Liste verwendeter Formelzeichen
A SperrschichtflächeA LeuchtflächeA Stromverstärkung des Bipolartransistors in BasisschaltungAI inverse Stromverstärkung, RückwärtsstromverstärkungAD Differenzverstärkunga Beschleunigunga AusräumfaktorB magnetische FlussdichteB GleichstromverstärkungsfaktorB Mess-Bandbreite (betrachtetes Frequenzintervall)C KapazitätC TemperaturkonstanteCMRR GleichtaktunterdrückungCG Gehäuse-KapazitätCK KoppelkapazitätCS SperrschichtkapazitätCG GatekapazitätCS0 Null-KapazitätCEBO EmittersperrschichtkapazitätCCBO Kollektorsperrschichtkapazitätc LichtgeschwindigkeitcD DiffusionskapazitätcS0 flächenbezogene Kapazität des spannungslosen pn-ÜbergangsD differenzieller RückwirkungsfaktorD TastverhältnisDn Diffusionskonstante für ElektronenDp Diffusionskonstante für LöcherE elektrische FeldstärkeE EnergiewertE kinetische Energie
677© Springer Fachmedien Wiesbaden 2016L. Stiny, Aktive elektronische Bauelemente, DOI 10.1007/978-3-658-14387-9
678 Liste verwendeter Formelzeichen
Eg Bandabstand, Bandlücke, Energielücke�Eg Energieabstand�E Energiebreite, HalbwertsbreiteEV obere Bandkante ValenzbandEC untere Bandkante LeitungsbandED Energieniveau unterhalb der LeitungsbandkanteEA Energieniveau über der ValenzbandkanteEF Fermi-NiveauEEA ElektronenaffinitätEH Austrittsarbeite Basis des natürlichen Logarithmus, Euler’sche Zahl (D 2;718)e Elementarladung (Betrag)F KraftF RauschzahlFX .˛/ Wahrscheinlichkeitsverteilung, Verteilungsfunktionf Frequenzfc Grenzfrequenzfg Grenzfrequenzfg 3 dB-Grenzfrequenz bei V
fg0 3 dB-Grenzfrequenz bei V0
fM Modulationsfrequenzfmax maximale SchwingfrequenzfRes ResonanzfrequenzfT Transitfrequenzf0 SchwingfrequenzG LeitwertGBW Verstärkungs-Bandbreite-Produktg21 siehe S , SteilheitH magnetische Feldstärkeh Planck’sches WirkungsquantumhA relative Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A
h11e siehe rBEh12e siehe D, differenzieller RückwirkungsfaktorI , i.t/ StromIB BasisstromIB0 KippstromIC KollektorstromICBO Kollektor-Basis-ReststromICES Kollektor-Emitter-ReststromID DiffusionsstromID DrainstromID Diodenstrom
Liste verwendeter Formelzeichen 679
ID;AP Diodenstrom im ArbeitspunktIDSS Drain-SättigungsstromIE EmitterstromIEBO Emitter-Basis-ReststromICEO Kollektor-Emitter-ReststromIF FeldstromIF HaltestromIF DurchlassstromIFmax maximaler DurchlassstromIF;max maximaler DauerflussstromIFSM SpitzenflussstromIFRM periodischer SpitzenflussstromIH HaltestromIK KurzschlussstromILmax größter LaststromIPP StoßstromIP HöckerstromIV TalstromIR SperrstromIRM maximaler Rückwärtsstrom, Ausräumstrom, SperrreststromIS SperrsättigungsstromIS, Ith Schwell(en)stromIZ ZenerstromIZmax maximal zulässiger Sperrstrom ZenerdiodeIZmin minimaler Sperrstrom ZenerdiodeIv LichtstärkeK Steilheitsparameter, Steilheitskoeffizient, Transkonduktanz-Koeffizientk Boltzmann-Konstantek Wellenzahlk Konstantek Klirrfaktork GegenkopplungsfaktorL InduktivitätL mittlere Wegstrecke, DiffusionslängeL KanallängeLA Debye-LängeLD Debye-LängeLG Gehäuse-InduktivitätLeff effektive Längel Längeln Logarithmus zur Basis elog Logarithmus zur Basis 10
680 Liste verwendeter Formelzeichen
lg Logarithmus zur Basis 10MBW Modulationsbandbreitem Masseme Ruhemasse des freien Elektronsmeff; m� effektive Massemn durchschnittliche effektive Masse der Elektronen im Leitungsband, effek-
tive Elektronenmassemp durchschnittliche effektiveMasse der Löcher im Valenzband, effektive Lö-
chermassems Kapazitätskoeffizient, GradationsexponentNF Rauschmaß, Rauschzahln Nummer der Elektronenschalen Elektronendichten Emissionskoeffizient, Korrekturfaktor, Nichtidealitätsfaktorn Anzahl der durchgeführten ZufallsexperimentenA absolute Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A
nA Dichte der AkzeptorennAB Anzahl Akzeptoren BasisnD Dichte der DonatorennDC Anzahl Donatoren KollektornDE Anzahl Donatoren Emitterni Eigenleitungsdichtenn Elektronendichte im n-Gebietnp Elektronendichte im p-Gebietpp Löcherdichte im p-Gebietpn Löcherdichte im n-GebietP WirkleistungP , PV VerlustleistungPV;max maximale VerlustleistungPV;max.puls/ maximale Verlustleistung bei PulsbetriebPPP PulsspitzenleistungPN NennbelastbarkeitPmax, Ptot maximale Belastung, maximale VerlustleistungPMPP maximale Leistung einer SolarzelleP.A/ Wahrscheinlichkeit des zufälligen Ereignisses A
p Impulsp LöcherdichtepX .˛/ Wahrscheinlichkeitsdichte, Verteilungsdichte, DichtefunktionQ GüteR Ohm’scher WiderstandR ReflexionskoeffizientRLZ Raumladungszone
Liste verwendeter Formelzeichen 681
RB BahnwiderstandRF Gleichstromwiderstand der Diode in FlussrichtungRL LastwiderstandRP ParallelwiderstandRS SerienwiderstandRS SperrwiderstandRV VorwiderstandRi InnenwiderstandRg InnenwiderstandRG InnenwiderstandRa InnenwiderstandRRes ResonanzwiderstandRth WärmewiderstandRth;JA Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und UmgebungRDS.on/ Einschaltwiderstand beim FETrBE differenzieller (dynamischer) EingangswiderstandrCE differenzieller (dynamischer) Ausgangswiderstand, Kleinsignalausgangs-
widerstandrD differenzieller (dynamischer) Widerstand der Diode, Wechselstromwider-
standrD DifferenzeingangswiderstandrGl GleichtakteingangswiderstandrD;AP differenzieller Widerstand der Diode im ArbeitspunktrZ differenzieller Innenwiderstand ZenerdiodeS Operator (Verknüpfung zwischen Ein- und Ausgangsgrößen)S Steilheit, ÜbertragungssteilheitSR SpannungsanstiegsrateSR RückwärtssteilheitSD Übertragungssteilheit, TranskonduktanzS� spektrale EmpfindlichkeitT PeriodendauerT absolute Temperatur in KelvinT KristalltemperaturTA UmgebungstemperaturTA;ref ReferenzumgebungstemperaturTC;ref ReferenzgehäusetemperaturTJ;max maximal erlaubte SperrschichttemperaturTC GehäusetemperaturTi intrinsische Temperaturt ZeittAA ZugriffszeittRC Lese-Zykluszeit
682 Liste verwendeter Formelzeichen
te Einschaltzeittf Abfallzeittrr Sperrverzögerungszeit, Rückwärts-Erholzeit, Übergangszeit, Erholungs-
zeit, Erholzeit, SperrverzugszeittP Einschaltzeittgd Zündverzögerungszeittgr Durchschaltzeittgs Zündausbreitungszeittgt Zündzeittc Schonzeittr Anstiegszeitts Ausräumzeit, Speicherzeitts EinschwingzeitU , u.t/ SpannungUa AusgangsspannungUe EingangsspannungUB BetriebsspannungUBmax maximale BetriebsspannungUb GleichvorspannungUB0 KippspannungUBT0 NullkippspannungUB0C, UB0� positive, negative Zündspannung (Kippspannung)UCL KlemmspannungUBR DurchbruchspannungUBR;GS Gate-Source-DurchbruchspannungU.BR/EBO Emitter-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CBO Kollektor-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CEO Kollektor-Emitter-DurchbruchspannungUD DiffusionsspannungUD DiodenspannungUD;AP Diodenspannung im ArbeitspunktUEB Spannung zwischen Emitter und BasisUBE Spannung zwischen Basis und EmitterUCB Spannung zwischen Kollektor und BasisUCE Spannung zwischen Kollektor und EmitterUCE;sat Kollektor-Emitter-SättigungsspannungUDSP Drain-Abschnürspannung, KniespannungUGSP Gate-AbschnürspannungUGS Spannung zwischen Gate und SourceUF äußere Spannung in Flussrichtung, FlussspannungUF;i innere FlussspannungUH Haltespannung
Liste verwendeter Formelzeichen 683
UR äußere Spannung in Sperrrichtung, SperrspannungUR;max maximale SperrspannungUth kritische SpannungUth Schwell(en)spannungUth, UP AbschnürspannungURM BetriebssperrspannungURRM periodische SpitzensperrspannungURSM SpitzensperrspannungUS SchleusenspannungUT TemperaturspannungUY Early-SpannungUZ ZenerspannunguR;eff effektive Rauschspannungü Übersteuerungsgrad, ÜbersteuerungsfaktorV BetriebsverstärkungVCC Betriebsspannung, SpeisespannungV0 LeerlaufspannungsverstärkungVGl Gleichtaktverstärkungv GeschwindigkeitvS Sättigungsgeschwindigkeitvdom Domänengeschwindigkeitv mittlere GeschwindigkeitW EnergieW KanalbreiteWS0 gesamte SperrschichtweiteWSR Sperrschichtweite in SperrrichtungWSF Sperrschichtweite in Flussrichtungwp Sperrschichtbreite im p-Gebietwn Sperrschichtbreite im n-GebietX ZufallsvariableX Arithmetischer Mittelwert, Erwartungswertx WegstreckeZ0 BezugswiderstandZ0 Wellenwiderstand
˛ Ionisationsrate˛ Wechselstromverstärkung des Bipolartransistors in Basisschaltung˛n Ionisationsrate der Elektronen˛p Ionisationsrate der Löcher˛Z Temperaturkoeffizientˇ Kleinsignalstromverstärkungsfaktor� Wellenlänge
684 Liste verwendeter Formelzeichen
� Parameter der Kanallängen-Modulation�0 Betriebswellenlänge�� spektrale Breite (Linienbreite, Halbwertsbreite)�Grenz Grenzwellenlänge" Dielektrizitätskonstante, Permittivität"0 elektrische Feldkonstante"r Permittivitätszahl, Dielektrizitätszahl# Temperatur in °C#0 Bezugstemperatur#max maximale Betriebstemperatur�n Elektronenbeweglichkeit�p Löcherbeweglichkeit� spezifischer Widerstand� Raumladungsdichte� spezifische Leitfähigkeit� Standardabweichung�2 Streuung, Varianz� Zeitkonstante� Lebensdauer Ladungsträger�T Transitzeit' Phasenwinkel' elektrisches Potenzial' Makropotenzial! Kreisfrequenz˚ Lichtstrom˝ Stichprobenumfang, Stichprobenraum� Wirkungsgrad Winkel Stromverstärkung des Bipolartransistors in Kollektorschaltung
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1. Moment, 2651=f -Grenzfrequenz, 2731=f -Rauschen, 271, 273, 275, 391, 392, 50410/1000µs-Impuls, 1202. Durchbruch, 662DEG, 4033 dB-Bandbreite, 4728/20 µs-Impuls, 120
AAbätzen, 109Abblockkondensatoren, 516Abfallzeit, 72, 96, 224, 285, 287, 451, 503, 536,
