanat, 607Barren, 161Basis, V, 36, 145, 151, 192, 220–230, 232–235,

239–244, 247, 250–253, 257, 270, 272,276, 278, 280, 281, 284–288, 290–292,296–299, 306, 310, 317–321, 326–329,331, 332, 335–338, 353, 378, 394, 401,410–413, 423, 429–431, 452, 454, 458,481, 484, 510, 511, 539, 543, 545–548,551–554, 569, 588, 606, 609, 611,678–680, 682

Basisbahnwiderstand, 274, 275, 281, 284, 296,299, 317, 326, 327

Basis-Emitter-Diode, 220, 223, 239–241, 243,250, 276, 318, 332, 336, 547, 569, 588

Basis-Emitter-Verlustleistung, 252, 253Basis-Kollektor-Diode, 220, 222, 227, 240,

241, 243, 244, 250, 284, 547Basis-Kollektor-Grenzschicht, 228, 241, 353Basis-Kollektor-Spannung, 240Basisruhespannung, 234Basis-Ruhestrom, 250Basisschaltung, 229–231, 242, 243, 278, 281,

283, 290–292, 306, 307, 345, 430, 431,677, 683

Basisvorspannung, 234, 250Basisweiten-Modulation, 240Batterien, 1Bauelemente

aktive, 1, 217diskrete, 3induktive, 1lineare, 1, 2nichtlineare, 3

passive, 1Baugruppe, 1Bauteile, optoelektronische, 119Belastungsschwankungen, 128Beleuchtungsstärke, 164, 167, 168, 170, 172,

589Benzolringe, 6Bereich

aktiver, 232, 240, 241, 285, 287, 288, 320,326, 350, 353, 355, 416

Ohm’scher, 351, 353, 368parabolischer, 351

Bereiche, verbotene, 15, 533Beschleunigungsdioden, 554Besetzungsinversion, 151, 152Besetzungswahrscheinlichkeit, 18–20Besetzungswahrscheinlichkeit,

energieabhängige, 18beta cuttoff frequency, 281Betrieb, invertierender, 475Betrieb, nichtinvertierender, 475Betriebsart, 203, 204, 223, 224, 352, 376, 548,

579, 610Betriebseigenschaften, 238, 314Betriebsspannung, 120, 215, 217, 225, 241,

249, 343, 389, 460, 465, 467, 474, 475,485, 486, 509, 517, 532, 533, 538, 544,545, 551, 585, 596, 603, 611, 617, 682,683

Betriebsspannung, Abblocken, 516, 549Betriebsspannung, Schwankungen, 128, 512,

532Betriebsspannung, symmetrische, 466, 509Betriebsspannungsdurchgriff, 472, 485Betriebssperrspannung, 120, 683Betriebsstromaufnahme, 472Betriebstemperatur, 38, 179, 215, 434, 436,

486, 552, 684Betriebsverhalten, Transistorvierpol, 314Betriebsverstärkung, 476, 486, 487, 683Betriebsverstärkung, Polstelle, 493Betriebswellenlänge, 134, 684Beweglichkeit, 31, 35–37, 170, 201, 202, 225,

339, 343, 355, 369, 375, 384, 401–403BFL, 540Biasstrom, 481BICMOS, 527, 539, 558, 559, 572, 573BICMOS-Technologie, 573Bindung, kovalente, 11, 33

692 Sachverzeichnis

Bindungslücke, 33Bindungssystem, konjugiertes, 6Bipolartransistor, 217, 218, 221, 222, 245, 258,

269, 270, 282, 290, 319, 327, 331, 338,344, 353, 355, 370, 376, 377, 381, 383,384, 391, 392, 402, 405, 411, 423, 471,572

Bipolartransistor, Großsignalgleichungen, 277Bipolartransistor, rechnerische Behandlung,

276bi-stable noise, 271Bitleitung, 578, 586–588, 591, 594, 597, 601,

612, 613, 617Blockierbereich, 125Blockierbetrieb, 427, 432Blockierkennlinie, 426, 428, 433, 435Blockierrichtung, 427, 428, 436, 437, 440Blocktransfer, 624Bode-Diagramm, 491, 493–496, 498body diode, siehe Bodydiodebody effect, 361Bodydiode, 361, 386, 394Boltzmann-Konstante, 18, 27, 269, 277, 505,

679Boltzmann-Statistik, 20Boltzmann-Verteilung, 20Bonddraht, 116, 135, 646Bottom-Up-Design, 633, 634Boundary Scan, 649Bragg

-Laser, 156-Reflektor, 157-Reflexion, 157-Spiegel, 157-Struktur, 157

breakdown, 104, 121, 250, 257breakdown voltage, 104, 120, 121Brechungsindex, 137, 154Brechungsindexführung, 156Breitstreifendioden, 156Brom, 6Brückenschaltungen, 425BSIM-Modell, 378Buffer, 536, 615Buffered FET Logic, 540buffer-layer, 406, 408Bulk, 337, 342, 357, 359–361, 363, 379, 381Bumps, 523, 524Burn-In, 651

burried layer, 325Burrus-LED, 137Burst Mode, 624burst noise, 271Burst-EDO-RAM, 624Busleitung, 551Bypass-Diode, 182

CCache, 611, 624Cadmiumsulfid (CdS), 6CAD-Werkzeuge, 632, 637–639, 645CAS-before-RAS-Refresh, 622, 623case temperature, 253CAS-Zugriffszeit, 622CC-OPV, 470, 471Chalkogenide, 609, 610channel, 337Channel Hot Electron Injection, 591Channel Hot Electron Process, 591, 602Channeled Gate Array, 630CHEI, 591Chemical Vapor Deposition, 357, 360CHE-Prozess, 591, 602Chip, 133, 161, 329, 399, 471, 520, 522–524,

526, 530, 546, 550, 564, 573, 582, 586,588, 589, 592, 593, 596, 600, 603, 608,614, 615, 618, 620, 621, 623, 627–631,636, 643, 645–647, 650, 670, 673, 676

Chip Select, 550, 582Chip-Carrier, 520Chlor, 6chopper stabilized opamps, 486Chopper-Stabilisierung, 484clamping voltage, 120, 121CMOS, 329, 342, 389–391, 399, 482, 486, 500,

527, 538, 539, 543, 544, 558, 559,561–573, 590, 597, 598, 607, 609–612,642, 658, 673

CMOS-Gatter, 563, 564, 567, 570, 573CMOS-ICs, 564CMOS-Inverter, 389, 390, 565, 566, 568, 569CMOS-Schaltungstechnik, dynamische, 563CMOS-Schaltungstechnik, statische, 563CMOS-Technologie, 389, 390, 500, 561,

563–565, 598, 609, 611CMRR, 477, 478, 508, 677Column Adress Strobe, 618common mode gain, 477

Sachverzeichnis 693

common mode input resistance, 479Common Mode Rejection Ratio, 477Complex Programmable Logic Device, 653Concurrent Refresh, 622continuous current, 252, 386Control, 550Corner Analyse, 640CPLD, 653, 656, 658, 666, 670Current Controlled RF-resistor, 189current crowding, 326Current Feedback Amplifier, 470current limiter diode, 129current mirror, 512cut-off current, 242cut-off region, 223CVD-Prozess, 360CV-OPV, 470, 471Czochralski-Verfahren, 174

DDangling Bonds, 175Darlington, komplementärer pnp, 331Darlington, npn, 331, 332Darlington, Standard-pnp, 331Darlington-Schaltung, 330, 331, 549Darlington-Schaltung, komplementäre, 330Darlington-Schaltung, Standard, 330Darlington-Transistor, 330–336, 515, 549, 552Darlington-Transistor, komplementärer, 335Data Valid to End of Write, 584Datenbus, 582, 587, 599, 613–615, 625Datenbus, bidirektionaler, 614Datenleitung, 578, 613, 614, 617Datenspeicher, 575, 579–581, 585, 598Datenwort, 578, 587, 610Datenwortbreite, 578, 582Dauereffektivstrom, 441Dauerflussstrom, maximaler, 101, 679Dauergrenzstrom, 107, 441Dauerstrom, maximaler, 252, 386DBR-Laser, 156, 157DC current gain, 280DCFL, 539DC-Leerlaufverstärkung, 474, 488DDR-SDRAM, 625de Broglie, 23Debye-Länge, 43, 44, 679Defektelektron, 26Defektmanagement, 599

Defektübergang, 141Degradation, 175, 590delay time, 285delayed domain mode, 204depletion type, 340Depletionmode, 341DFB-Laser, 156, 157DGFET, 399DH-Struktur, 137, 138DIAC, 123, 124, 448Diamant, 5, 13, 28Diamond-Transistor, 471Dichteabweichung, 44Dichtefunktion, 264, 265, 680Dickfilmtechnik, 520Dickschichtschaltung, 521, 522Dickschichttechnik, 520, 521Die-Bonden, 521Dielektrizitätskonstante, absolute, 369, 384Dielektrizitätskonstante, relative, 28, 369, 384differential input resistance, 479Differenz

~ansteuerung, 479~eingang, 471, 493~eingangsspannung, 465, 487~eingangswiderstand, 472, 478, 479, 508,

681~signal, 476–478~steilheit, 470~verstärker, 463, 465, 478, 504, 508–514,

529, 542~verstärkereingangsstufe, 481~verstärkung, 469, 470, 472–474, 478, 480,

484, 508, 513, 514, 677Differenzialgleichungen, lineare, 2Diffusion, 32, 41, 47, 53, 59, 109–112, 227,

320, 325, 326, 360, 398, 406, 424, 519Diffusion, doppelte, 376Diffusion, einfache, 375, 376Diffusions

~ spannung, 57~kapazität, 60, 61, 70, 93, 95, 119, 183,

281, 318, 677~konstante, 28, 30, 31, 677~länge, 30, 44, 55, 679-Planartechnologie, 110~spannung, 43, 44, 47, 48, 52, 56, 58, 59,

67, 78, 82, 186, 355, 356, 682~strom, 31, 42, 87, 196, 678

694 Sachverzeichnis

~temperatur, 109~zeit, 109

DIMOS- Technologie, 394Diode

Avalanche-~, 129Bandgap-Referenz-~, 123bidirektionale Thyristor~, 124~clusterschaltung, 557Datenblätter, 102Dreischicht~, 123, 124Einpress~, 116Einrichtungsthyristor~, 125Flächen~, 109, 112, 114Fünfschicht~, 123, 124, 422Gleichrichter~, 80, 83, 101, 118, 212Gleichstromwiderstand, 90, 681Golddraht~, 109, 113Herstellung, 108Höchstfrequenz-~, 119ideale, 84, 86integrierte, 77Kennlinie, linearisierte, 84Klein~, 116Legierungs~, 109Leucht~, 130, 131, 143, 151~logik, 79Lumineszenz~, 130, 131Mehrschicht~, 123, 126parasitäre, 517Schalt~, 72, 96, 118, 212Scheiben~, 116Schraub~, 116Spitzen~, 109, 113Stromregel~, 129, 130Suppressor~, 119–121~tablette, 112Temperatureffekte, 97Transient Voltage Suppressor, 119Universal~, 118Verhalten, statisches, 83Vierschicht~, 123–127, 422, 459~wechselstrom, 92Wechselstromwiderstand, 90Widerstand, differenzieller, 90Zweirichtungs~, 124Zweirichtungsthyristor~, 124

diode alternating current switch, 123Diode-Transistor-Logik, 540Dipoldomäne, 204

Direct Coupled FET Logic, 539Direct Memory Access, 622Dispersion, 159, 160Distributed-Bragg-Reflection-Laser, 157Distributed-Feedback-Laser, 157DMOS-Struktur, 393, 394, 396Domäne, 202Domänengeschwindigkeit, 203, 683Domänenlöschbetrieb, 204Domänenverzögerungsbetrieb, 204Domino-Logik, 572Donator, 6, 25, 33–38, 220, 403, 680Doppelbasisdiode, 458Doppelbindung, 6Doppeldriftdiode, 209Doppelheterostruktur, 137, 155, 161Dotieren, 7, 20, 32, 173Dotierstoffkonzentrationen, 49, 112, 424Dotierung

oxidative, 6reduktive, 6resultierende, 35

Dotierungs~änderungen, 111~dichte, 42, 320, 402, 409~gebiet, 39, 40~grad, 34~profil, 56, 111, 206, 426~verlauf, 39, 40