537, 682Abgleich-Potenziometer, 485Abklingzeit, 451Ableitwiderstand, 332, 335Abreißdiode, 212Abschalt-Steuerstrom, 450Abschaltthyristor, 450Abschattung, 176, 182Abschnürbereich, 350, 351, 353–355, 370, 371,
378–380, 382, 386, 387, 414, 417Abschnürspannung, 341, 349, 351–354, 356,
683Abschnürung, 349, 365Absorptionszone, 171, 172Abstimmdiode, 183, 185Abstrahlcharakteristik, 136, 138, 143, 158Abweichung, mittlere, 259, 267Active Mode, 582Address Access Time, 584Address Setup Time, 584Adressdekoder, 579, 580, 582, 586Adressierung, 577, 582, 613, 624Advanced Low-Power-Schottky-TTL, 555
Advanced Schottky-TTL, 555AIM-Verfahren, 588air mass, 177Akkumulation, 358Akkumulatoren, 1Aktivmatrix-Displays, 148Akzeptoratom, 42, 113Akzeptoren, 6, 25, 33–36, 38, 358, 363, 680Al2O3-Keramik, 520Alterung, 177, 485, 508Aluminium, 17, 32, 115, 133, 145, 326, 357,
360, 402Aluminiumgalliumarsenid, 132Amplitude, mittlere, 259Amplituden
~bedingung, 492, 495~frequenzgang, 493, 496~gang, 488~mittelwert, 267~rand, 494
Anlaufbereich, 353, 354Anode, 77, 124–126, 130, 131, 145–147, 200,
202, 204, 421, 423–429, 445, 449, 450,452, 454, 456, 457
Anodenkürzung, 450, 451Anregungsenergie, 35, 146, 147Anreicherung, 357, 358, 363Anreicherungstyp, 340, 341, 359, 360, 362,
363, 365, 368, 370–372, 563, 594Anreicherungstyp, n-Kanal, 368, 406, 413Anschlussdrähte, 112, 257Anschlusskontakte, 112, 519Ansprechzeit, 119, 123, 143Ansteuerung, harte, 457Anstiegsgeschwindigkeit, 428, 438, 472,
500–502, 508
689
690 Sachverzeichnis
Anstiegsverzerrungen, 501Anstiegszeit, 285, 286, 439, 495, 503, 558, 682Antifuse-Technik, 587, 588Antisättigungsschaltung, 288Anzeigen, optische, 142Application Specific Integrated Circuit, 531,
627Äquivalenztypen, 219Arbeitsbereich, erlaubter, 257Arbeitsgerade, 167, 249, 289Arbeitspunkt, 85, 90–93, 127, 140, 152, 160,
168, 179, 191, 196, 198, 209, 224, 225,237, 241, 244–247, 249, 250, 252, 271,274, 275, 277, 278, 280, 282, 288, 289,294–300, 302, 304, 305, 307, 308, 314,317, 318, 335, 346–349, 351, 353, 362,364–367, 369–371, 373, 379, 380, 417,510, 533, 561, 679, 681, 682
Arbeitspunkt, temperaturunabhängiger, 356Arbeitspunktstrom, 275Arbeitspunktstrom, optimaler, 275Arbeitswiderstand, 232, 249, 299, 314, 389,
509, 514, 565Arbitrationslogik, 615ASCR, 449ASIC, 531, 627–635, 637, 641, 645, 670ASIC-Entwurf, 632, 634, 635Asymmetrical Silicon-Controlled Rectifier, 449Atom
~bindung, 11~hülle, 21~kern, 9, 14~masse, 5~rümpfe, 42, 363Wertigkeit, 21
Ätzgräben, 110Aufenthaltswahrscheinlichkeit, 193Auffrischen, 571, 583, 607Auger-Effekt, 141Auger-Rekombination, 141Ausbreitungsgeschwindigkeit, 159Ausgangs
~aussteuerbarkeit, 466, 467, 469, 472, 475,517
~kennlinie, 238, 239, 245, 249, 305, 348,365, 367, 369, 372, 380
~kennlinienfeld, 234, 238–241, 244–246,249–251, 299, 352, 353, 368, 371,372, 381, 382, 387, 412, 413
~kreis, 229, 231, 232, 238, 249, 280~lastfaktor, 536~leistung, 1, 140, 156, 160, 203, 205, 209,
211, 284, 502, 509, 516, 526, 561~leitwert, differenzieller, 244-Reflexionsfaktor, 312~ruhepotenzial, 464, 467, 484~spannung, 128, 148, 186, 188, 233, 234,
247, 265, 281, 305, 318, 389, 391,469, 470, 472, 473, 475–477, 480,483, 484, 486, 492, 493, 500–503,507–509, 511, 514, 532–534, 541,543, 550, 554, 557, 561, 673, 682
~strom, 234, 241, 278, 470, 480, 504, 508,509, 557, 558, 565
~strom, maximaler, 473~stufe, 496, 504, 508, 509, 515, 516, 547,
550~widerstand, 231, 244, 298, 299, 315, 316,
344, 355, 370, 380, 472, 480, 481,497, 507–509, 516, 681
~widerstand, differenzieller, 297~widerstand, dynamischer, 370, 371
Ausgangsamplitude, maximale, 502Ausräumfaktor, 286, 287, 677Ausräumstrom, 71, 286, 287, 439, 446, 679Ausräumzeit, 72, 95, 439, 682Ausschaltverhalten, 439, 452Ausschaltzeit, 285, 287Aussteuerung, lineare, 232Aussteuerungsbereich, 90, 484, 513Aussteuerungsgrenze, 467Austrittsarbeit, 17, 74, 75, 145, 147, 357, 678Autokorrelationsfunktion, 268Avalanche Induced Migration, 587, 588Avalanche-Effekt, 62, 129, 591, 595Avalanchefestigkeit, 413Avalanche-Fotodiode, 171
BBackwarddiode, 198Bad Block Management, 599, 600Bad Blocks, 599, 600Bahn
~gebiet, 43, 391, 415, 417, 458~widerstand, 59, 84, 88, 92, 102, 185, 197,
327, 379, 382, 408, 435, 681Ball, 522, 530Band
Sachverzeichnis 691
~abstand, 6, 20, 22, 27–29, 35, 36, 65, 97,131, 137, 327–329, 678
~abstand, Temperaturabhängigkeit, 29~diagramm, 16~kanten, 16, 17, 20, 24~lücke, 15, 21, 24, 25, 27, 65, 131, 163,
277, 327, 402, 678~übergang, direkter, 24~übergang, indirekter, 24
Bänderdiagramm, 16, 328Bändermodell, 15, 24, 34, 50, 52, 194, 200bandgap, 15Bandlückenbreite, 147BARITT-Diode, 210, 211Barium, 17Bariumtitanat, 607Barren, 161Basis, V, 36, 145, 151, 192, 220–230, 232–235,
239–244, 247, 250–253, 257, 270, 272,276, 278, 280, 281, 284–288, 290–292,296–299, 306, 310, 317–321, 326–329,331, 332, 335–338, 353, 378, 394, 401,410–413, 423, 429–431, 452, 454, 458,481, 484, 510, 511, 539, 543, 545–548,551–554, 569, 588, 606, 609, 611,678–680, 682
Basisbahnwiderstand, 274, 275, 281, 284, 296,299, 317, 326, 327
Basis-Emitter-Diode, 220, 223, 239–241, 243,250, 276, 318, 332, 336, 547, 569, 588
Basis-Emitter-Verlustleistung, 252, 253Basis-Kollektor-Diode, 220, 222, 227, 240,
241, 243, 244, 250, 284, 547Basis-Kollektor-Grenzschicht, 228, 241, 353Basis-Kollektor-Spannung, 240Basisruhespannung, 234Basis-Ruhestrom, 250Basisschaltung, 229–231, 242, 243, 278, 281,
283, 290–292, 306, 307, 345, 430, 431,677, 683
Basisvorspannung, 234, 250Basisweiten-Modulation, 240Batterien, 1Bauelemente
aktive, 1, 217diskrete, 3induktive, 1lineare, 1, 2nichtlineare, 3
passive, 1Baugruppe, 1Bauteile, optoelektronische, 119Belastungsschwankungen, 128Beleuchtungsstärke, 164, 167, 168, 170, 172,
589Benzolringe, 6Bereich
aktiver, 232, 240, 241, 285, 287, 288, 320,326, 350, 353, 355, 416
Ohm’scher, 351, 353, 368parabolischer, 351
Bereiche, verbotene, 15, 533Beschleunigungsdioden, 554Besetzungsinversion, 151, 152Besetzungswahrscheinlichkeit, 18–20Besetzungswahrscheinlichkeit,
energieabhängige, 18beta cuttoff frequency, 281Betrieb, invertierender, 475Betrieb, nichtinvertierender, 475Betriebsart, 203, 204, 223, 224, 352, 376, 548,
579, 610Betriebseigenschaften, 238, 314Betriebsspannung, 120, 215, 217, 225, 241,
249, 343, 389, 460, 465, 467, 474, 475,485, 486, 509, 517, 532, 533, 538, 544,545, 551, 585, 596, 603, 611, 617, 682,683
Betriebsspannung, Abblocken, 516, 549Betriebsspannung, Schwankungen, 128, 512,
532Betriebsspannung, symmetrische, 466, 509Betriebsspannungsdurchgriff, 472, 485Betriebssperrspannung, 120, 683Betriebsstromaufnahme, 472Betriebstemperatur, 38, 179, 215, 434, 436,
486, 552, 684Betriebsverhalten, Transistorvierpol, 314Betriebsverstärkung, 476, 486, 487, 683Betriebsverstärkung, Polstelle, 493Betriebswellenlänge, 134, 684Beweglichkeit, 31, 35–37, 170, 201, 202, 225,
339, 343, 355, 369, 375, 384, 401–403BFL, 540Biasstrom, 481BICMOS, 527, 539, 558, 559, 572, 573BICMOS-Technologie, 573Bindung, kovalente, 11, 33
692 Sachverzeichnis
Bindungslücke, 33Bindungssystem, konjugiertes, 6Bipolartransistor, 217, 218, 221, 222, 245, 258,
269, 270, 282, 290, 319, 327, 331, 338,344, 353, 355, 370, 376, 377, 381, 383,384, 391, 392, 402, 405, 411, 423, 471,572
Bipolartransistor, Großsignalgleichungen, 277Bipolartransistor, rechnerische Behandlung,
276bi-stable noise, 271Bitleitung, 578, 586–588, 591, 594, 597, 601,
612, 613, 617Blockierbereich, 125Blockierbetrieb, 427, 432Blockierkennlinie, 426, 428, 433, 435Blockierrichtung, 427, 428, 436, 437, 440Blocktransfer, 624Bode-Diagramm, 491, 493–496, 498body diode, siehe Bodydiodebody effect, 361Bodydiode, 361, 386, 394Boltzmann-Konstante, 18, 27, 269, 277, 505,
679Boltzmann-Statistik, 20Boltzmann-Verteilung, 20Bonddraht, 116, 135, 646Bottom-Up-Design, 633, 634Boundary Scan, 649Bragg
-Laser, 156-Reflektor, 157-Reflexion, 157-Spiegel, 157-Struktur, 157
breakdown, 104, 121, 250, 257breakdown voltage, 104, 120, 121Brechungsindex, 137, 154Brechungsindexführung, 156Breitstreifendioden, 156Brom, 6Brückenschaltungen, 425BSIM-Modell, 378Buffer, 536, 615Buffered FET Logic, 540buffer-layer, 406, 408Bulk, 337, 342, 357, 359–361, 363, 379, 381Bumps, 523, 524Burn-In, 651
burried layer, 325Burrus-LED, 137Burst Mode, 624burst noise, 271Burst-EDO-RAM, 624Busleitung, 551Bypass-Diode, 182
CCache, 611, 624Cadmiumsulfid (CdS), 6CAD-Werkzeuge, 632, 637–639, 645CAS-before-RAS-Refresh, 622, 623case temperature, 253CAS-Zugriffszeit, 622CC-OPV, 470, 471Chalkogenide, 609, 610channel, 337Channel Hot Electron Injection, 591Channel Hot Electron Process, 591, 602Channeled Gate Array, 630CHEI, 591Chemical Vapor Deposition, 357, 360CHE-Prozess, 591, 602Chip, 133, 161, 329, 399, 471, 520, 522–524,
526, 530, 546, 550, 564, 573, 582, 586,588, 589, 592, 593, 596, 600, 603, 608,614, 615, 618, 620, 621, 623, 627–631,636, 643, 645–647, 650, 670, 673, 676
Chip Select, 550, 582Chip-Carrier, 520Chlor, 6chopper stabilized opamps, 486Chopper-Stabilisierung, 484clamping voltage, 120, 121CMOS, 329, 342, 389–391, 399, 482, 486, 500,
527, 538, 539, 543, 544, 558, 559,561–573, 590, 597, 598, 607, 609–612,642, 658, 673
CMOS-Gatter, 563, 564, 567, 570, 573CMOS-ICs, 564CMOS-Inverter, 389, 390, 565, 566, 568, 569CMOS-Schaltungstechnik, dynamische, 563CMOS-Schaltungstechnik, statische, 563CMOS-Technologie, 389, 390, 500, 561,
563–565, 598, 609, 611CMRR, 477, 478, 508, 677Column Adress Strobe, 618common mode gain, 477
Sachverzeichnis 693
common mode input resistance, 479Common Mode Rejection Ratio, 477Complex Programmable Logic Device, 653Concurrent Refresh, 622continuous current, 252, 386Control, 550Corner Analyse, 640CPLD, 653, 656, 658, 666, 670Current Controlled RF-resistor, 189current crowding, 326Current Feedback Amplifier, 470current limiter diode, 129current mirror, 512cut-off current, 242cut-off region, 223CVD-Prozess, 360CV-OPV, 470, 471Czochralski-Verfahren, 174
DDangling Bonds, 175Darlington, komplementärer pnp, 331Darlington, npn, 331, 332Darlington, Standard-pnp, 331Darlington-Schaltung, 330, 331, 549Darlington-Schaltung, komplementäre, 330Darlington-Schaltung, Standard, 330Darlington-Transistor, 330–336, 515, 549, 552Darlington-Transistor, komplementärer, 335Data Valid to End of Write, 584Datenbus, 582, 587, 599, 613–615, 625Datenbus, bidirektionaler, 614Datenleitung, 578, 613, 614, 617Datenspeicher, 575, 579–581, 585, 598Datenwort, 578, 587, 610Datenwortbreite, 578, 582Dauereffektivstrom, 441Dauerflussstrom, maximaler, 101, 679Dauergrenzstrom, 107, 441Dauerstrom, maximaler, 252, 386DBR-Laser, 156, 157DC current gain, 280DCFL, 539DC-Leerlaufverstärkung, 474, 488DDR-SDRAM, 625de Broglie, 23Debye-Länge, 43, 44, 679Defektelektron, 26Defektmanagement, 599
Defektübergang, 141Degradation, 175, 590delay time, 285delayed domain mode, 204depletion type, 340Depletionmode, 341DFB-Laser, 156, 157DGFET, 399DH-Struktur, 137, 138DIAC, 123, 124, 448Diamant, 5, 13, 28Diamond-Transistor, 471Dichteabweichung, 44Dichtefunktion, 264, 265, 680Dickfilmtechnik, 520Dickschichtschaltung, 521, 522Dickschichttechnik, 520, 521Die-Bonden, 521Dielektrizitätskonstante, absolute, 369, 384Dielektrizitätskonstante, relative, 28, 369, 384differential input resistance, 479Differenz
~ansteuerung, 479~eingang, 471, 493~eingangsspannung, 465, 487~eingangswiderstand, 472, 478, 479, 508,
681~signal, 476–478~steilheit, 470~verstärker, 463, 465, 478, 504, 508–514,
529, 542~verstärkereingangsstufe, 481~verstärkung, 469, 470, 472–474, 478, 480,
484, 508, 513, 514, 677Differenzialgleichungen, lineare, 2Diffusion, 32, 41, 47, 53, 59, 109–112, 227,
320, 325, 326, 360, 398, 406, 424, 519Diffusion, doppelte, 376Diffusion, einfache, 375, 376Diffusions
~ spannung, 57~kapazität, 60, 61, 70, 93, 95, 119, 183,
281, 318, 677~konstante, 28, 30, 31, 677~länge, 30, 44, 55, 679-Planartechnologie, 110~spannung, 43, 44, 47, 48, 52, 56, 58, 59,
67, 78, 82, 186, 355, 356, 682~strom, 31, 42, 87, 196, 678
694 Sachverzeichnis
~temperatur, 109~zeit, 109
DIMOS- Technologie, 394Diode
Avalanche-~, 129Bandgap-Referenz-~, 123bidirektionale Thyristor~, 124~clusterschaltung, 557Datenblätter, 102Dreischicht~, 123, 124Einpress~, 116Einrichtungsthyristor~, 125Flächen~, 109, 112, 114Fünfschicht~, 123, 124, 422Gleichrichter~, 80, 83, 101, 118, 212Gleichstromwiderstand, 90, 681Golddraht~, 109, 113Herstellung, 108Höchstfrequenz-~, 119ideale, 84, 86integrierte, 77Kennlinie, linearisierte, 84Klein~, 116Legierungs~, 109Leucht~, 130, 131, 143, 151~logik, 79Lumineszenz~, 130, 131Mehrschicht~, 123, 126parasitäre, 517Schalt~, 72, 96, 118, 212Scheiben~, 116Schraub~, 116Spitzen~, 109, 113Stromregel~, 129, 130Suppressor~, 119–121~tablette, 112Temperatureffekte, 97Transient Voltage Suppressor, 119Universal~, 118Verhalten, statisches, 83Vierschicht~, 123–127, 422, 459~wechselstrom, 92Wechselstromwiderstand, 90Widerstand, differenzieller, 90Zweirichtungs~, 124Zweirichtungsthyristor~, 124
diode alternating current switch, 123Diode-Transistor-Logik, 540Dipoldomäne, 204
Direct Coupled FET Logic, 539Direct Memory Access, 622Dispersion, 159, 160Distributed-Bragg-Reflection-Laser, 157Distributed-Feedback-Laser, 157DMOS-Struktur, 393, 394, 396Domäne, 202Domänengeschwindigkeit, 203, 683Domänenlöschbetrieb, 204Domänenverzögerungsbetrieb, 204Domino-Logik, 572Donator, 6, 25, 33–38, 220, 403, 680Doppelbasisdiode, 458Doppelbindung, 6Doppeldriftdiode, 209Doppelheterostruktur, 137, 155, 161Dotieren, 7, 20, 32, 173Dotierstoffkonzentrationen, 49, 112, 424Dotierung
oxidative, 6reduktive, 6resultierende, 35
Dotierungs~änderungen, 111~dichte, 42, 320, 402, 409~gebiet, 39, 40~grad, 34~profil, 56, 111, 206, 426~verlauf, 39, 40
DOVETT-Diode, 211DPRAM, 615Drahtbonden, 522, 523Drain, 337, 338, 345–350, 352–355, 359–371,
373, 376, 377, 379, 380, 385–388,391–393, 396, 398, 399, 415, 456, 561,565, 570, 586, 590–593, 595, 597, 602,679, 682
Drain-Abschnürspannung, 349, 365, 367, 371,682
Drain-Gate-Durchbruch, 350, 352, 385Drain-Gate-Durchbruchspannung, 385Drain-Pinch-off-Spannung, 349Drain-Ruhestrom, 370Drain-Sättigungsstrom, 347, 349, 352, 354,
386, 679Drainschaltung, 344, 345Drain-Source
-Durchbruchspannung, 385, 386-Durchlasswiderstand, 376
Sachverzeichnis 695
-Leckstrom, 387-Sättigungsspannung, 353-Spannung, 338, 347, 348, 350, 355, 364,
365, 369, 371, 373, 380, 386, 388,415, 561, 591, 592
-Strecke, 338, 350, 362, 363, 373, 377, 385,565
-Widerstand, dynamischer, 355Drain-Source Pinch-off Voltage, 365, 367, 371Drain-Sourcespannung, maximale, 351Drainstrom, maximaler, 387Drainstrom, minimaler, 387DRAM, 604, 608, 616–618, 620–626DRC, 644Dreischichtstruktur, 68Drift
~beweglichkeit, 31~geschwindigkeit, 201, 402~kompensation, 483~strom, 31~zone, 206–208, 408, 411, 414
Drive-R-Amplifier, 471DSM-Laser, 156DTL, 539–542, 546, 554DTLZ-Logik, 542Dual-Gate MOSFET, 399, 400Dual-Port-RAM, 615Dunkelstrom, 163, 164, 170Dünnfilmtechniken, 145Dünnfilmtransistoren, 148Dünnschichttechnik, 405, 521Dünnschichttransistoren, 405Dünnschichtzellen, 175Durchbruch, 61–63, 65, 67, 68, 80, 83, 101,
102, 125, 127, 129, 224, 240, 243,250–252, 257, 350, 352, 385, 386, 393,407, 542, 569, 588, 596
Durchbruch 2. Art, 252, 257Durchbruch l. Art, 252Durchbruch, reversibler 1., 102Durchbruch, zeitabhängiger, 595Durchbruchbereich, 72, 73, 80, 81, 83, 101,
127, 129Durchbruchkennlinie, 127Durchbruchsladung, 596Durchbruchspannung, 62–66, 73, 83, 87, 96,
100, 101, 104, 114, 115, 118–120, 123,127, 129, 171, 198, 243, 244, 251, 329,
385, 386, 398, 413, 426, 433, 448, 569,596, 682
Durchbruchvorgänge, 65Durchgreifeffekt, 68Durchgreifspannung, 68, 240Durchgriff, 62, 67, 68, 407, 408Durchgriffspannung, 68Durchlass
~bereich, 59, 69, 72, 82, 84, 86, 87, 91, 93,95, 99–102, 113, 125, 126, 196, 198,226, 234, 285, 286
~betrieb, 55, 60, 114, 130, 191, 223, 415~kennlinie, 88, 123, 224, 426, 428, 432, 434~strom, 59, 68, 69, 73, 80–82, 88, 94, 95,
98, 103, 123, 125–127, 138–140,196, 226, 346, 679
~strom, temperaturabhängiger, 98~verzögerungszeit, 93~verzugszeit, 94~widerstand, 68, 113, 114, 118, 297, 299,
392, 396, 397, 408–410, 419, 456~zustand, 123, 239, 286, 410, 411, 413,
435, 450, 458Durchlaufverzögerungszeit, 658Durchschaltzeit, 439, 682Dynamic Random Access Memory, 616
EE2PROM, 592Early-Effekt, 241, 277, 290, 299, 349, 355, 365,
371, 511Early-Spannung, 240, 241, 244, 276, 328, 335,
336, 355, 371, 373, 374, 683Ebers-Moll-Modell, 290–293Eckfrequenz, 488ECL, 527, 538, 539, 542–544, 555, 558, 572,
573, 658, 659, 663ECL-Schaltkreise, 542, 544, 555Edelgaskonfiguration, 15EDO-RAM, 624EEPROM, 582, 583, 592, 593, 595–597, 631,
663, 675, 676Effektivwert, 266, 267, 271, 434, 441Eigenhalbleiter, 27Eigenleitung, 17, 22, 26, 36, 37, 39Eigenleitungsbereich, 37Eigenleitungsdichte, 27, 29, 35, 40, 680Eigenleitungskonzentration, 55Eigenschaften, dynamische, 224, 419, 437
696 Sachverzeichnis
Eigenschaften, statische, 224Eigenschwingungen, 21Eindringtiefe, elektrisches Feld, 44Einfachbindung, 6Eingangs
~fehlspannung, 473, 484~fehlstrom, 482, 483~gleichtaktspannung, 476, 477~impedanz, 197, 317, 345~kapazität, 382, 383, 390, 479, 568~kennlinie, 224, 234–236, 238, 250, 305,
352, 353, 368~kennlinienfeld, 234, 237, 248~klemmdioden, 547~kreis, 229, 232, 234, 249, 250, 304, 305,
389~lastfaktor, 535~leistung, 1, 165, 284~rauschleistung, 273-Reflexionsfaktor, 312~ruhestrom, 473, 481, 483, 508~schutz, 398, 517-Schutzschaltung, 568, 569~schwellenspannung, 533~spannungsdifferenz, 469, 470, 473~stufe, 392, 481, 484, 496, 508, 509, 515~widerstand, differenzieller, 225, 297
Einmodenspektrum, 159Einpulsschaltung, gesteuerte, 442Einraststrom, 434, 445Einrichtungs-Thyristortetrode, 448Einrichtungs-Thyristortriode, 422Einsatzspannung, 362Einschalt
-Basisstrom, 286~stromsteilheit, kritische, 435~verluste, 437~verzögerung, 285, 287~verzugszeit, 438~vorgang, 69, 96, 438, 454, 456~widerstand, 373, 376, 417, 681~zeit, 94, 255, 285, 287, 682~zeitkonstante, 286
Einschnürung, 252Einschwingzeit, 502, 503, 682Einstein-Beziehung, 31Eintaktendstufe, 509Einzelatom, 13–15
Einzeltransistoren, 220, 319, 321, 331, 332,335, 337, 381, 385–387, 464, 555, 643
Electrically Erasable PROM, 592elektrisches Feld, Stärke, 17Elektrolumineszenzstrahler, 131Elektron
Masse, durchschnittliche effektive, 28Ruhemasse, freies, 29, 680
Elektronen~bahnen, 14~beweglichkeit, 28, 369, 402, 403, 684~dichte, 27, 35, 38, 59, 359, 402, 680~fehlstelle, 26heiße, 119~lawine, 62~lücke, 26~paarbindung, 11, 12-Sättigungsgeschwindigkeit, 203~schalen, 15~strom, 59, 78, 226, 228, 241, 244, 327,
410, 449~volt, 17
Elektronengas, zweidimensionales, 403Elektronentransfer-Bauelemente, 200Elektron-Loch-Plasma, 410Element, 5, 32, 33, 203, 409, 423, 450, 567,
605, 637Elementarereignis, 261Elementarladung, 165, 339, 678Elementarteilchen, 18, 192Emission, stimulierte, 151Emissionskoeffizient, 86, 99, 680Emitter, 132, 145, 161, 220–226, 228–230,