DOVETT-Diode, 211DPRAM, 615Drahtbonden, 522, 523Drain, 337, 338, 345–350, 352–355, 359–371,

373, 376, 377, 379, 380, 385–388,391–393, 396, 398, 399, 415, 456, 561,565, 570, 586, 590–593, 595, 597, 602,679, 682

Drain-Abschnürspannung, 349, 365, 367, 371,682

Drain-Gate-Durchbruch, 350, 352, 385Drain-Gate-Durchbruchspannung, 385Drain-Pinch-off-Spannung, 349Drain-Ruhestrom, 370Drain-Sättigungsstrom, 347, 349, 352, 354,

386, 679Drainschaltung, 344, 345Drain-Source

-Durchbruchspannung, 385, 386-Durchlasswiderstand, 376

Sachverzeichnis 695

-Leckstrom, 387-Sättigungsspannung, 353-Spannung, 338, 347, 348, 350, 355, 364,

365, 369, 371, 373, 380, 386, 388,415, 561, 591, 592

-Strecke, 338, 350, 362, 363, 373, 377, 385,565

-Widerstand, dynamischer, 355Drain-Source Pinch-off Voltage, 365, 367, 371Drain-Sourcespannung, maximale, 351Drainstrom, maximaler, 387Drainstrom, minimaler, 387DRAM, 604, 608, 616–618, 620–626DRC, 644Dreischichtstruktur, 68Drift

~beweglichkeit, 31~geschwindigkeit, 201, 402~kompensation, 483~strom, 31~zone, 206–208, 408, 411, 414

Drive-R-Amplifier, 471DSM-Laser, 156DTL, 539–542, 546, 554DTLZ-Logik, 542Dual-Gate MOSFET, 399, 400Dual-Port-RAM, 615Dunkelstrom, 163, 164, 170Dünnfilmtechniken, 145Dünnfilmtransistoren, 148Dünnschichttechnik, 405, 521Dünnschichttransistoren, 405Dünnschichtzellen, 175Durchbruch, 61–63, 65, 67, 68, 80, 83, 101,

102, 125, 127, 129, 224, 240, 243,250–252, 257, 350, 352, 385, 386, 393,407, 542, 569, 588, 596

Durchbruch 2. Art, 252, 257Durchbruch l. Art, 252Durchbruch, reversibler 1., 102Durchbruch, zeitabhängiger, 595Durchbruchbereich, 72, 73, 80, 81, 83, 101,

127, 129Durchbruchkennlinie, 127Durchbruchsladung, 596Durchbruchspannung, 62–66, 73, 83, 87, 96,

100, 101, 104, 114, 115, 118–120, 123,127, 129, 171, 198, 243, 244, 251, 329,

385, 386, 398, 413, 426, 433, 448, 569,596, 682

Durchbruchvorgänge, 65Durchgreifeffekt, 68Durchgreifspannung, 68, 240Durchgriff, 62, 67, 68, 407, 408Durchgriffspannung, 68Durchlass

~bereich, 59, 69, 72, 82, 84, 86, 87, 91, 93,95, 99–102, 113, 125, 126, 196, 198,226, 234, 285, 286

~betrieb, 55, 60, 114, 130, 191, 223, 415~kennlinie, 88, 123, 224, 426, 428, 432, 434~strom, 59, 68, 69, 73, 80–82, 88, 94, 95,

98, 103, 123, 125–127, 138–140,196, 226, 346, 679

~strom, temperaturabhängiger, 98~verzögerungszeit, 93~verzugszeit, 94~widerstand, 68, 113, 114, 118, 297, 299,

392, 396, 397, 408–410, 419, 456~zustand, 123, 239, 286, 410, 411, 413,

435, 450, 458Durchlaufverzögerungszeit, 658Durchschaltzeit, 439, 682Dynamic Random Access Memory, 616

EE2PROM, 592Early-Effekt, 241, 277, 290, 299, 349, 355, 365,

371, 511Early-Spannung, 240, 241, 244, 276, 328, 335,

336, 355, 371, 373, 374, 683Ebers-Moll-Modell, 290–293Eckfrequenz, 488ECL, 527, 538, 539, 542–544, 555, 558, 572,

573, 658, 659, 663ECL-Schaltkreise, 542, 544, 555Edelgaskonfiguration, 15EDO-RAM, 624EEPROM, 582, 583, 592, 593, 595–597, 631,

663, 675, 676Effektivwert, 266, 267, 271, 434, 441Eigenhalbleiter, 27Eigenleitung, 17, 22, 26, 36, 37, 39Eigenleitungsbereich, 37Eigenleitungsdichte, 27, 29, 35, 40, 680Eigenleitungskonzentration, 55Eigenschaften, dynamische, 224, 419, 437

696 Sachverzeichnis

Eigenschaften, statische, 224Eigenschwingungen, 21Eindringtiefe, elektrisches Feld, 44Einfachbindung, 6Eingangs

~fehlspannung, 473, 484~fehlstrom, 482, 483~gleichtaktspannung, 476, 477~impedanz, 197, 317, 345~kapazität, 382, 383, 390, 479, 568~kennlinie, 224, 234–236, 238, 250, 305,

352, 353, 368~kennlinienfeld, 234, 237, 248~klemmdioden, 547~kreis, 229, 232, 234, 249, 250, 304, 305,

389~lastfaktor, 535~leistung, 1, 165, 284~rauschleistung, 273-Reflexionsfaktor, 312~ruhestrom, 473, 481, 483, 508~schutz, 398, 517-Schutzschaltung, 568, 569~schwellenspannung, 533~spannungsdifferenz, 469, 470, 473~stufe, 392, 481, 484, 496, 508, 509, 515~widerstand, differenzieller, 225, 297

Einmodenspektrum, 159Einpulsschaltung, gesteuerte, 442Einraststrom, 434, 445Einrichtungs-Thyristortetrode, 448Einrichtungs-Thyristortriode, 422Einsatzspannung, 362Einschalt

-Basisstrom, 286~stromsteilheit, kritische, 435~verluste, 437~verzögerung, 285, 287~verzugszeit, 438~vorgang, 69, 96, 438, 454, 456~widerstand, 373, 376, 417, 681~zeit, 94, 255, 285, 287, 682~zeitkonstante, 286

Einschnürung, 252Einschwingzeit, 502, 503, 682Einstein-Beziehung, 31Eintaktendstufe, 509Einzelatom, 13–15

Einzeltransistoren, 220, 319, 321, 331, 332,335, 337, 381, 385–387, 464, 555, 643

Electrically Erasable PROM, 592elektrisches Feld, Stärke, 17Elektrolumineszenzstrahler, 131Elektron

Masse, durchschnittliche effektive, 28Ruhemasse, freies, 29, 680

Elektronen~bahnen, 14~beweglichkeit, 28, 369, 402, 403, 684~dichte, 27, 35, 38, 59, 359, 402, 680~fehlstelle, 26heiße, 119~lawine, 62~lücke, 26~paarbindung, 11, 12-Sättigungsgeschwindigkeit, 203~schalen, 15~strom, 59, 78, 226, 228, 241, 244, 327,

410, 449~volt, 17

Elektronengas, zweidimensionales, 403Elektronentransfer-Bauelemente, 200Elektron-Loch-Plasma, 410Element, 5, 32, 33, 203, 409, 423, 450, 567,

605, 637Elementarereignis, 261Elementarladung, 165, 339, 678Elementarteilchen, 18, 192Emission, stimulierte, 151Emissionskoeffizient, 86, 99, 680Emitter, 132, 145, 161, 220–226, 228–230,

232–235, 239–241, 243, 244, 247,250–252, 257, 270, 279–281, 285, 286,291, 293, 296–298, 304, 306, 307,317–321, 323, 324, 326–328, 331, 332,335–338, 406, 410–413, 429, 431, 432,454, 458, 460, 510, 511, 513, 514, 539,542, 543, 546, 548, 552–554, 558, 679,680, 682

Emitterbahnwiderstand, 295Emitter-Basis-Durchbruchspannung, 250, 682Emitter-Basis-Grenzschicht, 227, 240Emitter-Basis-Reststrom, 243, 679Emitterdiode, 220, 222–224, 228, 291, 299Emittereffizienz, 327Emitter-Injektionswirkungsgrad, 327Emitterrandverdrängung, 326, 327

Sachverzeichnis 697

Emitterreststrom, 243Emitterschaltung, 223, 224, 229–231, 233, 234,

239, 240, 242–246, 248, 249, 277,280–284, 292, 299–306, 309, 310, 317,318, 344, 345, 383, 513, 514

Emittersperrschichtkapazität, 285, 677Empfindlichkeit, spektrale, 166Enable, 550, 582, 614Endstufe, 508, 515, 554, 555Endurance, 590, 600Energie

~abstand, 16, 146, 678~bänder, 15~linien, 9, 15~niveau, 9, 14, 15, 21, 24, 34, 35, 64, 131,

141, 151, 175, 194, 196, 678potenzielle, 9, 20~quantelung, 192~werte, 9, 14, 18, 20, 22, 201~zufuhr, 9, 21, 26, 33–36, 193

ENFET, 404enhancement type, 340Enhancementmode, 341Entkoppelkondensator, 549Entladungen, statische, 338, 344Entwurfsablauf, 632, 637, 638Enzym-FET, 404Epitaxial-Planartechnik, 110, 131Epitaxialschicht, 131Epitaxialtechnik, planare, 320, 323Epitaxie, 32, 109–111, 320, 321, 325, 326, 407,

648Epitaxie-Insel, 325, 326EPLD, 653, 656EPROM, 531, 583, 588–590, 592–595, 597,

598, 631, 670, 674–676Erasable Programmable Logic Device, 653ERC, 644Ereignis, 261–263Ereignisse, günstige, 263Ergebnismenge, 261Ergebnisraum, 261, 262Erholungszeit, 96, 386, 394, 682Erholzeit, 72, 96, 504, 620, 682Ersatzschaltung, formale, 289, 301Ersatzschaltung, physikalische, 289Erwartungswert, 259, 264–266, 504, 683Esaki-Diode, 198Esaki-Strom, 196

ESAKI-Tunneln, 196ESD-Schutz, 399ETOX-Zelle, 602Evaluierungsphase, 571Exemplarstreuungen, 126, 130, 139, 302, 344,

435, 474, 532Exziton, 135, 146, 147

FFabry-Perot-Laser, 154, 156Fabry-Perot-Resonator, 156fall time, 285FAMOS-Transistor, 590, 591Fan-In, 535, 548Fan-Out, 536, 548Farbtemperatur, 133FAST-Baureihe, 556Fast-Page-Mode, 624fast-recovery diode, 212FCT, 456, 457, 558, 559FeFET, 608Fehlerarten, 647Fehlerwahrscheinlichkeit, 259, 602Feldeffekttransistor, 20, 337, 338, 344, 352,

384, 391, 456, 608Isolierschicht-~, 339MOS-~, 339, 359, 410organische, 6Sperrschicht-~, 339

Feldemission, innere, 64Feldempfindlichkeit, 215Feldoxid, 360, 587Feldstärkedurchbruch, 68, 408Feldstrom, 31, 54, 679Fenster, eingeätzte, 131Fermi

-Dirac-Verteilung, 18, 20-Niveau, 17–20, 51, 74, 678-Statistik, 15-Verteilungsfunktion, 18

Ferroelectric Random Access Memory, 606Ferroelektrika, 606Festkörper, 15, 18, 19, 147, 175Festkörperphysik, 22, 146, 686Festwertspeicher, 585, 587, 588, 592FET, ionensensitiver, 403FETs, Logic Level, 398Field Programmable Devices, 652Field Programmable Gate Array, 653, 670

698 Sachverzeichnis

Field Programmable Logic Array, 652Field-Controlled Thyristor, 456Firmware, 585, 598, 671, 674Flachbandfall, 357, 362, 366Flächenbedarf, 175, 419, 545, 560, 562, 597,