232–235, 239–241, 243, 244, 247,250–252, 257, 270, 279–281, 285, 286,291, 293, 296–298, 304, 306, 307,317–321, 323, 324, 326–328, 331, 332,335–338, 406, 410–413, 429, 431, 432,454, 458, 460, 510, 511, 513, 514, 539,542, 543, 546, 548, 552–554, 558, 679,680, 682
Emitterbahnwiderstand, 295Emitter-Basis-Durchbruchspannung, 250, 682Emitter-Basis-Grenzschicht, 227, 240Emitter-Basis-Reststrom, 243, 679Emitterdiode, 220, 222–224, 228, 291, 299Emittereffizienz, 327Emitter-Injektionswirkungsgrad, 327Emitterrandverdrängung, 326, 327
Sachverzeichnis 697
Emitterreststrom, 243Emitterschaltung, 223, 224, 229–231, 233, 234,
239, 240, 242–246, 248, 249, 277,280–284, 292, 299–306, 309, 310, 317,318, 344, 345, 383, 513, 514
Emittersperrschichtkapazität, 285, 677Empfindlichkeit, spektrale, 166Enable, 550, 582, 614Endstufe, 508, 515, 554, 555Endurance, 590, 600Energie
~abstand, 16, 146, 678~bänder, 15~linien, 9, 15~niveau, 9, 14, 15, 21, 24, 34, 35, 64, 131,
141, 151, 175, 194, 196, 678potenzielle, 9, 20~quantelung, 192~werte, 9, 14, 18, 20, 22, 201~zufuhr, 9, 21, 26, 33–36, 193
ENFET, 404enhancement type, 340Enhancementmode, 341Entkoppelkondensator, 549Entladungen, statische, 338, 344Entwurfsablauf, 632, 637, 638Enzym-FET, 404Epitaxial-Planartechnik, 110, 131Epitaxialschicht, 131Epitaxialtechnik, planare, 320, 323Epitaxie, 32, 109–111, 320, 321, 325, 326, 407,
648Epitaxie-Insel, 325, 326EPLD, 653, 656EPROM, 531, 583, 588–590, 592–595, 597,
598, 631, 670, 674–676Erasable Programmable Logic Device, 653ERC, 644Ereignis, 261–263Ereignisse, günstige, 263Ergebnismenge, 261Ergebnisraum, 261, 262Erholungszeit, 96, 386, 394, 682Erholzeit, 72, 96, 504, 620, 682Ersatzschaltung, formale, 289, 301Ersatzschaltung, physikalische, 289Erwartungswert, 259, 264–266, 504, 683Esaki-Diode, 198Esaki-Strom, 196
ESAKI-Tunneln, 196ESD-Schutz, 399ETOX-Zelle, 602Evaluierungsphase, 571Exemplarstreuungen, 126, 130, 139, 302, 344,
435, 474, 532Exziton, 135, 146, 147
FFabry-Perot-Laser, 154, 156Fabry-Perot-Resonator, 156fall time, 285FAMOS-Transistor, 590, 591Fan-In, 535, 548Fan-Out, 536, 548Farbtemperatur, 133FAST-Baureihe, 556Fast-Page-Mode, 624fast-recovery diode, 212FCT, 456, 457, 558, 559FeFET, 608Fehlerarten, 647Fehlerwahrscheinlichkeit, 259, 602Feldeffekttransistor, 20, 337, 338, 344, 352,
384, 391, 456, 608Isolierschicht-~, 339MOS-~, 339, 359, 410organische, 6Sperrschicht-~, 339
Feldemission, innere, 64Feldempfindlichkeit, 215Feldoxid, 360, 587Feldstärkedurchbruch, 68, 408Feldstrom, 31, 54, 679Fenster, eingeätzte, 131Fermi
-Dirac-Verteilung, 18, 20-Niveau, 17–20, 51, 74, 678-Statistik, 15-Verteilungsfunktion, 18
Ferroelectric Random Access Memory, 606Ferroelektrika, 606Festkörper, 15, 18, 19, 147, 175Festkörperphysik, 22, 146, 686Festwertspeicher, 585, 587, 588, 592FET, ionensensitiver, 403FETs, Logic Level, 398Field Programmable Devices, 652Field Programmable Gate Array, 653, 670
698 Sachverzeichnis
Field Programmable Logic Array, 652Field-Controlled Thyristor, 456Firmware, 585, 598, 671, 674Flachbandfall, 357, 362, 366Flächenbedarf, 175, 419, 545, 560, 562, 597,
639Flächendioden, 109, 112, 114Flächenstrahler, 135, 136, 138Flankensteilheiten, 536Flash-EEPROM, 596, 597Flash-EPROM, 583, 596, 674, 676Flash-Speicherzelle, 597, 599, 663, 666flicker noise, 271Flip-Chip-Bonden, 523, 524Flipflop-Technik, 577Floating Gate, 570, 590–592, 594–597, 599,
602Floating Gate-EEPROM, 594Floorplanning, 641FLOTOX-EEPROM-Zelle, 597FLOTOX-Speicherzelle, 594, 595Flussbereich, 72, 77, 93, 95Flussbetrieb, 84, 85, 440Flüssigkristall-Flachbildschirme, 405Flussspannung, 58, 60, 82, 86, 87, 96, 196, 409,
428, 459, 541, 565, 569, 682Flussstrom, 58, 138, 352, 409Formierungsstromstoß, 113forward region, 222Fotodiode, 143, 161–165, 167–172, 178Fotoeffekt, 162Fotoelement, 167, 168Fotolack, 109, 326Fotolackmaske, 111Fotostrom, 164, 165, 167, 168, 181Fotovoltaikanlagen, 168, 174Fowler-Nordheim-Tunneleffekt, 594, 602Fowler-Nordheim-Tunnelung, 597FPGA, 653, 656, 670–676FPGAs, reprogrammierbare, 671FPLA, 652FRAM, 606–609FRAM-Zelle, 608, 609FREDFET, 398Freigabeeingang, 551Freilaufdiode, 80, 182, 361, 394, 406, 415–418,
449Freiwerdezeit, 434, 440, 441, 446, 449Fremdatome, 12, 25, 32, 34, 109, 141, 174, 320
Frenkelexziton, 146Frequenz
~abstimmung, 80, 186, 187kritische, 493~modulation, 183, 186~vervielfachung, 183
Frequenzgang, 473, 487–490, 492, 496, 498,499, 502
Frequenzgangkorrektur, 465, 487, 490, 491,494–496, 499, 501, 517
Frequenzgangkorrektur, angepasste, 498Frequenzgangkorrektur, universelle, 498Frequenzkompensation, 473Fresnelreflexion, 154Full Power Bandwidth, 502, 503Full-Custom-ASIC, 629, 633Full-Custom-Entwurf, 629, 630, 634Füllfaktor, 180, 181Funkelrauschen, 259, 271, 504, 505Funktionsersatzschaltung, 289, 299, 300Funktionsspeicher, 575Fusable Links, 587, 653Fuse-Technik, 587, 588
GGA, 576GaAs-MESFET, 400–402gain-bandwidth-product, 282gain-guiding, 156Gajski-Diagramm, 635GAL, 653, 655, 656, 663–665Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs), 132Galliumarsenid (GaAs), 6, 132Galliumarsenidphosphid (GaAsP), 132Galliumnitrid (GaN), 132Galliumphosphid (GaP), 132Galliumsulfid (GaS), 6Galliumtellurid (GaTe), 6Gate, 129, 337–341, 344, 346, 347, 349, 350,
355, 357–359, 362–369, 372, 373, 377,379, 382–388, 390–392, 396, 397,399–401, 403, 405, 406, 410, 411, 413,417–419, 421, 423, 426–428, 430, 434,435, 439, 443, 445, 446, 448, 450,452–458, 461, 531, 564, 568, 570, 571,576, 586, 590–595, 597, 599, 601–603,608, 616, 629–631, 634, 642, 653, 682,686
-Abschnürspannung, 347, 366, 682
Sachverzeichnis 699
-Drain-Kapazität, 384-Gleichstrom, 341-Isolierung, 340-Kanal-Sperrschicht, 346~kapazität, 344, 362, 383, 384, 416, 677~ladungsdiagramme, 418~länge, 383, 384~oxid, 357, 360, 362–364, 403, 568-Oxidschicht, 369, 384-Pinch-off-Spannung, 347~schaltung, 345, 399-Strom, 346, 434
Gate Array, 531, 576, 629–631, 634, 653Gate Turn Off Thyristor, 435Gate-Commutated Thyristor, 457Gate-Source Pinch-off Voltage, 366Gate-Source-Durchbruch, 377, 385, 682Gate-Source-Durchbruchspannung, 377, 385,
682Gate-Source-Kapazität, 382, 383Gate-Substrat-Durchbruch, 568Gatteräquivalente, 671, 672GCT, 457Gegenkopplung, 303, 318, 336, 390, 472, 474,
476, 480, 481, 485–491, 493, 496, 497,506, 507, 513, 514
Gegenkopplung, elektrische, 376Gegenkopplung, thermische, 356, 376Gegenkopplungsfaktor, 480, 486, 487, 679Gegenkopplungswiderstände, 482, 514, 517Gegentakteingangswiderstand, 478Gegentaktendstufe, 391, 508, 509, 548, 549,
551Gegentaktschaltung, 389Gegentaktsignal, 478Gehäusebauformen, 116, 117, 323Gehäusetemperatur, 253, 255, 387, 681Generation, 22, 26, 30, 55, 86, 163, 164, 175,
272, 596, 603, 624, 649Generationsenergie, 27Generic Array Logic, 653Geometriedomäne, 636Geometriefaktor, 369Geradeausverstärkung, 507Gesamtverlustleistung, 252Geschwindigkeit, mittlere, 31GG-Laser, 156Giacoletto-Ersatzschaltbild, 317Giant Magneto Resistance Effekt, 604
Gipfelspannung, 459–461Gipfelstrom, 459Gitterbaufehler, 30Gitterfehler, 32, 141Gitterschwingungen, 22, 26, 131, 355, 375Gitterstörungen, 25Glas, 13, 116, 145, 175, 521Gleichanteil, 92, 259, 266, 267, 444Gleichgewicht, 26, 42, 59
thermodynamisches, 17–19, 26, 27, 39Gleichrichter, 80, 96, 106, 190, 442Gleichrichterdioden, 80, 83, 101, 118, 212Gleichrichterzelle, steuerbare, 421Gleichspannungsaussteuerung, 478Gleichstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 295,
379Gleichstromverstärkung, 224, 229, 245, 280,
430, 431Gleichstromverstärkungsfaktor, 223, 229, 276,
278, 286, 677Gleichtakt
~aussteuerbarkeit, 466, 473~aussteuerung, 476, 482, 511~betrieb, 476, 477~eingangswiderstand, 473, 478, 479, 508,
681~signal, 477, 478~spannung, 476, 478, 509, 511~unterdrückung, 473, 476–478, 507, 508,
511, 512, 677~verstärkung, 476–478, 683
Glue Logic, 598, 599Golddrahtdiode, 109, 113Grabenstrukturen, 392Gradationsexponent, 56, 680Granularität, 671, 673Grenzdaten, 100, 103, 250, 384, 387Grenzfläche, 131, 154, 214, 362, 363, 391, 403,
593, 594, 596Grenzfrequenz, 36, 140, 170–172, 185, 197,
199, 231, 281, 282, 284, 296, 320, 328,345, 383, 384, 472, 473, 488–490, 495,501, 507, 508, 678
Grenzlastintegral, 107, 442Grenzschicht, 42, 47, 49, 52, 53, 59, 65, 225,
296, 327, 358, 359, 363, 364, 446, 593,594
Grenzspannungen, 100, 250, 384Grenzströme, 100, 101, 250, 252, 384, 386
700 Sachverzeichnis
Grenzwerte, 68, 106, 141, 215, 238, 240, 243,256, 257, 436, 532, 533
Großsignal~aussteuerung, 224, 225, 501-Bandbreite, 502, 503~betrieb, 289, 472~gleichungen MOSFET, 371~modelle, 290~stromverstärkung, 229~verstärkung, 229
Grundmaterial, 110, 133, 136, 319, 345, 359GTO, 435, 450, 452GTO-Thyristoren, 450, 457Gummel-Plot, 277Gummel-Poon-Modell, 290, 294, 295, 377Gunndiode, 199, 200, 202, 205, 206Gunn-Effekt, 199, 200, 205Gunn-Element, 200, 202–204, 209Gunnoszillator, 205Güte, 181, 183–187, 680
HHaftfehler, 649Haftstellen, 25, 593, 594Halbbrücken, 425Halbleiter, V, 1, 5–7, 17, 18, 20–22, 24–27,
29–39, 42, 44, 52, 54, 66–68, 73–75,108–111, 123, 131, 136, 143, 146, 162,165, 189, 193, 199, 200, 327, 329, 337,340, 357, 359, 363, 402, 405, 422, 428,471, 520, 586, 588, 593, 686, 687
~block, 42direkte und indirekte, 22~drucksensoren, 339eigenleitend, 20Element~, 5, 13, 26, 33entartete, 34I-III-VI-~, 6III-V-~, 6, 33, 199III-VI-~, 6II-VI-~, 6, 199intrinsischer, 27~Laser, 6, 36, 155Leitfähigkeit, spezifische, 31-material, 1, 5, 35, 36, 38, 68, 78, 114, 131,
134, 138, 175, 225n-leitend, 20-Oberfläche, 17, 74, 136organische, 6
p-leitend, 20~scheibe, 108–110, 320, 439~tablette, 115~träger, 77, 220, 337Verbindungs~, 6, 13, 25, 26
Halbleiterspeicher, 531, 575, 577Halbwertsbreite, 134, 159, 678, 684Haltespannung, 123, 124, 126, 426, 432, 447,
682Haltestrom, 123, 126, 127, 426, 432, 434, 435,
443, 445, 447, 450, 569, 679Häufigkeit, absolute, 262, 680Häufigkeit, relative, 262, 263, 678HD-Struktur, 136HE-Degradation, 595Helligkeitsmessung, 168HEMT, 330, 401–403Heterojunction, 327Heterojunction-Bipolartransistor, 327Heterokontakt, 402Heterostruktur, 137, 327, 402Heteroübergang, 327, 328, 402HEXFET, 396HF-Schalter, gleichspannungsgesteuerter, 191Hidden-Refresh, 623High Electron Mobility Transistor, 330, 401high side switches, 398Highside-Schalter, 399High-Speed-CMOS, 527, 557High-Speed-TTL, 552Hilfsbatterie, 585Hilfsenergiequelle, 1, 217Hochfrequenzanwendungen, 113, 336, 403Hochfrequenzschwingungen, parasitäre, 377Hochinjektion, 294Höchstfrequenzelektronik, 401Höckerspannung, 459Höckerstrom, 197, 679Hohlraumresonator, 203, 209, 211Hold-Time, 537, 585HOMO, 146, 147Homo-Dioden-Struktur, 136HOMO-LUMO-Abstand, 147HOMO-LUMO-Lücke, 147Homostruktur, 136Hot Spots, 257Hot-Carrier-Diode, 118h-Parameter, 280, 302–310, 314h-Parameter, aus Kennlinien, 304
Sachverzeichnis 701
h-Parameter, Umrechnung, 306, 307Hubdiode, 541Hybrid
~darstellung, 301--Modell, 317~parameter, 302, 303~schaltung, 520~technik, 520
Hyper Page Mode DRAM, 624Hystereseschleife, 606, 608, 609
II2L, 539Idealitätsfaktor, 86IGBT, 405–418, 685–687IGBT-Konzepte, 407IGCT, 457IG-Laser, 156IMPATT-Diode, 205, 206, 209, 211Impuls, 23–25, 100, 101, 120, 131, 192, 193,
284, 446, 448, 680~änderung, 25~belastbarkeit, 119, 120~raum, 22, 24~unschärfe, 193~verbreiterung, 160
impulse noise, 271index-guiding, 156Indiumantimonid (InSb), 6Indiumgalliumnitrid (InGaN), 132Indiumphosphid (InP), 6, 200Indiumsulfid (InS), 6Induktivitäten, 2, 213, 269, 440, 516, 523, 526Influenzladung, 359Influenzwirkung, 368Infrarot-Bereich, 132Injektion, hohe, 410Injektionsstrom, 545Injektionstransistoren, 545input bias current, 481input noise current density, 505input noise voltage, 505input noise voltage density, 505input offset current, 483input offset voltage, 484Instabilität, thermische, 414integral diode, 394integrated circuit, 108, 320Integrated Gate-Commutated Thyristor, 457
Integration, hybride, 520Integration, monolithische, 519, 524Integrationsgrad, 526, 555, 560Integrierte Injektions-Logik, 539, 545Intensitätsmaximum, 134Intensitätsmodulation, 140Interdigitalstruktur, 296, 327Interdigitaltransistor, 327Interface-Schaltungen, 536Interleave-Mode, 624interstitiell, 32Intrabandimpulsrelaxationszeit, 201intrinsic stand-off ratio, 459Intrinsic-Leitung, 26Intrinsic-Zone, 171, 172intrinsisch, 189, 402Inversbetrieb, 222, 224, 290–293, 320, 361,
547, 548Inversdiode, 394, 406, 414Inversion, schwache, 363Inversion, starke, 364Inversions
~dichte, 27~kanal, 363, 364, 371~schicht, 357, 359, 362, 364, 365, 593~zone, 371
Inversleitfähigkeit, 414Inverter, 390, 497, 537, 545, 561, 562,
564–566, 572Iod, 6Ionen, ortsfeste, 53Ionenimplantation, 32, 109, 111, 320, 360, 394,
398, 555Ionenkonzentration, 403Ionenstromdichte, 112Ionisationsrate, 206, 207, 683Ionisierung, 36ISFET, 403, 404Isolationsstrom, 352Isolator, 5, 20–22, 36, 42, 193, 340, 357, 362,
363, 593, 594, 604, 605Isolierschicht-FET, 340
JJEDEC-Files, 659Johnson noise, 269junction, 42, 103, 104, 107Junction-FET, 340, 345
702 Sachverzeichnis
KKanal, 337, 338, 340–343, 345–350, 352,
355–357, 359–372, 376, 378, 379,385–388, 390, 391, 393, 394, 396, 398,400–403, 406, 407, 410, 411, 413, 418,428, 439, 453, 454, 510, 514, 527, 539,561–564, 567, 568, 570–572, 586,591–593, 595–598, 602, 611, 625
~abschnürung, 365~dicke, 351~dotierung, 351, 402~länge, 351, 368, 369, 384, 394, 396, 402,
679~längen-Modulation, 371, 372, 684-Leitwert, 369~querschnitt, 347, 363, 365, 366~querschnitt, ungleichmäßiger, 365, 367~verdrängung, 366~widerstand, 338, 347, 366, 376, 377, 389,
419Kantendefekte, 110Kantenstrahler, 135, 137, 138, 155, 158Kapazitäten, 2, 183, 281, 288, 290, 295, 317,
320, 378, 379, 390, 417, 487, 490, 500,519, 526, 537, 555, 563, 564, 566, 570,571
Kapazitätsdiode, 56, 80, 182, 183, 185–187,556
Kapazitätskoeffizient, 56, 680Kaskodeschaltung, 399, 400Kathode, 77, 79, 116, 117, 125, 126, 130, 131,
135, 145–147, 200, 202, 421, 423,425–428, 434, 435, 445, 449, 450, 453,455–457
Kenngröße, statische, 224Kennlinie, 1–3, 55, 77, 79–82, 86, 87, 90, 113,
123–128, 138, 140, 152, 158, 160, 163,167–169, 178, 179, 181, 195, 196, 202,204, 206, 224–226, 231, 234, 237, 238,240, 241, 244, 246–249, 251, 252, 289,296, 299, 304, 351, 352, 355, 356, 361,368, 372, 373, 378, 412, 414, 422, 426,432, 433, 435, 446, 447, 451, 459, 461,477, 485, 509, 514, 532, 562
Kennlinie eines Bauelementes, 90Kennlinie, statische, 140, 224Kennlinienfelder, 234, 368Kennwerte, 107, 127, 134, 138, 141, 170, 180,
238, 260, 265, 266, 434, 436, 507, 508,
527, 532, 536, 538, 551, 555, 557, 658,659, 663
Keramiksubstrat, 521, 523Kippspannung, 123, 124, 126, 127, 433, 437,
438, 447, 448, 682Kippspannungsdifferenz, 127Klammerdiode, 119Kleinsignal
~ausgangswiderstand, 244, 297, 370, 371,681
~ausgangswiderstand, differenzieller, 380,381
~aussteuerung, 91, 92, 224, 302, 501~betrieb, 252, 289, 297, 300, 383~eingangswiderstand, 237, 297~ersatzschaltbild, 190, 196, 298–300, 379~gleichungen, 297, 298, 301, 380~größe, 225, 488, 501, 502-Kurzschluss, 386~modell, dynamisches, 288, 381, 382~modell, statisches, 93, 295, 296, 379~parameter, 289, 297, 298~stromverstärkung, 224, 245, 274, 275, 278,
280, 297~verhalten, 90, 295, 335, 379, 381, 637~verstärker, 238-Vorwärtssteilheit, 351
Klemmspannung, 120, 682Klirrfaktor, 231, 300, 381, 679Knickfrequenz, 488, 490, 495Kniespannung, 130, 241, 353, 365, 371, 682Kohlenstoff, 5Kohlenwasserstoff, polyzyklischer
aromatischer, 6Kollektor, 220–226, 228–234, 238–245, 247,
250–253, 257, 272, 278, 280, 281,285–288, 291, 293, 297–300, 304,317–321, 323, 324, 328, 331, 336–338,353, 394, 406, 409–411, 413–415, 418,423, 429–431, 509, 510, 522, 545, 548,550, 553, 678–680, 682
~bahnwiderstand, 296~diode, 220, 222–224, 228, 281, 291, 292~restspannung, 241~reststrom, 243, 277~schaltung, 229, 231, 280, 306, 307, 345,
684~sperrschichtkapazität, 285, 286, 677
Sachverzeichnis 703
~strom, 223, 228–230, 232, 233, 236–239,241–243, 245, 246, 251, 257, 273,274, 277–280, 282, 283, 285–287,293, 304, 328, 332–335, 338, 410,413–415, 423, 430, 454, 510, 514,545, 554, 678
~stromschweif, 418Kollektor-Basis
-Durchbruchspannung, 250, 682-Grenzschicht, 240-Reststrom, 226, 243, 678-Spannung, 228, 250
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, 243, 251, 682-Reststrom, 243, 244, 413, 678, 679-Sättigungsspannung, 223, 241, 293, 336,
414, 682-Spannung, 234, 238, 239, 241, 245, 247,
251, 252, 293, 297, 298, 304, 338,353, 413–415, 418
-Verlustleistung, 252Kommutierung, 439Kommutierungsdiode, 386Kommutierungsspannung, 415, 417Komparator, 472, 476Kompensation, äußere, 495Kompensation, innere, 495Kompensationskapazität, 497Kompensationsstrom, 485Komplementärtechnik, 342Komplementär-Transistoren, 219Kondensatoren, 1, 217, 269, 471, 516, 526,
607, 620Konfiguration, 604, 643, 670, 671, 675, 676Konstantstromquelle, 129, 138, 181, 250, 510,
512, 543Kontakt, Ohm’scher, 75, 115Kontaktierung, 109, 112, 173, 296, 357, 396,
457, 523, 644Koppelstufe, 508, 514–516Kopplung, 15, 305, 463, 591Korrekturfaktor, 86, 87, 680Korrekturkapazität, 497, 498Kristall, 5, 15, 16, 26, 27, 33, 113, 133, 135,
136, 155, 158, 169, 175, 201, 320, 360,546
~defekte, 25~gitter, 6, 11, 13, 15, 17, 22, 28, 32, 33,
109, 127, 131, 141, 175, 201, 320
~struktur, 13, 15, 65, 174, 606, 607, 610~temperatur, 27, 681
Kühlkörper, 116, 253–255, 322, 425, 500Kühlung, 66, 116, 161, 253, 425, 564Kunststoff, 6, 116, 145Kupferindiumdiselenid (CuInSe2), 6Kupferindiumgalliumsulfid (CuInGaS2), 6Kupferplumbid (CuPb), 132Kurzkanaleffekte, 378Kurzschluss
~betrieb, 167, 168~festigkeit, 419, 516~sicherung, 504~strom, 168, 170, 176, 180, 181, 412, 536,
679~stromverstärkung, 280
LLadungspumpe, 399Ladungsspeicherungsdiode, 212Ladungssteuerungstheorie, 294Ladungsträger, 17, 20, 24, 26, 28, 30, 31,
33–37, 39–43, 52, 53, 59–62, 64, 67, 68,70, 94, 115, 140, 141, 146, 147, 164,166, 170, 175, 183, 189, 190, 201, 206,210–212, 214, 215, 218, 220, 225, 226,228, 234, 241, 258, 269, 270, 281,285–287, 320, 335, 337–340, 346, 353,355, 357, 358, 361, 364, 365, 369, 375,384, 402, 418, 431, 435, 440, 446, 451,455, 457–459, 548, 554, 599, 601, 603,684
~dichte, 37, 38, 42, 43, 59, 63, 130, 155,402
~dichte, intrinsische, 27, 38~injektion, 409~inversion, 363, 364~lebensdauer, 30~zahl, 37, 409
Lambertstrahler, 138Langzeitdrift, 485, 486Large Scale Integration, 526large signal frequency response, 502Laser
~bedingung, 151, 155~diode, 148, 151, 158–162~licht, 151, 157~methode, 156~schwelle, 152
704 Sachverzeichnis
~strahlung, 155, 158Last
~faktoren, 535~gerade, 249, 250, 257, 561~kapazität, 390, 391, 538, 549~minderungskurve, 253, 254, 387~strom, nichtlückender, 415~widerstand, 168, 179, 232, 249, 315, 316,
380, 474, 561, 562, 565, 611, 681~zeitkonstante, 415