639Flächendioden, 109, 112, 114Flächenstrahler, 135, 136, 138Flankensteilheiten, 536Flash-EEPROM, 596, 597Flash-EPROM, 583, 596, 674, 676Flash-Speicherzelle, 597, 599, 663, 666flicker noise, 271Flip-Chip-Bonden, 523, 524Flipflop-Technik, 577Floating Gate, 570, 590–592, 594–597, 599,

602Floating Gate-EEPROM, 594Floorplanning, 641FLOTOX-EEPROM-Zelle, 597FLOTOX-Speicherzelle, 594, 595Flussbereich, 72, 77, 93, 95Flussbetrieb, 84, 85, 440Flüssigkristall-Flachbildschirme, 405Flussspannung, 58, 60, 82, 86, 87, 96, 196, 409,

428, 459, 541, 565, 569, 682Flussstrom, 58, 138, 352, 409Formierungsstromstoß, 113forward region, 222Fotodiode, 143, 161–165, 167–172, 178Fotoeffekt, 162Fotoelement, 167, 168Fotolack, 109, 326Fotolackmaske, 111Fotostrom, 164, 165, 167, 168, 181Fotovoltaikanlagen, 168, 174Fowler-Nordheim-Tunneleffekt, 594, 602Fowler-Nordheim-Tunnelung, 597FPGA, 653, 656, 670–676FPGAs, reprogrammierbare, 671FPLA, 652FRAM, 606–609FRAM-Zelle, 608, 609FREDFET, 398Freigabeeingang, 551Freilaufdiode, 80, 182, 361, 394, 406, 415–418,

449Freiwerdezeit, 434, 440, 441, 446, 449Fremdatome, 12, 25, 32, 34, 109, 141, 174, 320

Frenkelexziton, 146Frequenz

~abstimmung, 80, 186, 187kritische, 493~modulation, 183, 186~vervielfachung, 183

Frequenzgang, 473, 487–490, 492, 496, 498,499, 502

Frequenzgangkorrektur, 465, 487, 490, 491,494–496, 499, 501, 517

Frequenzgangkorrektur, angepasste, 498Frequenzgangkorrektur, universelle, 498Frequenzkompensation, 473Fresnelreflexion, 154Full Power Bandwidth, 502, 503Full-Custom-ASIC, 629, 633Full-Custom-Entwurf, 629, 630, 634Füllfaktor, 180, 181Funkelrauschen, 259, 271, 504, 505Funktionsersatzschaltung, 289, 299, 300Funktionsspeicher, 575Fusable Links, 587, 653Fuse-Technik, 587, 588

GGA, 576GaAs-MESFET, 400–402gain-bandwidth-product, 282gain-guiding, 156Gajski-Diagramm, 635GAL, 653, 655, 656, 663–665Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs), 132Galliumarsenid (GaAs), 6, 132Galliumarsenidphosphid (GaAsP), 132Galliumnitrid (GaN), 132Galliumphosphid (GaP), 132Galliumsulfid (GaS), 6Galliumtellurid (GaTe), 6Gate, 129, 337–341, 344, 346, 347, 349, 350,

355, 357–359, 362–369, 372, 373, 377,379, 382–388, 390–392, 396, 397,399–401, 403, 405, 406, 410, 411, 413,417–419, 421, 423, 426–428, 430, 434,435, 439, 443, 445, 446, 448, 450,452–458, 461, 531, 564, 568, 570, 571,576, 586, 590–595, 597, 599, 601–603,608, 616, 629–631, 634, 642, 653, 682,686

-Abschnürspannung, 347, 366, 682

Sachverzeichnis 699

-Drain-Kapazität, 384-Gleichstrom, 341-Isolierung, 340-Kanal-Sperrschicht, 346~kapazität, 344, 362, 383, 384, 416, 677~ladungsdiagramme, 418~länge, 383, 384~oxid, 357, 360, 362–364, 403, 568-Oxidschicht, 369, 384-Pinch-off-Spannung, 347~schaltung, 345, 399-Strom, 346, 434

Gate Array, 531, 576, 629–631, 634, 653Gate Turn Off Thyristor, 435Gate-Commutated Thyristor, 457Gate-Source Pinch-off Voltage, 366Gate-Source-Durchbruch, 377, 385, 682Gate-Source-Durchbruchspannung, 377, 385,

682Gate-Source-Kapazität, 382, 383Gate-Substrat-Durchbruch, 568Gatteräquivalente, 671, 672GCT, 457Gegenkopplung, 303, 318, 336, 390, 472, 474,

476, 480, 481, 485–491, 493, 496, 497,506, 507, 513, 514

Gegenkopplung, elektrische, 376Gegenkopplung, thermische, 356, 376Gegenkopplungsfaktor, 480, 486, 487, 679Gegenkopplungswiderstände, 482, 514, 517Gegentakteingangswiderstand, 478Gegentaktendstufe, 391, 508, 509, 548, 549,

551Gegentaktschaltung, 389Gegentaktsignal, 478Gehäusebauformen, 116, 117, 323Gehäusetemperatur, 253, 255, 387, 681Generation, 22, 26, 30, 55, 86, 163, 164, 175,

272, 596, 603, 624, 649Generationsenergie, 27Generic Array Logic, 653Geometriedomäne, 636Geometriefaktor, 369Geradeausverstärkung, 507Gesamtverlustleistung, 252Geschwindigkeit, mittlere, 31GG-Laser, 156Giacoletto-Ersatzschaltbild, 317Giant Magneto Resistance Effekt, 604

Gipfelspannung, 459–461Gipfelstrom, 459Gitterbaufehler, 30Gitterfehler, 32, 141Gitterschwingungen, 22, 26, 131, 355, 375Gitterstörungen, 25Glas, 13, 116, 145, 175, 521Gleichanteil, 92, 259, 266, 267, 444Gleichgewicht, 26, 42, 59

thermodynamisches, 17–19, 26, 27, 39Gleichrichter, 80, 96, 106, 190, 442Gleichrichterdioden, 80, 83, 101, 118, 212Gleichrichterzelle, steuerbare, 421Gleichspannungsaussteuerung, 478Gleichstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 295,

379Gleichstromverstärkung, 224, 229, 245, 280,

430, 431Gleichstromverstärkungsfaktor, 223, 229, 276,

278, 286, 677Gleichtakt

~aussteuerbarkeit, 466, 473~aussteuerung, 476, 482, 511~betrieb, 476, 477~eingangswiderstand, 473, 478, 479, 508,

681~signal, 477, 478~spannung, 476, 478, 509, 511~unterdrückung, 473, 476–478, 507, 508,

511, 512, 677~verstärkung, 476–478, 683

Glue Logic, 598, 599Golddrahtdiode, 109, 113Grabenstrukturen, 392Gradationsexponent, 56, 680Granularität, 671, 673Grenzdaten, 100, 103, 250, 384, 387Grenzfläche, 131, 154, 214, 362, 363, 391, 403,

593, 594, 596Grenzfrequenz, 36, 140, 170–172, 185, 197,

199, 231, 281, 282, 284, 296, 320, 328,345, 383, 384, 472, 473, 488–490, 495,501, 507, 508, 678

Grenzlastintegral, 107, 442Grenzschicht, 42, 47, 49, 52, 53, 59, 65, 225,

296, 327, 358, 359, 363, 364, 446, 593,594

Grenzspannungen, 100, 250, 384Grenzströme, 100, 101, 250, 252, 384, 386

700 Sachverzeichnis

Grenzwerte, 68, 106, 141, 215, 238, 240, 243,256, 257, 436, 532, 533

Großsignal~aussteuerung, 224, 225, 501-Bandbreite, 502, 503~betrieb, 289, 472~gleichungen MOSFET, 371~modelle, 290~stromverstärkung, 229~verstärkung, 229

Grundmaterial, 110, 133, 136, 319, 345, 359GTO, 435, 450, 452GTO-Thyristoren, 450, 457Gummel-Plot, 277Gummel-Poon-Modell, 290, 294, 295, 377Gunndiode, 199, 200, 202, 205, 206Gunn-Effekt, 199, 200, 205Gunn-Element, 200, 202–204, 209Gunnoszillator, 205Güte, 181, 183–187, 680

HHaftfehler, 649Haftstellen, 25, 593, 594Halbbrücken, 425Halbleiter, V, 1, 5–7, 17, 18, 20–22, 24–27,

29–39, 42, 44, 52, 54, 66–68, 73–75,108–111, 123, 131, 136, 143, 146, 162,165, 189, 193, 199, 200, 327, 329, 337,340, 357, 359, 363, 402, 405, 422, 428,471, 520, 586, 588, 593, 686, 687

~block, 42direkte und indirekte, 22~drucksensoren, 339eigenleitend, 20Element~, 5, 13, 26, 33entartete, 34I-III-VI-~, 6III-V-~, 6, 33, 199III-VI-~, 6II-VI-~, 6, 199intrinsischer, 27~Laser, 6, 36, 155Leitfähigkeit, spezifische, 31-material, 1, 5, 35, 36, 38, 68, 78, 114, 131,

134, 138, 175, 225n-leitend, 20-Oberfläche, 17, 74, 136organische, 6

p-leitend, 20~scheibe, 108–110, 320, 439~tablette, 115~träger, 77, 220, 337Verbindungs~, 6, 13, 25, 26

Halbleiterspeicher, 531, 575, 577Halbwertsbreite, 134, 159, 678, 684Haltespannung, 123, 124, 126, 426, 432, 447,

682Haltestrom, 123, 126, 127, 426, 432, 434, 435,

443, 445, 447, 450, 569, 679Häufigkeit, absolute, 262, 680Häufigkeit, relative, 262, 263, 678HD-Struktur, 136HE-Degradation, 595Helligkeitsmessung, 168HEMT, 330, 401–403Heterojunction, 327Heterojunction-Bipolartransistor, 327Heterokontakt, 402Heterostruktur, 137, 327, 402Heteroübergang, 327, 328, 402HEXFET, 396HF-Schalter, gleichspannungsgesteuerter, 191Hidden-Refresh, 623High Electron Mobility Transistor, 330, 401high side switches, 398Highside-Schalter, 399High-Speed-CMOS, 527, 557High-Speed-TTL, 552Hilfsbatterie, 585Hilfsenergiequelle, 1, 217Hochfrequenzanwendungen, 113, 336, 403Hochfrequenzschwingungen, parasitäre, 377Hochinjektion, 294Höchstfrequenzelektronik, 401Höckerspannung, 459Höckerstrom, 197, 679Hohlraumresonator, 203, 209, 211Hold-Time, 537, 585HOMO, 146, 147Homo-Dioden-Struktur, 136HOMO-LUMO-Abstand, 147HOMO-LUMO-Lücke, 147Homostruktur, 136Hot Spots, 257Hot-Carrier-Diode, 118h-Parameter, 280, 302–310, 314h-Parameter, aus Kennlinien, 304

Sachverzeichnis 701

h-Parameter, Umrechnung, 306, 307Hubdiode, 541Hybrid

~darstellung, 301--Modell, 317~parameter, 302, 303~schaltung, 520~technik, 520

Hyper Page Mode DRAM, 624Hystereseschleife, 606, 608, 609

II2L, 539Idealitätsfaktor, 86IGBT, 405–418, 685–687IGBT-Konzepte, 407IGCT, 457IG-Laser, 156IMPATT-Diode, 205, 206, 209, 211Impuls, 23–25, 100, 101, 120, 131, 192, 193,

284, 446, 448, 680~änderung, 25~belastbarkeit, 119, 120~raum, 22, 24~unschärfe, 193~verbreiterung, 160

impulse noise, 271index-guiding, 156Indiumantimonid (InSb), 6Indiumgalliumnitrid (InGaN), 132Indiumphosphid (InP), 6, 200Indiumsulfid (InS), 6Induktivitäten, 2, 213, 269, 440, 516, 523, 526Influenzladung, 359Influenzwirkung, 368Infrarot-Bereich, 132Injektion, hohe, 410Injektionsstrom, 545Injektionstransistoren, 545input bias current, 481input noise current density, 505input noise voltage, 505input noise voltage density, 505input offset current, 483input offset voltage, 484Instabilität, thermische, 414integral diode, 394integrated circuit, 108, 320Integrated Gate-Commutated Thyristor, 457