latch-up, 410–412, 419Latch-up-Effekt, 569, 570Lateraltransistor, 324Laufzeitdiode, 209, 210Laufzeitmodus, 202Lawinendurchbruch, 62, 63, 66, 120, 206, 208,
257Lawineneffekt, 62–66, 129, 172, 206, 209, 211,
252Lawinen-Fotodiode, 171, 172Lawinenlaufzeitdiode, 206Lawinenmultiplikation, 206, 207Lawinenzone, 207, 208LCD, 148LDMOS-FET, 397LDMOS-Struktur, 398leakage current, 120, 121Lebensdauer, 30, 115, 138, 140, 143–145, 147,
189, 190, 212, 213, 445, 590, 595, 596,676, 684
Leckstrom, 362, 375, 387, 445, 565LED, 130, 131, 133–135, 138–140, 143, 146,
151, 155, 158–161flächenemittierende, 136SMD-~, 133weiße, 133
Leerlaufspannungsverstärkung, 469, 473, 474,476, 486, 490, 495, 507–509, 683
Legierungstechnik, 108, 109, 319Leistungs
~anpassung, 168, 179, 180, 244~anschlüsse, 425~bandbreite, 502~dichte, spektrale, 267, 268~dichtespektrum, 267, 268, 504~dioden, 69, 72, 80, 82, 84, 109, 112, 115,
116~endstufe, 509~gleichrichter, 119
~module, 414, 418-MOSFET, 343, 373, 385, 389, 392, 393,
395, 406, 409, 410~schalter, 397, 399
Leitband, 16, 28Leitfähigkeit, 7, 8, 21, 27, 31, 32, 34, 36, 110,
189, 214, 220, 327, 338, 340, 347, 355,362, 372, 399, 402, 414, 415, 454, 458,590, 596, 604, 609, 684
Leitfähigkeitsmodulation, 458, 459Leitung, extrinsische, 32Leitungsband, 6, 16–22, 24–28, 34, 36, 64, 65,
131, 141, 146, 164, 195, 196, 200, 201,604, 678, 680
Leitungsbandkante, 17, 18, 21, 34, 51, 678Leitungselektronen, 16, 24, 175, 196Leitwertmodulation, 416Leitwertparameter, 309Leseverstärker, 587, 608, 611, 617–621, 662Lesevorgang, 577, 584, 602, 605, 608, 612,
615, 620Lese-Zykluszeit, 584, 681Leuchtdiode, organische, 143, 144Leuchtdiode, Standard-~, 135Leuchtdioden, 25, 36, 132, 133, 138, 140, 144,
550Licht
~empfindlichkeit, 164, 170~farbe, 131, 133~farben, 132~intensität, 164, 172kaltes, 138~leistung, emittierte, 161~leitfaser, 155monochromes, 138~quant, 22, 130, 177ultraviolettes, 589, 592~verstärkung, 155
Light-Triggered Thyristor, 455limited space charge accumulation mode, 203linearer Mittelwert, 265Linearität, 1–3, 188, 373, 374Linearitätsrelation, 2Linienbreite, 134, 155, 159, 684Linse, 132, 138, 159liquid crystal display, 148Loch, 20, 22, 24, 26, 33, 34, 60, 130, 141, 146,
147, 163–166, 172, 175, 206, 363Löcher
Sachverzeichnis 705
~anteil, 223, 227, 239~dichte, 27, 35, 359, 680~leitung, 33~sperrstrom, 227~strom, 59, 224, 226, 328, 412
Logik, langsame störsichere, 542Logik, positive, 541, 543Logik, ungesättigte, 288, 544Logikblock, 671, 672Logikschaltungen, 118, 344, 401, 545, 546,
564, 629Lookup Tables, 672, 674Löschen, 123, 421, 435, 589, 592–594,
596–600, 602, 676Low-Power-Schottky-Technologie, 552Low-Power-Schottky-TTL, 553, 554, 556Low-Power-TTL, 552Low-Voltage-TTL, 557LSA-Betrieb, 203–205LSI-Schaltungen, 526LSL, 542LSL-Technik, 542LSTTL, 553LTT, 455, 456Luftmasse, 177Lumineszenz, 77, 131LUMO, 146LVS, 644
MMagnetdiode, 214, 215Magnetic Random Access Memory, 603Magnetic Tunnel Junction, 604Magnetowiderstandseffekt, 603Magnetwiderstand, 603Majoritätsträger, 33, 40, 42, 53, 58, 67, 198,
340, 359, 363, 410Makropotenzial, 16, 17, 684Makrozellen, 631, 653, 656, 663, 666, 667, 669Maskenfenster, 112Masken-ROM, 586–589Masse, effektive, 20, 201, 680Massenwirkungsgesetz, 27Masserückleitpfade, 549Master Mode, 675Materialien, amorphe, 13Materialkonstante, 17, 339Materiewelle, 193Maximum Power Point, 178–180
MCM, 520, 525MCT, 452–455MCT-Zelle, 453Medium Scale Integration, 526Mehrschichtdioden, Kennwerte, 127Mehrsegmentanzeigen, 142Memory Address Register, 579Memory Data Register, 579Merkregel, 26, 135, 230Mesatransistor, 319, 320MESFET, 400, 403Mesh-Zahl, 521Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 401Metallatom, 21Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, 400Metall-Halbleiterkontakt, 19Metall-Halbleiter-Übergang, 56, 113, 118, 401Metallisierung, 110, 648Mikropress-Schweißverfahren, 522Mikrowellen-Technik, 36Mikrowellentransistoren, 401Miller-Effekt, 281, 318, 382, 383, 390, 399, 496Minoritätsträger, 33, 40, 53–55, 60, 67, 68, 70,
359, 364Minoritätsträger-Lebensdauer, 55Mischfarbe, 132Mischkristall, 329MISFET, 340MIS-Struktur, 357Mitkopplung, 2, 376, 451, 454, 473, 476, 486,
491, 493Mittelwert
arithmetischer, 265, 266, 683linearer zeitlicher, 266quadratischer, 265, 267
Mixed-Signal-Anwendungen, 573MNOS-Speicherzelle, 593, 594MOCVD-Prozess, 401Mode, longitudinale, 157Moden, 155MODFET, 401Modulation Doped Field Effect Transistor, 401Modulations
~bandbreite, 160, 680~frequenz, 140, 160, 161, 678~kennlinie, 140
Molekülbildung, 14Molybdän, 112, 115, 424, 425Moment 1. Ordnung, 266
706 Sachverzeichnis
Moment 2. Ordnung, 267Momente, 264, 605monochromatisch, 159MOS-Arbeitsplätze, 343MOS-Controlled Thyristor, 452MOSFET, 340–342, 352, 359–362, 366, 368,
369, 372, 373, 375–378, 385, 386, 388,391–394, 397–399, 401, 405, 406, 410,411, 413–417, 452, 453, 509, 514, 527,561–563, 593, 617, 685
MOSFET, n-Kanal, selbstsperrend, 340MOSFET, selbstleitend, 340, 387, 399MOS-ICs, 343, 561MOS-Kondensator, 357–359MOS-Struktur, 357, 406MPP-Tracker, 180MRAM, 603–605MRAM-Zelle, 604MROM, 586MSI-Schaltungen, 526Multi Chip Module, 520, 525Multi-Bit-Zellen, 602Multi-Emitter-Transistor, 546–548, 553Multi-Level-Zelle, 602Multiplexer, 529, 649, 657, 672, 674Multiplikationszone, 171, 172Musterfunktion, 260, 265, 266
NNAND-Flash, 596, 598–600, 602NAND-Gatter, 541, 547, 550–552, 555, 557,
567, 573, 598Netzgleichrichter, 101Netzliste, 630n-Halbleiter, 33, 36, 74, 75, 112, 196Nichtidealitätsfaktor, 86, 87, 680Nichtlinearitäten, 188, 289, 513n-Kanal-IGBT, 406NMOS, 343, 389, 527, 539, 540, 561–564, 568,
590, 641NMOS-Technologie, 540, 561, 562Noise Figure, 273Non-Punch-Through-Struktur, 406, 408non-volatile RAM, 615NOR-Flash, 596, 597, 599, 602Normalbetrieb, 78, 130, 221–223, 232, 240,
250, 276, 277, 290–295, 410, 517, 547,596
Normalform, disjunktive, 631, 651
normally-off Typen, 341normally-on Typen, 341npn-Transistor, 225, 230, 235, 236, 239, 240,
249, 251, 285, 290, 291, 293–295, 321,323–326, 331, 343, 360, 410, 429–431,451, 453, 454, 510, 512, 513, 548
NPT-IGBT, 407–409, 414NPT-Struktur, 406, 407, 411NROM-Zelle, 602Null-Kapazität, 50, 677Nullkippspannung, 426, 428, 432–434, 437,
447, 682Nur-Lese-Speicher, 581, 585NVRAM, 615Nyquist noise, 269
OOberflächen-Durchbrüche, 425Oberflächenemitterdioden, 159Oberflächenrekombination, 141Offset
~abgleich, 485~kompensation, 483~spannung, 468, 470, 471, 473, 483–486,
507–509~spannungsdrift, 473~spannungskompensation, 465~strom, 482, 483, 509
OLED, 143–148OLMCs, 656, 663Omnifet, 398One Time Programmable ROM, 588on-state resistance, 376open loop gain, 474Open-Collector-Ausgang, 550, 615Open-Collector-Stufen, 536Operational Transconductance Amplifier, 469Operationsverstärker, 463–469, 471, 474,
476–478, 480–483, 485, 487–491, 493,495, 496, 498, 500, 504, 505, 507, 508,517, 525, 529, 573, 643
Operationsverstärker, idealer, 478, 507Operationsverstärker, Typen, 468Operationsverstärker, zerhackerstabilisierte,
486Optokoppler, 143OPV, Nutzungsgrenze, 488Organisation, 575, 577, 578, 583, 584, 597, 613OTA, 469
Sachverzeichnis 707
OTP-ROM, 588OUM, 609, 610Output Disable, 550Output Enable, 550, 582, 662Output Logic Macrocells, 656, 663output resistance, 480Output Swing, 502, 503overload recovery, 504Ovonic Unified Memory, 609Oxidation, 109, 146, 360, 519, 521, 595, 648Oxidschicht, 340, 357, 360, 364, 456, 590, 599,
600, 602, 630
PPaarbildung, 26, 54, 67, 165Pads, 519, 522Page-Mode, 623, 624PAL, 652–663Parameterstreuung, 640partition noise, 272Passivmatrix-Displays, 147Pauli-Prinzip, 14peak current, 252, 386peak pulse power dissipation, 120peak surge forward current, 101peak surge reverse voltage, 101Pegelanpassstufen, 536Pegelanpassung, 509, 536, 550, 582Pegelbereiche, 532–534Pegelverschiebungsdiode, 541, 548–550, 552,
553Pentacen, 6Periodensystem, 5, 6Peripherie-Modus, 675Perowskitstruktur, 607Personalisierung, 631, 674p-Halbleiter, 33, 34, 36, 75, 196phase margin, 494Phase-Change RAM, 609Phasen
~anschnittsteuerung, 442–445, 448~bedingung, 492, 493~drehung, 490, 491, 493, 495~rand, 494~reserve, 494, 495, 499, 502~spielraum, 494~splitter, 548, 554~splittertransistor, 554~verlauf, 490
~verschiebung, 206, 208, 224, 336, 444,489, 491, 493, 495, 496, 507
~wechselspeicher, 609Phonon, 22Phononen, 22, 25, 26, 201Phononenenergie, 25Phononenerzeugung, 131Photon, 22, 24, 141, 146, 165, 192Photonenemission, 152Photonenreflexion, 154pinch-off voltage, 341Pinch-off-Spannung, 347, 351, 353pin-Diode, 63, 69, 114, 115, 188–191, 207, 414PLA, 531, 652, 654–658Placement, 641, 642Planar-Gate, 418Planartechnik, 108, 109, 112, 132, 324, 350,
407, 424Planartransistor, 320, 324Planck’sches Wirkungsquantum, 28Plasma, 210Platin, 17PLD, 531, 576, 631, 632, 652, 670PLED, 144PMOS, 527, 539, 561, 563, 616, 641PMOS-Technologie, 561, 616pn-Diode, 77, 78, 81, 82, 114, 115, 117, 119,
183, 186, 188, 189, 199, 220, 270, 290,409
pnp-Transistoren, 219, 225, 240, 324, 330, 331,343, 527, 557
pn-Übergang, 19, 39, 43, 44, 50, 52–62, 64,66–69, 71–73, 77, 80, 82, 88, 94, 95,108–110, 112–114, 117, 123, 131,135–137, 151, 155, 156, 164, 169–171,173, 181, 183, 197, 200, 206, 212, 225,230, 270, 290, 320, 324, 325, 327, 339,347, 350–352, 361, 385, 394, 401, 407,414, 426–429, 431, 437, 446, 451, 456,458, 459, 588
abrupter, 40, 57einseitig abrupter, 57spannungsloser, 51, 56, 59, 677