Integration, hybride, 520Integration, monolithische, 519, 524Integrationsgrad, 526, 555, 560Integrierte Injektions-Logik, 539, 545Intensitätsmaximum, 134Intensitätsmodulation, 140Interdigitalstruktur, 296, 327Interdigitaltransistor, 327Interface-Schaltungen, 536Interleave-Mode, 624interstitiell, 32Intrabandimpulsrelaxationszeit, 201intrinsic stand-off ratio, 459Intrinsic-Leitung, 26Intrinsic-Zone, 171, 172intrinsisch, 189, 402Inversbetrieb, 222, 224, 290–293, 320, 361,

547, 548Inversdiode, 394, 406, 414Inversion, schwache, 363Inversion, starke, 364Inversions

~dichte, 27~kanal, 363, 364, 371~schicht, 357, 359, 362, 364, 365, 593~zone, 371

Inversleitfähigkeit, 414Inverter, 390, 497, 537, 545, 561, 562,

564–566, 572Iod, 6Ionen, ortsfeste, 53Ionenimplantation, 32, 109, 111, 320, 360, 394,

398, 555Ionenkonzentration, 403Ionenstromdichte, 112Ionisationsrate, 206, 207, 683Ionisierung, 36ISFET, 403, 404Isolationsstrom, 352Isolator, 5, 20–22, 36, 42, 193, 340, 357, 362,

363, 593, 594, 604, 605Isolierschicht-FET, 340

JJEDEC-Files, 659Johnson noise, 269junction, 42, 103, 104, 107Junction-FET, 340, 345

702 Sachverzeichnis

KKanal, 337, 338, 340–343, 345–350, 352,

355–357, 359–372, 376, 378, 379,385–388, 390, 391, 393, 394, 396, 398,400–403, 406, 407, 410, 411, 413, 418,428, 439, 453, 454, 510, 514, 527, 539,561–564, 567, 568, 570–572, 586,591–593, 595–598, 602, 611, 625

~abschnürung, 365~dicke, 351~dotierung, 351, 402~länge, 351, 368, 369, 384, 394, 396, 402,

679~längen-Modulation, 371, 372, 684-Leitwert, 369~querschnitt, 347, 363, 365, 366~querschnitt, ungleichmäßiger, 365, 367~verdrängung, 366~widerstand, 338, 347, 366, 376, 377, 389,

419Kantendefekte, 110Kantenstrahler, 135, 137, 138, 155, 158Kapazitäten, 2, 183, 281, 288, 290, 295, 317,

320, 378, 379, 390, 417, 487, 490, 500,519, 526, 537, 555, 563, 564, 566, 570,571

Kapazitätsdiode, 56, 80, 182, 183, 185–187,556

Kapazitätskoeffizient, 56, 680Kaskodeschaltung, 399, 400Kathode, 77, 79, 116, 117, 125, 126, 130, 131,

135, 145–147, 200, 202, 421, 423,425–428, 434, 435, 445, 449, 450, 453,455–457

Kenngröße, statische, 224Kennlinie, 1–3, 55, 77, 79–82, 86, 87, 90, 113,

123–128, 138, 140, 152, 158, 160, 163,167–169, 178, 179, 181, 195, 196, 202,204, 206, 224–226, 231, 234, 237, 238,240, 241, 244, 246–249, 251, 252, 289,296, 299, 304, 351, 352, 355, 356, 361,368, 372, 373, 378, 412, 414, 422, 426,432, 433, 435, 446, 447, 451, 459, 461,477, 485, 509, 514, 532, 562

Kennlinie eines Bauelementes, 90Kennlinie, statische, 140, 224Kennlinienfelder, 234, 368Kennwerte, 107, 127, 134, 138, 141, 170, 180,

238, 260, 265, 266, 434, 436, 507, 508,

527, 532, 536, 538, 551, 555, 557, 658,659, 663

Keramiksubstrat, 521, 523Kippspannung, 123, 124, 126, 127, 433, 437,

438, 447, 448, 682Kippspannungsdifferenz, 127Klammerdiode, 119Kleinsignal

~ausgangswiderstand, 244, 297, 370, 371,681

~ausgangswiderstand, differenzieller, 380,381

~aussteuerung, 91, 92, 224, 302, 501~betrieb, 252, 289, 297, 300, 383~eingangswiderstand, 237, 297~ersatzschaltbild, 190, 196, 298–300, 379~gleichungen, 297, 298, 301, 380~größe, 225, 488, 501, 502-Kurzschluss, 386~modell, dynamisches, 288, 381, 382~modell, statisches, 93, 295, 296, 379~parameter, 289, 297, 298~stromverstärkung, 224, 245, 274, 275, 278,

280, 297~verhalten, 90, 295, 335, 379, 381, 637~verstärker, 238-Vorwärtssteilheit, 351

Klemmspannung, 120, 682Klirrfaktor, 231, 300, 381, 679Knickfrequenz, 488, 490, 495Kniespannung, 130, 241, 353, 365, 371, 682Kohlenstoff, 5Kohlenwasserstoff, polyzyklischer

aromatischer, 6Kollektor, 220–226, 228–234, 238–245, 247,

250–253, 257, 272, 278, 280, 281,285–288, 291, 293, 297–300, 304,317–321, 323, 324, 328, 331, 336–338,353, 394, 406, 409–411, 413–415, 418,423, 429–431, 509, 510, 522, 545, 548,550, 553, 678–680, 682

~bahnwiderstand, 296~diode, 220, 222–224, 228, 281, 291, 292~restspannung, 241~reststrom, 243, 277~schaltung, 229, 231, 280, 306, 307, 345,

684~sperrschichtkapazität, 285, 286, 677

Sachverzeichnis 703

~strom, 223, 228–230, 232, 233, 236–239,241–243, 245, 246, 251, 257, 273,274, 277–280, 282, 283, 285–287,293, 304, 328, 332–335, 338, 410,413–415, 423, 430, 454, 510, 514,545, 554, 678

~stromschweif, 418Kollektor-Basis

-Durchbruchspannung, 250, 682-Grenzschicht, 240-Reststrom, 226, 243, 678-Spannung, 228, 250

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, 243, 251, 682-Reststrom, 243, 244, 413, 678, 679-Sättigungsspannung, 223, 241, 293, 336,

414, 682-Spannung, 234, 238, 239, 241, 245, 247,

251, 252, 293, 297, 298, 304, 338,353, 413–415, 418

-Verlustleistung, 252Kommutierung, 439Kommutierungsdiode, 386Kommutierungsspannung, 415, 417Komparator, 472, 476Kompensation, äußere, 495Kompensation, innere, 495Kompensationskapazität, 497Kompensationsstrom, 485Komplementärtechnik, 342Komplementär-Transistoren, 219Kondensatoren, 1, 217, 269, 471, 516, 526,

607, 620Konfiguration, 604, 643, 670, 671, 675, 676Konstantstromquelle, 129, 138, 181, 250, 510,

512, 543Kontakt, Ohm’scher, 75, 115Kontaktierung, 109, 112, 173, 296, 357, 396,

457, 523, 644Koppelstufe, 508, 514–516Kopplung, 15, 305, 463, 591Korrekturfaktor, 86, 87, 680Korrekturkapazität, 497, 498Kristall, 5, 15, 16, 26, 27, 33, 113, 133, 135,

136, 155, 158, 169, 175, 201, 320, 360,546

~defekte, 25~gitter, 6, 11, 13, 15, 17, 22, 28, 32, 33,

109, 127, 131, 141, 175, 201, 320

~struktur, 13, 15, 65, 174, 606, 607, 610~temperatur, 27, 681

Kühlkörper, 116, 253–255, 322, 425, 500Kühlung, 66, 116, 161, 253, 425, 564Kunststoff, 6, 116, 145Kupferindiumdiselenid (CuInSe2), 6Kupferindiumgalliumsulfid (CuInGaS2), 6Kupferplumbid (CuPb), 132Kurzkanaleffekte, 378Kurzschluss

~betrieb, 167, 168~festigkeit, 419, 516~sicherung, 504~strom, 168, 170, 176, 180, 181, 412, 536,

679~stromverstärkung, 280

LLadungspumpe, 399Ladungsspeicherungsdiode, 212Ladungssteuerungstheorie, 294Ladungsträger, 17, 20, 24, 26, 28, 30, 31,

33–37, 39–43, 52, 53, 59–62, 64, 67, 68,70, 94, 115, 140, 141, 146, 147, 164,166, 170, 175, 183, 189, 190, 201, 206,210–212, 214, 215, 218, 220, 225, 226,228, 234, 241, 258, 269, 270, 281,285–287, 320, 335, 337–340, 346, 353,355, 357, 358, 361, 364, 365, 369, 375,384, 402, 418, 431, 435, 440, 446, 451,455, 457–459, 548, 554, 599, 601, 603,684

~dichte, 37, 38, 42, 43, 59, 63, 130, 155,402

~dichte, intrinsische, 27, 38~injektion, 409~inversion, 363, 364~lebensdauer, 30~zahl, 37, 409

Lambertstrahler, 138Langzeitdrift, 485, 486Large Scale Integration, 526large signal frequency response, 502Laser

~bedingung, 151, 155~diode, 148, 151, 158–162~licht, 151, 157~methode, 156~schwelle, 152

704 Sachverzeichnis

~strahlung, 155, 158Last

~faktoren, 535~gerade, 249, 250, 257, 561~kapazität, 390, 391, 538, 549~minderungskurve, 253, 254, 387~strom, nichtlückender, 415~widerstand, 168, 179, 232, 249, 315, 316,

380, 474, 561, 562, 565, 611, 681~zeitkonstante, 415

latch-up, 410–412, 419Latch-up-Effekt, 569, 570Lateraltransistor, 324Laufzeitdiode, 209, 210Laufzeitmodus, 202Lawinendurchbruch, 62, 63, 66, 120, 206, 208,

257Lawineneffekt, 62–66, 129, 172, 206, 209, 211,

252Lawinen-Fotodiode, 171, 172Lawinenlaufzeitdiode, 206Lawinenmultiplikation, 206, 207Lawinenzone, 207, 208LCD, 148LDMOS-FET, 397LDMOS-Struktur, 398leakage current, 120, 121Lebensdauer, 30, 115, 138, 140, 143–145, 147,

189, 190, 212, 213, 445, 590, 595, 596,676, 684

Leckstrom, 362, 375, 387, 445, 565LED, 130, 131, 133–135, 138–140, 143, 146,

151, 155, 158–161flächenemittierende, 136SMD-~, 133weiße, 133

Leerlaufspannungsverstärkung, 469, 473, 474,476, 486, 490, 495, 507–509, 683

Legierungstechnik, 108, 109, 319Leistungs

~anpassung, 168, 179, 180, 244~anschlüsse, 425~bandbreite, 502~dichte, spektrale, 267, 268~dichtespektrum, 267, 268, 504~dioden, 69, 72, 80, 82, 84, 109, 112, 115,

116~endstufe, 509~gleichrichter, 119

~module, 414, 418-MOSFET, 343, 373, 385, 389, 392, 393,

395, 406, 409, 410~schalter, 397, 399

Leitband, 16, 28Leitfähigkeit, 7, 8, 21, 27, 31, 32, 34, 36, 110,

189, 214, 220, 327, 338, 340, 347, 355,362, 372, 399, 402, 414, 415, 454, 458,590, 596, 604, 609, 684

Leitfähigkeitsmodulation, 458, 459Leitung, extrinsische, 32Leitungsband, 6, 16–22, 24–28, 34, 36, 64, 65,

131, 141, 146, 164, 195, 196, 200, 201,604, 678, 680

Leitungsbandkante, 17, 18, 21, 34, 51, 678Leitungselektronen, 16, 24, 175, 196Leitwertmodulation, 416Leitwertparameter, 309Leseverstärker, 587, 608, 611, 617–621, 662Lesevorgang, 577, 584, 602, 605, 608, 612,

615, 620Lese-Zykluszeit, 584, 681Leuchtdiode, organische, 143, 144Leuchtdiode, Standard-~, 135Leuchtdioden, 25, 36, 132, 133, 138, 140, 144,

550Licht

~empfindlichkeit, 164, 170~farbe, 131, 133~farben, 132~intensität, 164, 172kaltes, 138~leistung, emittierte, 161~leitfaser, 155monochromes, 138~quant, 22, 130, 177ultraviolettes, 589, 592~verstärkung, 155

Light-Triggered Thyristor, 455limited space charge accumulation mode, 203linearer Mittelwert, 265Linearität, 1–3, 188, 373, 374Linearitätsrelation, 2Linienbreite, 134, 155, 159, 684Linse, 132, 138, 159liquid crystal display, 148Loch, 20, 22, 24, 26, 33, 34, 60, 130, 141, 146,

147, 163–166, 172, 175, 206, 363Löcher

Sachverzeichnis 705

~anteil, 223, 227, 239~dichte, 27, 35, 359, 680~leitung, 33~sperrstrom, 227~strom, 59, 224, 226, 328, 412

Logik, langsame störsichere, 542Logik, positive, 541, 543Logik, ungesättigte, 288, 544Logikblock, 671, 672Logikschaltungen, 118, 344, 401, 545, 546,

564, 629Lookup Tables, 672, 674Löschen, 123, 421, 435, 589, 592–594,

596–600, 602, 676Low-Power-Schottky-Technologie, 552Low-Power-Schottky-TTL, 553, 554, 556Low-Power-TTL, 552Low-Voltage-TTL, 557LSA-Betrieb, 203–205LSI-Schaltungen, 526LSL, 542LSL-Technik, 542LSTTL, 553LTT, 455, 456Luftmasse, 177Lumineszenz, 77, 131LUMO, 146LVS, 644

MMagnetdiode, 214, 215Magnetic Random Access Memory, 603Magnetic Tunnel Junction, 604Magnetowiderstandseffekt, 603Magnetwiderstand, 603Majoritätsträger, 33, 40, 42, 53, 58, 67, 198,

340, 359, 363, 410Makropotenzial, 16, 17, 684Makrozellen, 631, 653, 656, 663, 666, 667, 669Maskenfenster, 112Masken-ROM, 586–589Masse, effektive, 20, 201, 680Massenwirkungsgesetz, 27Masserückleitpfade, 549Master Mode, 675Materialien, amorphe, 13Materialkonstante, 17, 339Materiewelle, 193Maximum Power Point, 178–180

MCM, 520, 525MCT, 452–455MCT-Zelle, 453Medium Scale Integration, 526Mehrschichtdioden, Kennwerte, 127Mehrsegmentanzeigen, 142Memory Address Register, 579Memory Data Register, 579Merkregel, 26, 135, 230Mesatransistor, 319, 320MESFET, 400, 403Mesh-Zahl, 521Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 401Metallatom, 21Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, 400Metall-Halbleiterkontakt, 19Metall-Halbleiter-Übergang, 56, 113, 118, 401Metallisierung, 110, 648Mikropress-Schweißverfahren, 522Mikrowellen-Technik, 36Mikrowellentransistoren, 401Miller-Effekt, 281, 318, 382, 383, 390, 399, 496Minoritätsträger, 33, 40, 53–55, 60, 67, 68, 70,

359, 364Minoritätsträger-Lebensdauer, 55Mischfarbe, 132Mischkristall, 329MISFET, 340MIS-Struktur, 357Mitkopplung, 2, 376, 451, 454, 473, 476, 486,

491, 493Mittelwert

arithmetischer, 265, 266, 683linearer zeitlicher, 266quadratischer, 265, 267

Mixed-Signal-Anwendungen, 573MNOS-Speicherzelle, 593, 594MOCVD-Prozess, 401Mode, longitudinale, 157Moden, 155MODFET, 401Modulation Doped Field Effect Transistor, 401Modulations

~bandbreite, 160, 680~frequenz, 140, 160, 161, 678~kennlinie, 140

Molekülbildung, 14Molybdän, 112, 115, 424, 425Moment 1. Ordnung, 266

706 Sachverzeichnis

Moment 2. Ordnung, 267Momente, 264, 605monochromatisch, 159MOS-Arbeitsplätze, 343MOS-Controlled Thyristor, 452MOSFET, 340–342, 352, 359–362, 366, 368,

369, 372, 373, 375–378, 385, 386, 388,391–394, 397–399, 401, 405, 406, 410,411, 413–417, 452, 453, 509, 514, 527,561–563, 593, 617, 685

MOSFET, n-Kanal, selbstsperrend, 340MOSFET, selbstleitend, 340, 387, 399MOS-ICs, 343, 561MOS-Kondensator, 357–359MOS-Struktur, 357, 406MPP-Tracker, 180MRAM, 603–605MRAM-Zelle, 604MROM, 586MSI-Schaltungen, 526Multi Chip Module, 520, 525Multi-Bit-Zellen, 602Multi-Emitter-Transistor, 546–548, 553Multi-Level-Zelle, 602Multiplexer, 529, 649, 657, 672, 674Multiplikationszone, 171, 172Musterfunktion, 260, 265, 266

NNAND-Flash, 596, 598–600, 602NAND-Gatter, 541, 547, 550–552, 555, 557,

567, 573, 598Netzgleichrichter, 101Netzliste, 630n-Halbleiter, 33, 36, 74, 75, 112, 196Nichtidealitätsfaktor, 86, 87, 680Nichtlinearitäten, 188, 289, 513n-Kanal-IGBT, 406NMOS, 343, 389, 527, 539, 540, 561–564, 568,

590, 641NMOS-Technologie, 540, 561, 562Noise Figure, 273Non-Punch-Through-Struktur, 406, 408non-volatile RAM, 615NOR-Flash, 596, 597, 599, 602Normalbetrieb, 78, 130, 221–223, 232, 240,

250, 276, 277, 290–295, 410, 517, 547,596

Normalform, disjunktive, 631, 651

normally-off Typen, 341normally-on Typen, 341npn-Transistor, 225, 230, 235, 236, 239, 240,

249, 251, 285, 290, 291, 293–295, 321,323–326, 331, 343, 360, 410, 429–431,451, 453, 454, 510, 512, 513, 548

NPT-IGBT, 407–409, 414NPT-Struktur, 406, 407, 411NROM-Zelle, 602Null-Kapazität, 50, 677Nullkippspannung, 426, 428, 432–434, 437,

447, 682Nur-Lese-Speicher, 581, 585NVRAM, 615Nyquist noise, 269

OOberflächen-Durchbrüche, 425Oberflächenemitterdioden, 159Oberflächenrekombination, 141Offset

~abgleich, 485~kompensation, 483~spannung, 468, 470, 471, 473, 483–486,

507–509~spannungsdrift, 473~spannungskompensation, 465~strom, 482, 483, 509

OLED, 143–148OLMCs, 656, 663Omnifet, 398One Time Programmable ROM, 588on-state resistance, 376open loop gain, 474Open-Collector-Ausgang, 550, 615Open-Collector-Stufen, 536Operational Transconductance Amplifier, 469Operationsverstärker, 463–469, 471, 474,

476–478, 480–483, 485, 487–491, 493,495, 496, 498, 500, 504, 505, 507, 508,517, 525, 529, 573, 643

Operationsverstärker, idealer, 478, 507Operationsverstärker, Typen, 468Operationsverstärker, zerhackerstabilisierte,

486Optokoppler, 143OPV, Nutzungsgrenze, 488Organisation, 575, 577, 578, 583, 584, 597, 613OTA, 469

Sachverzeichnis 707

OTP-ROM, 588OUM, 609, 610Output Disable, 550Output Enable, 550, 582, 662Output Logic Macrocells, 656, 663output resistance, 480Output Swing, 502, 503overload recovery, 504Ovonic Unified Memory, 609Oxidation, 109, 146, 360, 519, 521, 595, 648Oxidschicht, 340, 357, 360, 364, 456, 590, 599,

600, 602, 630

PPaarbildung, 26, 54, 67, 165Pads, 519, 522Page-Mode, 623, 624PAL, 652–663Parameterstreuung, 640partition noise, 272Passivmatrix-Displays, 147Pauli-Prinzip, 14peak current, 252, 386peak pulse power dissipation, 120peak surge forward current, 101peak surge reverse voltage, 101Pegelanpassstufen, 536Pegelanpassung, 509, 536, 550, 582Pegelbereiche, 532–534Pegelverschiebungsdiode, 541, 548–550, 552,

553Pentacen, 6Periodensystem, 5, 6Peripherie-Modus, 675Perowskitstruktur, 607Personalisierung, 631, 674p-Halbleiter, 33, 34, 36, 75, 196phase margin, 494Phase-Change RAM, 609Phasen

~anschnittsteuerung, 442–445, 448~bedingung, 492, 493~drehung, 490, 491, 493, 495~rand, 494~reserve, 494, 495, 499, 502~spielraum, 494~splitter, 548, 554~splittertransistor, 554~verlauf, 490

~verschiebung, 206, 208, 224, 336, 444,489, 491, 493, 495, 496, 507

~wechselspeicher, 609Phonon, 22Phononen, 22, 25, 26, 201Phononenenergie, 25Phononenerzeugung, 131Photon, 22, 24, 141, 146, 165, 192Photonenemission, 152Photonenreflexion, 154pinch-off voltage, 341Pinch-off-Spannung, 347, 351, 353pin-Diode, 63, 69, 114, 115, 188–191, 207, 414PLA, 531, 652, 654–658Placement, 641, 642Planar-Gate, 418Planartechnik, 108, 109, 112, 132, 324, 350,

407, 424Planartransistor, 320, 324Planck’sches Wirkungsquantum, 28Plasma, 210Platin, 17PLD, 531, 576, 631, 632, 652, 670PLED, 144PMOS, 527, 539, 561, 563, 616, 641PMOS-Technologie, 561, 616pn-Diode, 77, 78, 81, 82, 114, 115, 117, 119,

183, 186, 188, 189, 199, 220, 270, 290,409

pnp-Transistoren, 219, 225, 240, 324, 330, 331,343, 527, 557

pn-Übergang, 19, 39, 43, 44, 50, 52–62, 64,66–69, 71–73, 77, 80, 82, 88, 94, 95,108–110, 112–114, 117, 123, 131,135–137, 151, 155, 156, 164, 169–171,173, 181, 183, 197, 200, 206, 212, 225,230, 270, 290, 320, 324, 325, 327, 339,347, 350–352, 361, 385, 394, 401, 407,414, 426–429, 431, 437, 446, 451, 456,458, 459, 588

abrupter, 40, 57einseitig abrupter, 57spannungsloser, 51, 56, 59, 677

Pole-Splitting-Verfahren, 496Polverschiebungen, 497Polyacetylen, 6Polymer, 6, 147Polymere, konjugierte, 144Polysilizium, 360, 396, 590, 602

708 Sachverzeichnis

Popcorn noise, 271Popcornrauschen, 259, 271Potenzialanpassung, 508Potenzialbarriere, 38, 47, 53, 192, 210, 456,

591, 596power derating curve, 255, 387power supply rejection rate, 473PRAM, 609Präzisionsmessverstärker, 486Precharge-Phase, 571PROFET, 399, 400Programmable Array Logic, 631, 652, 655Programmable Gate Array, 631Programmable Interconnect Point, 674Programmable Logic Array, 531, 631, 652, 654Programmable Logic Device, 531, 576, 631,

652Programmierbare Logik, 531, 631, 634, 652,

658Programmiergerät, 585, 587, 589, 652, 659,

674, 676Programmierimpuls, 587, 588Programmierung, 531, 585, 588, 589, 591–594,

597, 599, 600, 605, 609, 631, 632, 652,653, 656, 659, 666, 669, 674, 676

Programmiervorgang, 589, 593, 674Programmspeicher, 585, 587, 597, 598PROM, 587, 588, 598, 631, 654PROMs, bipolare, 587PROMs, MOS-~, 588propagation delay time, 536Properties, 638, 642Proportionalitätsprinzip, 2Protonen, 192Prozess

fotolithografischer, 109stationärer, 259, 266stationärer ergodischer, 266stationärer stochastischer, 266stochastischer ergodischer, 266

Prozesskonstante, 369Prozessparameter, 640, 641Prüfpfadtechnik, 649psn-Dioden, 114PT-IGBT, 406–409, 414Ptot, 253, 387, 388PT-Struktur, 406Pufferkondensator, 549PUJT, 461