Pole-Splitting-Verfahren, 496Polverschiebungen, 497Polyacetylen, 6Polymer, 6, 147Polymere, konjugierte, 144Polysilizium, 360, 396, 590, 602
708 Sachverzeichnis
Popcorn noise, 271Popcornrauschen, 259, 271Potenzialanpassung, 508Potenzialbarriere, 38, 47, 53, 192, 210, 456,
591, 596power derating curve, 255, 387power supply rejection rate, 473PRAM, 609Präzisionsmessverstärker, 486Precharge-Phase, 571PROFET, 399, 400Programmable Array Logic, 631, 652, 655Programmable Gate Array, 631Programmable Interconnect Point, 674Programmable Logic Array, 531, 631, 652, 654Programmable Logic Device, 531, 576, 631,
652Programmierbare Logik, 531, 631, 634, 652,
658Programmiergerät, 585, 587, 589, 652, 659,
674, 676Programmierimpuls, 587, 588Programmierung, 531, 585, 588, 589, 591–594,
597, 599, 600, 605, 609, 631, 632, 652,653, 656, 659, 666, 669, 674, 676
Programmiervorgang, 589, 593, 674Programmspeicher, 585, 587, 597, 598PROM, 587, 588, 598, 631, 654PROMs, bipolare, 587PROMs, MOS-~, 588propagation delay time, 536Properties, 638, 642Proportionalitätsprinzip, 2Protonen, 192Prozess
fotolithografischer, 109stationärer, 259, 266stationärer ergodischer, 266stationärer stochastischer, 266stochastischer ergodischer, 266
Prozesskonstante, 369Prozessparameter, 640, 641Prüfpfadtechnik, 649psn-Dioden, 114PT-IGBT, 406–409, 414Ptot, 253, 387, 388PT-Struktur, 406Pufferkondensator, 549PUJT, 461
Puls~betrieb, 209, 255, 256, 258, 680~dauer, 189, 252, 256, 386~energie, maximale, 101~frequenz, 101~spitzenleistung, 120, 680~wiederholrate, 252
Pumpenergie, elektrische, 156Pumpstrom, 152punch-through, 62, 67, 68, 240, 407Punch-Through-Struktur, 406Punktmatrixdarstellungen, 142p-Wanne, 406, 410, 411, 418, 568, 593
Qqcw-Betrieb, 161Quanten, 146, 192
~effizienz, 147~hypothese, 22~mechanik, 192, 686~theorie, 13, 14, 192~wirkungsgrad, 165, 166
Quantisierungsrauschen, 259Quarzglasfenster, 592Quarzsand, 5Quarzschicht, 131Quellen, gesteuerte, 2, 217Quellenwiderstand, optimaler, 275, 276quenched-domain mode, 204Querstrom, 500, 566, 569quiescent current, 500
RRadikal-Anion, 147Radikal-Kation, 147Rail-to-Rail-Operationsverstärker, 467Rail-to-Rail-OPVs, 467, 475Rakel, 521Rakeldruck, 521Rakelgeschwindigkeit, 521RAM, dynamisches, 616RAM-Port, 625Random Access Memory, 610random telegraph signals (RTS noise), 271RAS-CAS-Verzögerung, 618, 622RAS-only-Refresh, 622RAS-Vorladezeit, 620–622, 624RAS-Zugriffszeit, 622Raumladungen, 42, 44, 183
Sachverzeichnis 709
Raumladungsdomäne, 202, 204Raumladungszone, 39, 43, 48, 49, 53–55, 63,
66–68, 83, 86, 87, 94, 115, 126, 131,163, 169, 171, 173, 183, 185, 190, 204,206, 281, 328, 348, 357–359, 363, 364,367, 392, 401, 407, 408, 410, 427, 456,457, 680
Rausch~leistung, 259, 269, 272, 559~leistungsdichte, 269~maß, 273, 680~quellen, 259, 268, 269, 504–506~quellen, überlagerte, 268~signal, 258, 267~spannung, 258, 260, 269, 270, 504, 505,
507~spannung, effektive, 269, 683~spannungsdichte, 504–506~strom, 171, 258, 269–272, 504~stromdichte, 272, 504, 505~temperatur, 507
Rauschen, 113, 205, 209, 211, 258, 259, 266,268–271, 273, 296, 391, 402, 486, 499,504, 517, 559
Avalanche-~, 272Gate-~, 391Gauß verteiltes, 269Generations-Rekombinations-~, 272, 391Kanal-~, 391rosa, 271thermisches, 259, 269weißes, 268, 273, 274
Rauschzahl, 272–274, 391, 392, 403, 507, 678,680
frequenzabhängige, 275ideale, 391Minimierung, 274optimale, 275, 276spektrale, 273
RCT, 449RDRAM, 625Reabsorption, 136Read Cycle Time, 584Read Enable, 582Read Only Memory, 585Readback, 675Read-Diode, 206Redoxpotenzial, 147Reduktion, 146, 476, 484, 596, 600, 647
Referenzgehäusetemperatur, 253, 681Referenzumgebungstemperatur, 253, 681Reflexion, 156, 157, 165, 169, 177, 609Reflexionskoeffizient, 154Reflexionsverluste, 176Reflow-Lötung, 523Refresh, 571, 622, 623Refresh-Arten, 622Register, 578–580, 625, 636, 639, 649, 650,
655, 659, 670, 673, 675Registertransferbeschreibung, 636Register-Transferebene, 636Regression, lineare, 88Regressionsfunktion, 88Reihenschwingkreis, 96Rekombination, 22, 24–26, 30, 35, 41, 55, 60,
70, 86, 130, 131, 141, 146, 147, 175,176, 215, 272, 286, 287, 327, 363, 364,440
direkte, 24indirekte, 25, 26nicht strahlende, 131, 140, 141
Rekombinationsstrom, 87, 227, 278Rekombinationsvorgänge, 87Rekombinationszentren, 25, 166, 174Rekombinationszone, 214, 215Rekonfigurierbarkeit, 674, 676repetitive peak forward current, 101, 103repetitive peak reverse voltage, 101, 103Resonanzfrequenz, 187, 188, 203, 204, 678Resonator, optischer, 154Resonatorspiegel, 154Reststrom, 242, 243, 347, 430, 431Restströme, Messung, 243retention, 589Reversdiode, 394reverse current, 83, 104reverse recovery time, 72, 96, 104, 212, 446reverse region, 224reverse voltage, 52, 83, 103, 106reverse-conducting thyristor, 449Reziprozitätsbedingung, 292Richtwirkung, 138rise time, 104, 285ROM, maskenprogrammiert, 586Row Adress Strobe, 618RTL, 538–540, 639Rückflussdämpfungen, 313Rückkopplungsnetzwerk, 476, 493
710 Sachverzeichnis
Rückstrom, 96, 327, 439, 440, 445Rückstromfallzeit, 96Rückstromspitze, 441Rückwärts
~betrieb, 224, 394, 414, 449~diode, 198, 199, 361, 386-Durchbruchspannung, 427~erholzeit, 72, 96, 104~sperrspannung, 414-Spitzensperrspannung, periodische, 441~steilheit, 298, 681~strom, 72, 83, 100, 679~stromverstärkung, 224, 290, 291, 677-Übertragungsfaktor, 312
Rückwirkungsfaktor, differenzieller, 247, 297Rückwirkungskapazität, 318, 382, 384Rückwirkungskennlinie, 247Rückwirkungs-Kennlinienfeld, 234Ruhestromkompensation, 482
Ssafe operating area, 257, 387, 393, 415Sägezahngenerator, 460Sägezahnspannung, 127, 460SAMOS, 590SAM-Port, 625Saphir, 214, 215Sättigung, 119, 222, 241, 293, 318, 344, 349,
353, 365, 367, 371, 475, 484, 486, 501,504, 513, 517, 541, 543, 551, 553
Sättigungs~bereich, 223, 233, 241, 288, 353, 368, 370,
371, 381, 414, 513~betrieb, 222, 223, 234-Driftgeschwindigkeit, 401~geschwindigkeit, 202, 208, 211, 384, 401,
683~spannung, 241, 293, 344, 414, 475, 565~wert, 68, 113, 288~zustand, 241
saturation region, 223SBC-Technik, 324Schalenmodell, 13, 14Schalt
~dioden, 72, 96, 118, 212~frequenz, 284, 390, 415, 423, 450, 452,
538, 549~frequenz, maximale, 537
~geschwindigkeit, 278, 324, 405, 409, 415,445, 449, 461, 573, 629, 639, 640
~kreise, integrierte, 3, 388, 463~kreisfamilie, 527, 532, 533, 535, 536, 538,
546, 666~netzteile, 119, 393~spannung, 95, 126, 446, 545~strom, 389, 405, 445~stufe, 388–391, 532, 537, 545, 565, 567~transistoren, 119, 241, 388, 543~verhalten, 69, 93, 284, 327, 334, 335, 389,
397, 415, 457, 536, 687~verluste, 409, 419, 450, 457~vorgänge, 215, 225, 440, 562, 564~zeichen, 78, 79, 331, 405, 421, 450, 453,
455–458, 550~zeiten, 114, 170, 225, 285, 287, 288, 335,
343, 344, 390, 393, 398, 409, 457,520, 527, 536, 537, 542, 546, 548,552, 553, 555, 657
~zeiten, Verkürzung, 287, 288~zustände, 233, 421, 532
Schalten, hartes, 415, 457Schalter, elektronischer, 233, 421, 446Schalterbetrieb, 233, 289, 373, 388, 390Schaltung, integrierte, 108, 148, 320, 443, 464,
471, 519, 573, 627, 628, 630, 643, 646Schaltungen mit Bipolartransistoren,
rauscharme, 275Schaltungen, kombinatorische, 655Schaltungen, sequenzielle, 655Schaltungsfunktionen, 529Schaltungssynthese, 637, 639Scharmittel, 265Schichtschaltungen, 520Schieberegisterspeicher, 610Schleifenverstärkung, 487, 492–496Schleusenspannung, 82, 84, 85, 118, 130, 332,
456, 569, 683Schmelzpunkt, 108Schnittfrequenz, 493, 496Schonzeit, 440, 682Schottky Diode FET Logic, 540Schottky-Diode, Anwendungsbereiche, 119Schottky-Diode, Eigenschaften, 119Schottky-Dioden, 77, 82, 83, 96, 101, 115, 118,
212, 546, 553, 554Schottky-Feldeffekttransistor, 400
Sachverzeichnis 711
Schottky-Kontakt, 74, 75, 108, 115, 118, 401,403
Schottky-Logik-Schaltkreise, 119Schottky-TTL, 527, 553, 554, 556, 663Schottky-Übergang, 401Schräganschliff, 425Schreib-/Lese-Speicher, 577, 578, 581, 610Schreib-/Löschzyklen, 599, 600Schreibbefehl, 581, 584, 593Schreibimpuls, Dauer, 584Schreibvorgang, 577, 584, 602, 605, 606, 608,
609, 611, 612, 614, 615, 621Schreibzyklus, 585, 596, 621Schrotrauschen, 259, 270, 271, 391Schrotrauschspannung, 271Schutzdioden, integrierte, 569Schutzfunktionen, 399Schutzgasatmosphäre, 425Schutzschaltungen, 343, 398, 568, 673Schutzschicht, 521Schweifstromverlauf, 418Schwellenspannung, 341, 359, 361, 369, 372,
375, 390, 410, 413, 416, 533, 563, 564Schwellwertschalter, 460Schwellwertspannung, 362–364Schwingbedingung, 491, 493Schwingfrequenz, maximale, 284, 327, 329,
330, 384, 678Schwingkreis, 183, 186, 187, 198, 203, 211Schwingneigung, 197, 470, 495, 516, 517Schwingung
gedämpfte, 96, 493selbsterregte, 492, 493stationäre, 493
Schwingungserzeugung, 198, 202, 476SDFL, 540SDHT, 401SDRAM, 625Sea of Gates, 630, 672secondary breakdown, 252Selectively Doped Heterojunction Field Effect
Transistor, 401Semi-Custom-Entwurf, 629Settling Time, 502, 503Set-up-Time, 537SHE-Prozess, 591Shockley-Formel, 86, 100, 163shot noise, 270SH-Struktur, 137, 138
Sicherheitsabstand, 533Siebdruckverfahren, 520Siebensegmentanzeigen, 142Signal, determiniertes, 258Signal, stochastisches, 258Signaldioden, 79Signallaufzeit, mittlere, 536Signal-Rauschabstand, 273Signalübergangszeiten, 536Signalübertragung, differenzielle, 544Signalverzögerungszeit, 536Silan, 110, 175Silberleitkleber, 522silicon-controlled rectifier, 421Silizium, 5, 7, 10, 12–14, 21, 26, 29, 31, 32, 35,