Puls~betrieb, 209, 255, 256, 258, 680~dauer, 189, 252, 256, 386~energie, maximale, 101~frequenz, 101~spitzenleistung, 120, 680~wiederholrate, 252

Pumpenergie, elektrische, 156Pumpstrom, 152punch-through, 62, 67, 68, 240, 407Punch-Through-Struktur, 406Punktmatrixdarstellungen, 142p-Wanne, 406, 410, 411, 418, 568, 593

Qqcw-Betrieb, 161Quanten, 146, 192

~effizienz, 147~hypothese, 22~mechanik, 192, 686~theorie, 13, 14, 192~wirkungsgrad, 165, 166

Quantisierungsrauschen, 259Quarzglasfenster, 592Quarzsand, 5Quarzschicht, 131Quellen, gesteuerte, 2, 217Quellenwiderstand, optimaler, 275, 276quenched-domain mode, 204Querstrom, 500, 566, 569quiescent current, 500

RRadikal-Anion, 147Radikal-Kation, 147Rail-to-Rail-Operationsverstärker, 467Rail-to-Rail-OPVs, 467, 475Rakel, 521Rakeldruck, 521Rakelgeschwindigkeit, 521RAM, dynamisches, 616RAM-Port, 625Random Access Memory, 610random telegraph signals (RTS noise), 271RAS-CAS-Verzögerung, 618, 622RAS-only-Refresh, 622RAS-Vorladezeit, 620–622, 624RAS-Zugriffszeit, 622Raumladungen, 42, 44, 183

Sachverzeichnis 709

Raumladungsdomäne, 202, 204Raumladungszone, 39, 43, 48, 49, 53–55, 63,

66–68, 83, 86, 87, 94, 115, 126, 131,163, 169, 171, 173, 183, 185, 190, 204,206, 281, 328, 348, 357–359, 363, 364,367, 392, 401, 407, 408, 410, 427, 456,457, 680

Rausch~leistung, 259, 269, 272, 559~leistungsdichte, 269~maß, 273, 680~quellen, 259, 268, 269, 504–506~quellen, überlagerte, 268~signal, 258, 267~spannung, 258, 260, 269, 270, 504, 505,

507~spannung, effektive, 269, 683~spannungsdichte, 504–506~strom, 171, 258, 269–272, 504~stromdichte, 272, 504, 505~temperatur, 507

Rauschen, 113, 205, 209, 211, 258, 259, 266,268–271, 273, 296, 391, 402, 486, 499,504, 517, 559

Avalanche-~, 272Gate-~, 391Gauß verteiltes, 269Generations-Rekombinations-~, 272, 391Kanal-~, 391rosa, 271thermisches, 259, 269weißes, 268, 273, 274

Rauschzahl, 272–274, 391, 392, 403, 507, 678,680

frequenzabhängige, 275ideale, 391Minimierung, 274optimale, 275, 276spektrale, 273

RCT, 449RDRAM, 625Reabsorption, 136Read Cycle Time, 584Read Enable, 582Read Only Memory, 585Readback, 675Read-Diode, 206Redoxpotenzial, 147Reduktion, 146, 476, 484, 596, 600, 647

Referenzgehäusetemperatur, 253, 681Referenzumgebungstemperatur, 253, 681Reflexion, 156, 157, 165, 169, 177, 609Reflexionskoeffizient, 154Reflexionsverluste, 176Reflow-Lötung, 523Refresh, 571, 622, 623Refresh-Arten, 622Register, 578–580, 625, 636, 639, 649, 650,

655, 659, 670, 673, 675Registertransferbeschreibung, 636Register-Transferebene, 636Regression, lineare, 88Regressionsfunktion, 88Reihenschwingkreis, 96Rekombination, 22, 24–26, 30, 35, 41, 55, 60,

70, 86, 130, 131, 141, 146, 147, 175,176, 215, 272, 286, 287, 327, 363, 364,440

direkte, 24indirekte, 25, 26nicht strahlende, 131, 140, 141

Rekombinationsstrom, 87, 227, 278Rekombinationsvorgänge, 87Rekombinationszentren, 25, 166, 174Rekombinationszone, 214, 215Rekonfigurierbarkeit, 674, 676repetitive peak forward current, 101, 103repetitive peak reverse voltage, 101, 103Resonanzfrequenz, 187, 188, 203, 204, 678Resonator, optischer, 154Resonatorspiegel, 154Reststrom, 242, 243, 347, 430, 431Restströme, Messung, 243retention, 589Reversdiode, 394reverse current, 83, 104reverse recovery time, 72, 96, 104, 212, 446reverse region, 224reverse voltage, 52, 83, 103, 106reverse-conducting thyristor, 449Reziprozitätsbedingung, 292Richtwirkung, 138rise time, 104, 285ROM, maskenprogrammiert, 586Row Adress Strobe, 618RTL, 538–540, 639Rückflussdämpfungen, 313Rückkopplungsnetzwerk, 476, 493

710 Sachverzeichnis

Rückstrom, 96, 327, 439, 440, 445Rückstromfallzeit, 96Rückstromspitze, 441Rückwärts

~betrieb, 224, 394, 414, 449~diode, 198, 199, 361, 386-Durchbruchspannung, 427~erholzeit, 72, 96, 104~sperrspannung, 414-Spitzensperrspannung, periodische, 441~steilheit, 298, 681~strom, 72, 83, 100, 679~stromverstärkung, 224, 290, 291, 677-Übertragungsfaktor, 312

Rückwirkungsfaktor, differenzieller, 247, 297Rückwirkungskapazität, 318, 382, 384Rückwirkungskennlinie, 247Rückwirkungs-Kennlinienfeld, 234Ruhestromkompensation, 482

Ssafe operating area, 257, 387, 393, 415Sägezahngenerator, 460Sägezahnspannung, 127, 460SAMOS, 590SAM-Port, 625Saphir, 214, 215Sättigung, 119, 222, 241, 293, 318, 344, 349,

353, 365, 367, 371, 475, 484, 486, 501,504, 513, 517, 541, 543, 551, 553

Sättigungs~bereich, 223, 233, 241, 288, 353, 368, 370,

371, 381, 414, 513~betrieb, 222, 223, 234-Driftgeschwindigkeit, 401~geschwindigkeit, 202, 208, 211, 384, 401,

683~spannung, 241, 293, 344, 414, 475, 565~wert, 68, 113, 288~zustand, 241

saturation region, 223SBC-Technik, 324Schalenmodell, 13, 14Schalt

~dioden, 72, 96, 118, 212~frequenz, 284, 390, 415, 423, 450, 452,

538, 549~frequenz, maximale, 537

~geschwindigkeit, 278, 324, 405, 409, 415,445, 449, 461, 573, 629, 639, 640

~kreise, integrierte, 3, 388, 463~kreisfamilie, 527, 532, 533, 535, 536, 538,

546, 666~netzteile, 119, 393~spannung, 95, 126, 446, 545~strom, 389, 405, 445~stufe, 388–391, 532, 537, 545, 565, 567~transistoren, 119, 241, 388, 543~verhalten, 69, 93, 284, 327, 334, 335, 389,

397, 415, 457, 536, 687~verluste, 409, 419, 450, 457~vorgänge, 215, 225, 440, 562, 564~zeichen, 78, 79, 331, 405, 421, 450, 453,

455–458, 550~zeiten, 114, 170, 225, 285, 287, 288, 335,

343, 344, 390, 393, 398, 409, 457,520, 527, 536, 537, 542, 546, 548,552, 553, 555, 657

~zeiten, Verkürzung, 287, 288~zustände, 233, 421, 532

Schalten, hartes, 415, 457Schalter, elektronischer, 233, 421, 446Schalterbetrieb, 233, 289, 373, 388, 390Schaltung, integrierte, 108, 148, 320, 443, 464,

471, 519, 573, 627, 628, 630, 643, 646Schaltungen mit Bipolartransistoren,

rauscharme, 275Schaltungen, kombinatorische, 655Schaltungen, sequenzielle, 655Schaltungsfunktionen, 529Schaltungssynthese, 637, 639Scharmittel, 265Schichtschaltungen, 520Schieberegisterspeicher, 610Schleifenverstärkung, 487, 492–496Schleusenspannung, 82, 84, 85, 118, 130, 332,

456, 569, 683Schmelzpunkt, 108Schnittfrequenz, 493, 496Schonzeit, 440, 682Schottky Diode FET Logic, 540Schottky-Diode, Anwendungsbereiche, 119Schottky-Diode, Eigenschaften, 119Schottky-Dioden, 77, 82, 83, 96, 101, 115, 118,

212, 546, 553, 554Schottky-Feldeffekttransistor, 400

Sachverzeichnis 711

Schottky-Kontakt, 74, 75, 108, 115, 118, 401,403

Schottky-Logik-Schaltkreise, 119Schottky-TTL, 527, 553, 554, 556, 663Schottky-Übergang, 401Schräganschliff, 425Schreib-/Lese-Speicher, 577, 578, 581, 610Schreib-/Löschzyklen, 599, 600Schreibbefehl, 581, 584, 593Schreibimpuls, Dauer, 584Schreibvorgang, 577, 584, 602, 605, 606, 608,

609, 611, 612, 614, 615, 621Schreibzyklus, 585, 596, 621Schrotrauschen, 259, 270, 271, 391Schrotrauschspannung, 271Schutzdioden, integrierte, 569Schutzfunktionen, 399Schutzgasatmosphäre, 425Schutzschaltungen, 343, 398, 568, 673Schutzschicht, 521Schweifstromverlauf, 418Schwellenspannung, 341, 359, 361, 369, 372,

375, 390, 410, 413, 416, 533, 563, 564Schwellwertschalter, 460Schwellwertspannung, 362–364Schwingbedingung, 491, 493Schwingfrequenz, maximale, 284, 327, 329,

330, 384, 678Schwingkreis, 183, 186, 187, 198, 203, 211Schwingneigung, 197, 470, 495, 516, 517Schwingung

gedämpfte, 96, 493selbsterregte, 492, 493stationäre, 493

Schwingungserzeugung, 198, 202, 476SDFL, 540SDHT, 401SDRAM, 625Sea of Gates, 630, 672secondary breakdown, 252Selectively Doped Heterojunction Field Effect

Transistor, 401Semi-Custom-Entwurf, 629Settling Time, 502, 503Set-up-Time, 537SHE-Prozess, 591Shockley-Formel, 86, 100, 163shot noise, 270SH-Struktur, 137, 138

Sicherheitsabstand, 533Siebdruckverfahren, 520Siebensegmentanzeigen, 142Signal, determiniertes, 258Signal, stochastisches, 258Signaldioden, 79Signallaufzeit, mittlere, 536Signal-Rauschabstand, 273Signalübergangszeiten, 536Signalübertragung, differenzielle, 544Signalverzögerungszeit, 536Silan, 110, 175Silberleitkleber, 522silicon-controlled rectifier, 421Silizium, 5, 7, 10, 12–14, 21, 26, 29, 31, 32, 35,

36, 40, 47, 48, 55, 57, 61, 68, 73, 77, 78,81, 82, 97, 99, 101, 102, 106, 108–110,118, 119, 127, 131, 132, 145, 148, 163,166, 168, 173–175, 177, 183, 212, 214,219, 226, 253, 255, 277, 325, 336, 343,345, 357, 360, 369, 387, 391, 403, 410,424, 524, 539, 562, 587

Siliziumdiode, diffundierte, 110Siliziumnitrid, 593Siliziumpulver, 5Simulation, 294, 378, 633, 637, 639–641, 649Singleheterostruktur, 137Single-Mode-Laser, dynamische, 156Single-Supply-Operationsverstärker, 467SIPMOS-FETs, 397SITh, 456Slave-Mode, 675SLDRAM, 625Slew Rate, 500–502, 508Small Scale Integration, 526small signal current gain, 280Smart Power Devices, 398SMD, 116, 123, 133, 135, 322, 323, 466, 516,

520, 524, 527, 530SMD-Bauteile, 516, 520SMD-Gehäuse, 466, 516, 530SMD-Transistoren, 323SMOLED, 144snap-off diode, 212Solarpanel, 176, 179Solarzelle, 20, 168, 172–176, 178–182, 680

amorphe, 174, 181monokristalline, 174polykristalline, 174

712 Sachverzeichnis

Sonnenlicht, 143, 173, 177Source, 129, 337, 338, 340, 344–346, 348, 349,

351, 359–369, 373, 379–388, 391–393,396, 399, 415, 417, 418, 561, 565, 570,586, 590–594, 597, 602, 608, 682

Sourceschaltung, 344, 345, 379, 381, 382, 510Spaltenleitung, 578, 590, 591, 613Spannungs

~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegsrate, 500, 501, 681~komparator, 476~nachlaufzeit, 95, 439~quelle, spannungsgesteuerte, 304, 480~rauschen, 504–506~rückwirkung, 234, 304, 305~spitzen, 119, 121, 213, 399, 547~stabilisierung, 128~steilheit, 127, 446~steilheit, kritische, 428, 435~steuerkennlinie, 245, 246, 332, 344, 352,

379~steuerung, 238, 250, 338, 344, 389, 393,

468, 469~transienten, 120~verhältnis, inneres, 459~wellen, 311, 312

s-Parameter, 303, 311–313Spare Page, 600Speicher

bitorganisierter, 578~gate, 590~kapazität, 583, 599, 602, 613, 617~ladung, 344, 398, 415~organisation, 577~schaltdiode, 212, 213wortorganisierter, 578~zeit, 72, 95, 96, 285–288, 344, 391, 451,

543, 592, 595, 682~zeitkonstante, 287~zelle, 577, 581, 586, 587, 590–594, 602,

604, 608, 611–614, 618–621, 624,672, 674, 675

Spektralbereich, 132, 133, 138, 142Spektraldichte, 268, 269Spektrallinien, 155Sperr

~bereich, 52, 55, 73, 77, 78, 80, 83, 84, 87,93, 100, 102, 113, 125, 127, 187,

223, 233, 240, 241, 244, 368, 387,446, 542

~betrieb, 69, 71, 84, 85, 115, 189, 191, 212,222, 223, 233, 250, 410, 427, 439,446

~kennlinie, 124, 426, 433, 437~reststrom, 120, 679~richtung, 52, 53, 61, 67, 69, 73, 78, 80, 81,

86, 87, 93, 95, 119, 124–128, 163,171, 183, 208, 210, 212, 222, 224,226, 228, 232, 233, 241, 242, 287,318, 324, 325, 339, 340, 346, 347,361, 386, 414, 426, 427, 430, 439,683

~sättigungsstrom, 54, 55, 61, 73, 83, 95, 98,440, 679

Sperrschicht, 42, 43, 49, 53, 55, 59, 61, 64, 65,67, 68, 70, 95, 101, 104, 107, 113, 131,164, 169, 170, 186, 193–196, 224, 226,253, 254, 257, 281, 291, 299, 317, 337,339–342, 344–348, 350, 353, 355, 361,365–367, 371, 372, 385–387, 391, 398,400, 401, 404, 410, 451, 500, 548, 588,681

~berührungsspannung, 68~breite, 48, 683~fläche, 56, 57, 113, 114, 173, 242, 677~kapazität, 49, 56, 57, 60, 61, 72, 80, 93,

95, 113, 114, 141, 168, 171, 172,183, 185–188, 191, 281, 318, 320,437, 553, 677

~ladung, 94~temperatur, 66, 103, 107, 234, 243, 253,

255, 681~weite, 48–50, 56, 64, 87, 114, 183, 339,

347, 683Sperrschicht-FET, 340–342, 344–347, 353,

361, 366, 372, 385–387, 391Sperrspannung, 53, 54, 56, 61, 62, 64, 67–69,

80, 83, 86, 93, 95, 96, 100–103,113–115, 119, 120, 125, 129, 141, 161,167, 168, 170, 171, 183, 185, 187, 190,213, 224, 239, 243, 257, 285, 318, 347,348, 350, 352, 377, 392, 397, 405, 408,409, 415, 421, 424, 426, 427, 439–441,446, 449, 450, 452, 455, 683

Sperrspannung, maximale, 100, 183, 377, 392,683

Sperrspannungsfestigkeit, 409, 554

Sachverzeichnis 713

Sperrstrom, 54, 55, 61, 67, 68, 71, 81, 83, 87,95, 97, 98, 100, 101, 104, 107, 113, 118,119, 125–127, 163, 164, 172, 226, 228,239, 242, 243, 278, 352, 355, 362, 387,391, 427, 432–434, 443, 445, 679

Sperrstrom, temperaturabhängiger, 97Sperrstromanteil, 223, 239Sperrverzögerungszeit, 72, 96, 398, 440, 446,

682Sperrverzugszeit, 96, 212, 440, 682Spin, 605, 606spin coating, 144Spincoaten, 145Spitzendioden, 112–114Spitzenflussstrom, 101, 679Spitzenflussstrom, periodischer, 101, 679Spitzensperrspannung, 100, 103, 106, 434, 683Spitzensperrspannung, periodische, 96, 101,

433, 434, 683Spitzenstrom, maximaler, 386Spitzenströme, 252Spitzentransistor, 318Split-Gate-Zelle, 602SRAM-Speichermatrix, 613SRAM-Speicherzelle, 611SSI-Schaltungen, 526Stabilisierung, 80, 83, 119, 127, 128, 464Stabilitätsbedingung, 493, 495Stabilitätsprobleme, 311, 468Stabilitätsreserve, 494Stacks, 161Standard Burried Collector, 324Standardabweichung, 265–267, 684Standardschaltungen, 531Standard-TTL, 546, 551–554Standardzellen-Design, 629standby current, 120Stand-By Mode, 582stand-off voltage, 120, 121static forward current transfer ratio, 280Static-Induction Thyristor, 456Status-Signal, 399Steilheit, 152, 246, 298, 309, 318, 344, 353,

356, 369–371, 379, 381, 383, 393, 399,416, 417, 439, 470, 471, 502, 678, 681

Steilheitskoeffizient, 369, 679Steilheitsparameter, 369, 372, 375, 514, 679step-recovery-diode, 212Steuer

~elektrode, 125, 228, 337, 338, 351, 384,425, 427, 445, 446

~gate, 590, 591, 597, 599, 602~kennlinie, 245, 352, 353, 355~spannung, 8, 246, 338, 340, 346, 360, 362,

373, 374, 388, 401, 410, 416, 417,427, 434, 436, 446, 591

~strom, 8, 218, 238, 242, 331, 338, 418,429, 432, 433, 435, 436, 447, 448

~winkel, 443Stichprobenraum, 261, 264, 684Stichprobenumfang, 261, 684Stirnflächenreflexion, 156Stochastik, 260Störabstand, 533–535, 539, 551, 565, 570storage time, 285Störatome, 32, 33, 35Störleitung, 32Störniveaus, 25Störsicherheit, 520, 532, 533, 539, 555, 563,

669Störspannungsabstand, 534, 535, 544Störspannungsabstand, statischer, 533, 534Störspannungsspitzen, 549Störstellen

~erschöpfung, 36, 37ionisierte, 402-Leitfähigkeit, 34~leitung, 32, 34–36~reserve, 36, 37tiefe, 25

Stoßionisation, 62, 65, 172, 206Stoßspitzensperrspannung, 106, 115, 434Stoßstrom, 107, 120, 434, 679Stoßstromgrenzwert, 441, 442Strahlungserzeugung, 25, 131Strahlungsfluss, 134Strahlungsleistung, 134, 138, 140, 152, 161,

177Strahlungsleistung, globale, 177Strahlungsleistung, spektrale, 177Strahlungsmessung, 190Streuparameter, 311Streuprozesse, 402Streuung, 177, 229, 266, 267, 336, 402, 684Strom

~anstiegsgeschwindigkeit, 437, 445~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegssteilheit, 428

714 Sachverzeichnis

~begrenzung, 128, 252, 398, 409, 448, 480,518, 546, 598

~impuls, 202, 210, 211, 390, 423, 587, 588,605, 609

~quellenbereich, 353~rauschen, 506~richter, 442~schweif, 415, 418~spiegel, 512, 514, 643-Steuerkennlinie, 245, 250, 305~steuerung, 238, 247, 250, 344, 470~tragfähigkeit, 377, 409, 453~übertragungsfaktor, 471~verstärker, 240, 471

Stromverstärkung, 218, 223–225, 229, 231,234, 240, 245, 273, 274, 277–283, 290,292, 294, 299, 300, 303–305, 315, 316,318, 324, 328, 330–336, 344, 383, 410,412, 431, 483, 510, 573, 677, 684

Basisschaltung, 279Emitterschaltung, 280inverse, 224, 291, 677Umrechnung, 281

Stromverteilung, inhomogene, 252, 432Stromverteilungsrauschen, 259, 272, 274Strom-Zeit-Fläche, maximale, 101Struktur

Diamant-~, 13Kristall~, 13, 15, 65, 174, 606, 607, 610Wurtzit-~, 13Zinkblende-~, 13

Strukturdomäne, 636Substrat, 32, 77, 108, 110, 118, 144, 145, 173,

220, 323, 325, 337, 342, 350, 357–364,385–387, 401, 405–407, 410, 411, 519,520, 523, 524, 591, 592, 594, 597, 643,647

Substratdotierung, 38Substrate Hot Electron Process, 591Substratsteuereffekt, 361, 362, 381Super-Beta-Schaltung, 331Superpositionsprinzip, 2supply voltage rejection ratio, 485Surface Mounted Devices, 527surge current, 107, 120, 121switching diode, 118Symmetrieabweichung, 127Systemkonstanten, 585Systemtabellen, 585

TTabellenspeicher, 575, 585Tailstrom, 409, 415, 418Taktfrequenz, maximale, 658Talspannung, 459, 460Talstrom, 194, 196, 459, 679Technik, biomedizinische, 404TEGFET, 401Teilerverhältnis, 459Telegrafen-Rauschen, 271Temperatur, 7, 9, 18, 21, 26, 27, 29, 35–38, 55,

57, 63, 65, 66, 73, 97–102, 109, 110,112, 127, 130, 144, 158, 161, 178, 179,185, 234, 235, 237, 242, 253, 254, 269,270, 274, 278, 319, 321, 344, 355, 356,375–377, 387, 414, 436, 437, 441, 483,485, 500, 510, 511, 517, 520, 522, 600,643, 651, 681, 684

~abhängigkeit, 29, 30, 36, 37, 55, 66,97–99, 123, 185, 237, 336, 344, 355,356, 375, 409, 436, 484, 511, 526,555

~bereiche, 37, 529~drift, 235, 336, 483, 485, 486, 509intrinsische, 38, 681~koeffizient, 66, 129, 356, 376, 409, 461,

510, 683~kompensationspunkt, 356, 376~messung, 123~spannung, 27, 31, 73, 86, 100, 163, 167,

274, 276, 318, 683~strahler, 138~verhalten, 66, 158, 375, 651

Tempern, 110TEMPFET, 399T-Ersatzschaltbild, 300Test Access Port, 650Testmuster, 645, 648, 649, 651Tetracen, 6Tetraeder, 13TFT-Displays, 405TFT-Transistor, 405thermal noise, 269Thermischer Durchbruch, 62, 66Thermokompressionsbonden, 522, 523Thermosonic-Bonden, 522Thin Film Transistor, 148threshold voltage, 341, 359, 362Through Hole Technology, 527

Sachverzeichnis 715

THT, 466, 527Thyratron, 421Thyristor, 124, 125, 399, 410, 411, 421–427,

429, 432, 435, 437–440, 442–446,448–458, 461, 569

asymmetrisch sperrender, 449~dioden, 124, 422-Ersatzschaltung, 411feldgesteuerter, 456lichtgesteuerter, 455MOS-gesteuerter, 452rückwärts leitender, 449~struktur, parasitäre, 412~tetroden, 422, 448, 449~trioden, 422

Thyristoren, abschaltbare, 450Thyristorstruktur, 569Time Dependent Dielectric Breakdown, 595TMR-Element, 605Top-Down-Design, 633, 634Topfet, 398Totem-Pole-Ausgang, 536, 548Totem-Pole-Ausgangsschaltung, 548Trägermaterial, 214, 323, 406, 519, 520Trägerstaueffekt, 95, 440, 446Transfergatter, 570, 621, 625Transil, 123Transimpedanzverstärker, 168, 470Transistor, Rauscheigenschaften, 272Transistoren, integrierte, 220, 294, 320, 323Transistoren, laterale, 324Transistoren, vertikale, 324Transistor-Schaltstufe, 284Transistor-Transistor-Logik, 527, 546transit frequency, 488transit time mode, 202Transitfrequenz, 276, 282–284, 286, 303, 317,

329, 330, 383, 402, 403, 488, 489, 496,497, 678

Transitgrenzfrequenz, 282, 383, 384transition frequency, 282Transitzeit, 61, 202–204, 209, 210, 294, 684Transitzeit-Betrieb, 202, 203Transkonduktanz, 369, 469, 470, 679, 681Transkonduktanz-Koeffizient, 369, 679Transkonduktanz-Verstärker, 469, 470Transmissionsgatter, 570Transportmodell, 290, 293, 294Transportstrom, 294

Transzorb, 123TRAPATT-Diode, 206, 209, 210traps, 25, 431, 593Treiber, 321, 457, 458, 471, 529, 536, 550, 582Trench-Gate, 418Trench-IGBT, 418Trench-Isolation, 325Trennverstärker, 143, 498TRIAC, 446–448Triggerdiode, bidirektionale, 124Trigger-Impuls, 127triode alternating current switch, 446Triodenbereich, 351Tri-State-Ausgang, 536, 550, 551, 662, 665Tri-State-Ausgangsstufen, 536TSE-Schutzbeschaltung, 440TTL, 399, 527, 529, 534–536, 539, 543–549,

551, 552, 554, 555, 557–559, 561, 563,566, 573, 582, 658, 659, 673

TTL-Pegel, 534TT-Modus, 203, 204tubs, 568Tunnel

~barriere, 604, 605~diode, 191, 194–198, 202-Durchbruch, 62~effekt, 63, 65, 192, 194, 595~element, magnetoresistives, 605~kontakt, 605~magnetwiderstand, 604~strom, 194, 196, 199, 604~vorgang, 193~wahrscheinlichkeit, 605~widerstand, magnetischer, 604

Tunnel Injection, 602Tunnel Release, 602Tunneling Magneto Resistance Effekt, 604turn off time, 285turn on time, 285TVS-Dioden, 123Two Dimensional Electron Gas Field Effect

Transistor, 402

UÜbergänge

abrupte, 56hyperabrupte, 56isotype, 137lineare, 56

716 Sachverzeichnis

Übergangsbereich, 125, 126, 130, 533Übergangskennlinie, 426Übergangszeit, 96, 682Überhitzung, lokale, 327Überkopfzündung, 428, 432, 440Überlagerungsfarbe, 133Überlagerungssatz, 2Überspannungsableiter, gasgefüllte, 123Überspannungsspitzen, 119Übersprechen, 259, 532Übersteuerung, 119, 286, 287, 476, 484, 517Übersteuerungs

~bereich, 223, 240, 241, 285, 475~faktor, 241, 286, 287, 683~grad, 286, 683~grenze, 241, 286

Übertragungs~funktion, 491, 496–498~gleichungen, 380, 468~kennlinie, 245, 352, 355, 356, 368–370,

372, 376, 413, 469, 470, 474, 475,483, 484, 513, 514, 532–534, 543,553, 566

-Kennlinienfeld, 234~steilheit, 246, 353, 369, 370, 414, 470, 681

UCP-Zelle, 602UJT, 337, 458–461ULSI-Schaltungen, 526Ultraschall, 522Ultrasonic-Bonden, 522Umgebungstemperatur, 141, 176, 253–256,

387, 473, 500, 529, 557, 681Umladestromspitze, 95, 96Umladevorgänge, 391, 548UMOS-Struktur, 396Unijunction-Transistor, 458Unijunction-Transistor, programmierbarer, 461Unipolartransistoren, 219, 337unity gain bandwidth, 488unity gain frequency, 282Unschärferelation, 192, 193Unterniveaus, 15UV-Bestrahlung, 589, 592

VVakuum, 16, 17Vakuumenergie, 17Vakuum-Level, 16Vakuumniveau, 17

Valenzband, 15–18, 20–22, 24–28, 35, 36, 65,131, 146, 164, 195, 196, 201, 328, 678,680

Valenzelektronen, 5, 6, 10, 11, 15, 21, 64, 195Varaktor, 182, 183, 617Varaktordiode, 556Varianz, 265–267, 684Varicap, 183Varistoren, 123VC-OPV, 469, 471VCSEL, 159Verarmungstyp, 340, 341, 360, 364, 366, 367,

372, 394, 562, 594Verarmungszone, 74, 75, 207, 210, 347, 364,

591Verdrahtungskanal, 673Verhalten

Ohm’sches, 365, 367Verhaltensdomäne, 636Verknüpfungslogik, 598Verlustleistung, 66, 68, 69, 93, 101, 103, 117,

160, 223, 252, 253, 255–257, 321, 343,372, 373, 376, 387, 390, 408–410, 427,434, 436, 443, 446, 460, 500, 516, 517,537, 538, 540–542, 544, 545, 553, 560,563, 565, 573, 627, 680

dynamische, 538, 566maximale, 100, 215, 250, 252, 253, 255,

257, 321, 384, 387, 388, 555, 680maximale Ptot, 102maximale thermische, 257statische, 255, 256, 538, 561, 563, 566

Verlustleistung Ptot, 129, 141Verlustleistungshyperbel, 257Verschiebungsstrom, 608Versorgungsspannungsbereich, 500, 564, 633,

640, 641Versorgungsspannungsunterdrückung, 473Verstärker, 3, 157, 191, 198, 217, 228,

231–233, 242, 344, 345, 351, 399, 463,464, 467, 469, 471, 473, 486, 487, 490,492, 493, 499, 505, 513, 517, 529

Verstärker, stromgegengekoppelter, 470Verstärkerbetrieb, 231, 232, 241Verstärkerwirkung, 1Verstärkung, 155, 172, 198, 217, 223, 231, 232,

247, 259, 327, 353, 370, 382, 399, 463,464, 470–473, 475, 476, 478–480,

Sachverzeichnis 717

486–491, 493, 495–499, 501, 504, 507,510, 514, 515, 621

Verstärkungs~-Bandbreite-Produkt, 282, 473, 488, 489,

678~bereich, 222, 223, 514~bereich, inverser, 224~betrieb, 224~eigenschaft, 2~führung, 156~reserve, 494

Verteilung, 18, 19, 32, 38, 134, 159, 225, 226,263–265, 272, 320, 326, 600, 641

Verteilungsdichte, 264–266, 680Verteilungsfunktion, 263, 264, 678vertical cavity surface emitting diode, 159Vertikaltransistor, 324Very Large Scale Integration, 526Verzerrungen, 187, 188, 231, 247, 300, 344,

513Verzögerungszeit, 206, 390, 391, 555, 557, 558,

640VHDL, 636, 639, 674Vierpol, 289, 301–303

~darstellungen, 303, 310~gleichungen, 289, 301–304, 309–311~parameter, 238, 244, 247, 301–304, 310,

314~theorie, 301

Vierquadranten-Kennlinienfeld, 248, 249, 305Vierschichthalbleiterbauelement, 406VLSI-Schaltungen, 526VMOS-Struktur, 393, 394, 396Vollaussteuerung, 443, 470, 502Voltage Feedback Operational Amplifier, 468Vorladen, 617, 621, 623Vorladeschaltkreis, 619, 620Vorwärtsbetrieb, 222, 232, 449, 548Vorwärtssperrspannungsstabilität, 413Vorwärtssperrzustand, 406, 408, 410, 413Vorwärts-Spitzensperrspannung, periodische,

440Vorwärts-Übertragungsfaktor, 312Vorwiderstand, 81, 125, 126, 128, 138, 569, 681VRAM, 625, 626VV-OPV, 468, 471, 507

WWafer, 108, 109, 112, 320, 325, 407, 453, 630,

644–647, 651Wahrscheinlichkeit, 18–20, 25, 193, 201, 258,

262–264, 272, 640, 643, 644, 647, 680Wahrscheinlichkeitsdichte, 264, 680Wahrscheinlichkeitstheorie, 258, 260Wahrscheinlichkeitsverteilung, 263, 678Wannierexziton, 146Wärme

~bewegung, 109, 227, 269~kapazität, 116~lehre, 253, 254~leitfolie, 255~leitpaste, 255~strom, 253~übergangswiderstand, 253~widerstand, 66, 104, 107, 253, 254, 256,

257, 500, 681~zufuhr, 26

Watt peak, 180Wear-Leveling, 599–601Wechselspannungsbetrieb, 139, 446Wechselspannungsverstärkung, 224Wechselspannungswiderstand,

gleichstromgesteuerter, 190Wechselstromeingangswiderstand, 237Wechselstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 93,

317, 379, 381, 382Wechselstromsteller, 443, 444, 448Wechselstromverstärkung, 245, 279, 280, 683Wechselwirkung, 10, 13–15, 17, 25, 28, 141,

201, 603Wedge, 522Wellen

~gruppe, 159~längenunsicherheit, 134~parameter, 311~vektor, 23~widerstand, 205, 311, 544, 683~zahl, 23, 24, 201, 679

Welle-Teilchen-Dualismus, 192wells, 568WE-Signal, 582Widerstand, negativer differenzieller, 196, 426,

432Widerstand, steuerbarer, 339, 351, 354, 373,

374

718 Sachverzeichnis

Widerstände, 1–3, 176, 190, 217, 281, 317,335, 377, 388, 389, 397, 448, 482, 487,490, 517, 519, 520, 526, 544–546, 553,560, 637

Widerstandsrauschen, 259, 269, 270, 391Widerstands-Transistor-Logik, 540Wiener-Khintchine-Theorem, 268Wire-Bonden, 522wired AND, 79, 536Wired-OR-Verknüpfung, 544Wirkungsgrad, 138, 152, 160, 174–177, 181,

203, 205, 209–211, 684Wortbreite, 582, 584Wortleitung, 578–580, 586, 591, 592, 594, 601,

606, 611–613, 617, 620, 621, 662Write Cycle Time, 585Write Enable, 582, 619Write Pulse Width, 584

XXIP, 598

YY-Diagramm, 635, 637Y-Leitwert-Matrix, 381ye-Leitwertmatrix, 302y-Parameter, 309, 310, 313, 314, 316

ZZ-Diode, 80, 102, 119, 124, 127–129, 385, 542Zeilenleitung, 578, 590, 613Zeitkonstante, thermische, 255Zenerbereich, 128Zener-Dioden, 65, 66, 80, 83, 124Zenerdurchbruch, 62–65, 68, 195Zener-Effekt, 64–66, 129Zenerspannung, 80, 124, 127–129, 288, 683ZENER-Tunneln, 65, 195Zentralatom, 13ZEROPOWER-RAM, 615Zerstörung, 61, 65, 82, 83, 102, 116, 139, 182,

251, 252, 258, 338, 376, 385, 399, 408,413, 588

Zerstörung, thermische, 356, 428, 437, 567Zinkoxid (ZnO), 6Zinkselenid (ZnSe), 6Zinksulfid (ZnS), 6Zone, verbotene, 15, 21, 34, 64, 65, 194, 196,

402Zonenschmelzen, 5Zufalls

~experiment, 260, 262~größen, 259, 265~prozess, 265~signal, 258, 260~variable, 260–265, 683

Zugriffszeit, 583, 584, 590, 593, 597, 598, 602,620, 621, 681

Zünd~ausbreitungszeit, 439, 682~bedingung, 430, 432, 436~bereich, 434, 435~eigenschaften, 446~impuls, 127, 428, 443, 445, 454, 456~impulsdauer, 434~impulsgenerator, 437~impulskette, 434~kreis, 127~spannung, 124, 432–434, 436, 459–461,

570, 682~strom, 426, 432, 434–437, 446~verzögerungszeit, 438, 682~verzugswinkel, 443~verzugszeit, 436, 438, 439~winkel, 443, 444~zeit, 434, 439, 682~zeitpunkt, 442, 443

Zünden, 123, 412, 421, 432, 436, 443, 569Zustandsdichten, effektive, 27, 29, 194Zweitor, 301, 311–313Zweiwegthyristor, 446Zwischenniveaus, 25Z-Zustand, 536

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