36, 40, 47, 48, 55, 57, 61, 68, 73, 77, 78,81, 82, 97, 99, 101, 102, 106, 108–110,118, 119, 127, 131, 132, 145, 148, 163,166, 168, 173–175, 177, 183, 212, 214,219, 226, 253, 255, 277, 325, 336, 343,345, 357, 360, 369, 387, 391, 403, 410,424, 524, 539, 562, 587
Siliziumdiode, diffundierte, 110Siliziumnitrid, 593Siliziumpulver, 5Simulation, 294, 378, 633, 637, 639–641, 649Singleheterostruktur, 137Single-Mode-Laser, dynamische, 156Single-Supply-Operationsverstärker, 467SIPMOS-FETs, 397SITh, 456Slave-Mode, 675SLDRAM, 625Slew Rate, 500–502, 508Small Scale Integration, 526small signal current gain, 280Smart Power Devices, 398SMD, 116, 123, 133, 135, 322, 323, 466, 516,
520, 524, 527, 530SMD-Bauteile, 516, 520SMD-Gehäuse, 466, 516, 530SMD-Transistoren, 323SMOLED, 144snap-off diode, 212Solarpanel, 176, 179Solarzelle, 20, 168, 172–176, 178–182, 680
amorphe, 174, 181monokristalline, 174polykristalline, 174
712 Sachverzeichnis
Sonnenlicht, 143, 173, 177Source, 129, 337, 338, 340, 344–346, 348, 349,
351, 359–369, 373, 379–388, 391–393,396, 399, 415, 417, 418, 561, 565, 570,586, 590–594, 597, 602, 608, 682
Sourceschaltung, 344, 345, 379, 381, 382, 510Spaltenleitung, 578, 590, 591, 613Spannungs
~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegsrate, 500, 501, 681~komparator, 476~nachlaufzeit, 95, 439~quelle, spannungsgesteuerte, 304, 480~rauschen, 504–506~rückwirkung, 234, 304, 305~spitzen, 119, 121, 213, 399, 547~stabilisierung, 128~steilheit, 127, 446~steilheit, kritische, 428, 435~steuerkennlinie, 245, 246, 332, 344, 352,
379~steuerung, 238, 250, 338, 344, 389, 393,
468, 469~transienten, 120~verhältnis, inneres, 459~wellen, 311, 312
s-Parameter, 303, 311–313Spare Page, 600Speicher
bitorganisierter, 578~gate, 590~kapazität, 583, 599, 602, 613, 617~ladung, 344, 398, 415~organisation, 577~schaltdiode, 212, 213wortorganisierter, 578~zeit, 72, 95, 96, 285–288, 344, 391, 451,
543, 592, 595, 682~zeitkonstante, 287~zelle, 577, 581, 586, 587, 590–594, 602,
604, 608, 611–614, 618–621, 624,672, 674, 675
Spektralbereich, 132, 133, 138, 142Spektraldichte, 268, 269Spektrallinien, 155Sperr
~bereich, 52, 55, 73, 77, 78, 80, 83, 84, 87,93, 100, 102, 113, 125, 127, 187,
223, 233, 240, 241, 244, 368, 387,446, 542
~betrieb, 69, 71, 84, 85, 115, 189, 191, 212,222, 223, 233, 250, 410, 427, 439,446
~kennlinie, 124, 426, 433, 437~reststrom, 120, 679~richtung, 52, 53, 61, 67, 69, 73, 78, 80, 81,
86, 87, 93, 95, 119, 124–128, 163,171, 183, 208, 210, 212, 222, 224,226, 228, 232, 233, 241, 242, 287,318, 324, 325, 339, 340, 346, 347,361, 386, 414, 426, 427, 430, 439,683
~sättigungsstrom, 54, 55, 61, 73, 83, 95, 98,440, 679
Sperrschicht, 42, 43, 49, 53, 55, 59, 61, 64, 65,67, 68, 70, 95, 101, 104, 107, 113, 131,164, 169, 170, 186, 193–196, 224, 226,253, 254, 257, 281, 291, 299, 317, 337,339–342, 344–348, 350, 353, 355, 361,365–367, 371, 372, 385–387, 391, 398,400, 401, 404, 410, 451, 500, 548, 588,681
~berührungsspannung, 68~breite, 48, 683~fläche, 56, 57, 113, 114, 173, 242, 677~kapazität, 49, 56, 57, 60, 61, 72, 80, 93,
95, 113, 114, 141, 168, 171, 172,183, 185–188, 191, 281, 318, 320,437, 553, 677
~ladung, 94~temperatur, 66, 103, 107, 234, 243, 253,
255, 681~weite, 48–50, 56, 64, 87, 114, 183, 339,
347, 683Sperrschicht-FET, 340–342, 344–347, 353,
361, 366, 372, 385–387, 391Sperrspannung, 53, 54, 56, 61, 62, 64, 67–69,
80, 83, 86, 93, 95, 96, 100–103,113–115, 119, 120, 125, 129, 141, 161,167, 168, 170, 171, 183, 185, 187, 190,213, 224, 239, 243, 257, 285, 318, 347,348, 350, 352, 377, 392, 397, 405, 408,409, 415, 421, 424, 426, 427, 439–441,446, 449, 450, 452, 455, 683
Sperrspannung, maximale, 100, 183, 377, 392,683
Sperrspannungsfestigkeit, 409, 554
Sachverzeichnis 713
Sperrstrom, 54, 55, 61, 67, 68, 71, 81, 83, 87,95, 97, 98, 100, 101, 104, 107, 113, 118,119, 125–127, 163, 164, 172, 226, 228,239, 242, 243, 278, 352, 355, 362, 387,391, 427, 432–434, 443, 445, 679
Sperrstrom, temperaturabhängiger, 97Sperrstromanteil, 223, 239Sperrverzögerungszeit, 72, 96, 398, 440, 446,
682Sperrverzugszeit, 96, 212, 440, 682Spin, 605, 606spin coating, 144Spincoaten, 145Spitzendioden, 112–114Spitzenflussstrom, 101, 679Spitzenflussstrom, periodischer, 101, 679Spitzensperrspannung, 100, 103, 106, 434, 683Spitzensperrspannung, periodische, 96, 101,
433, 434, 683Spitzenstrom, maximaler, 386Spitzenströme, 252Spitzentransistor, 318Split-Gate-Zelle, 602SRAM-Speichermatrix, 613SRAM-Speicherzelle, 611SSI-Schaltungen, 526Stabilisierung, 80, 83, 119, 127, 128, 464Stabilitätsbedingung, 493, 495Stabilitätsprobleme, 311, 468Stabilitätsreserve, 494Stacks, 161Standard Burried Collector, 324Standardabweichung, 265–267, 684Standardschaltungen, 531Standard-TTL, 546, 551–554Standardzellen-Design, 629standby current, 120Stand-By Mode, 582stand-off voltage, 120, 121static forward current transfer ratio, 280Static-Induction Thyristor, 456Status-Signal, 399Steilheit, 152, 246, 298, 309, 318, 344, 353,
356, 369–371, 379, 381, 383, 393, 399,416, 417, 439, 470, 471, 502, 678, 681
Steilheitskoeffizient, 369, 679Steilheitsparameter, 369, 372, 375, 514, 679step-recovery-diode, 212Steuer
~elektrode, 125, 228, 337, 338, 351, 384,425, 427, 445, 446
~gate, 590, 591, 597, 599, 602~kennlinie, 245, 352, 353, 355~spannung, 8, 246, 338, 340, 346, 360, 362,
373, 374, 388, 401, 410, 416, 417,427, 434, 436, 446, 591
~strom, 8, 218, 238, 242, 331, 338, 418,429, 432, 433, 435, 436, 447, 448
~winkel, 443Stichprobenraum, 261, 264, 684Stichprobenumfang, 261, 684Stirnflächenreflexion, 156Stochastik, 260Störabstand, 533–535, 539, 551, 565, 570storage time, 285Störatome, 32, 33, 35Störleitung, 32Störniveaus, 25Störsicherheit, 520, 532, 533, 539, 555, 563,
669Störspannungsabstand, 534, 535, 544Störspannungsabstand, statischer, 533, 534Störspannungsspitzen, 549Störstellen
~erschöpfung, 36, 37ionisierte, 402-Leitfähigkeit, 34~leitung, 32, 34–36~reserve, 36, 37tiefe, 25
Stoßionisation, 62, 65, 172, 206Stoßspitzensperrspannung, 106, 115, 434Stoßstrom, 107, 120, 434, 679Stoßstromgrenzwert, 441, 442Strahlungserzeugung, 25, 131Strahlungsfluss, 134Strahlungsleistung, 134, 138, 140, 152, 161,
177Strahlungsleistung, globale, 177Strahlungsleistung, spektrale, 177Strahlungsmessung, 190Streuparameter, 311Streuprozesse, 402Streuung, 177, 229, 266, 267, 336, 402, 684Strom
~anstiegsgeschwindigkeit, 437, 445~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegssteilheit, 428
714 Sachverzeichnis
~begrenzung, 128, 252, 398, 409, 448, 480,518, 546, 598
~impuls, 202, 210, 211, 390, 423, 587, 588,605, 609
~quellenbereich, 353~rauschen, 506~richter, 442~schweif, 415, 418~spiegel, 512, 514, 643-Steuerkennlinie, 245, 250, 305~steuerung, 238, 247, 250, 344, 470~tragfähigkeit, 377, 409, 453~übertragungsfaktor, 471~verstärker, 240, 471
Stromverstärkung, 218, 223–225, 229, 231,234, 240, 245, 273, 274, 277–283, 290,292, 294, 299, 300, 303–305, 315, 316,318, 324, 328, 330–336, 344, 383, 410,412, 431, 483, 510, 573, 677, 684
Basisschaltung, 279Emitterschaltung, 280inverse, 224, 291, 677Umrechnung, 281
Stromverteilung, inhomogene, 252, 432Stromverteilungsrauschen, 259, 272, 274Strom-Zeit-Fläche, maximale, 101Struktur
Diamant-~, 13Kristall~, 13, 15, 65, 174, 606, 607, 610Wurtzit-~, 13Zinkblende-~, 13
Strukturdomäne, 636Substrat, 32, 77, 108, 110, 118, 144, 145, 173,
220, 323, 325, 337, 342, 350, 357–364,385–387, 401, 405–407, 410, 411, 519,520, 523, 524, 591, 592, 594, 597, 643,647
Substratdotierung, 38Substrate Hot Electron Process, 591Substratsteuereffekt, 361, 362, 381Super-Beta-Schaltung, 331Superpositionsprinzip, 2supply voltage rejection ratio, 485Surface Mounted Devices, 527surge current, 107, 120, 121switching diode, 118Symmetrieabweichung, 127Systemkonstanten, 585Systemtabellen, 585
TTabellenspeicher, 575, 585Tailstrom, 409, 415, 418Taktfrequenz, maximale, 658Talspannung, 459, 460Talstrom, 194, 196, 459, 679Technik, biomedizinische, 404TEGFET, 401Teilerverhältnis, 459Telegrafen-Rauschen, 271Temperatur, 7, 9, 18, 21, 26, 27, 29, 35–38, 55,
57, 63, 65, 66, 73, 97–102, 109, 110,112, 127, 130, 144, 158, 161, 178, 179,185, 234, 235, 237, 242, 253, 254, 269,270, 274, 278, 319, 321, 344, 355, 356,375–377, 387, 414, 436, 437, 441, 483,485, 500, 510, 511, 517, 520, 522, 600,643, 651, 681, 684
~abhängigkeit, 29, 30, 36, 37, 55, 66,97–99, 123, 185, 237, 336, 344, 355,356, 375, 409, 436, 484, 511, 526,555
~bereiche, 37, 529~drift, 235, 336, 483, 485, 486, 509intrinsische, 38, 681~koeffizient, 66, 129, 356, 376, 409, 461,
510, 683~kompensationspunkt, 356, 376~messung, 123~spannung, 27, 31, 73, 86, 100, 163, 167,
274, 276, 318, 683~strahler, 138~verhalten, 66, 158, 375, 651
Tempern, 110TEMPFET, 399T-Ersatzschaltbild, 300Test Access Port, 650Testmuster, 645, 648, 649, 651Tetracen, 6Tetraeder, 13TFT-Displays, 405TFT-Transistor, 405thermal noise, 269Thermischer Durchbruch, 62, 66Thermokompressionsbonden, 522, 523Thermosonic-Bonden, 522Thin Film Transistor, 148threshold voltage, 341, 359, 362Through Hole Technology, 527
Sachverzeichnis 715
THT, 466, 527Thyratron, 421Thyristor, 124, 125, 399, 410, 411, 421–427,
429, 432, 435, 437–440, 442–446,448–458, 461, 569
asymmetrisch sperrender, 449~dioden, 124, 422-Ersatzschaltung, 411feldgesteuerter, 456lichtgesteuerter, 455MOS-gesteuerter, 452rückwärts leitender, 449~struktur, parasitäre, 412~tetroden, 422, 448, 449~trioden, 422
Thyristoren, abschaltbare, 450Thyristorstruktur, 569Time Dependent Dielectric Breakdown, 595TMR-Element, 605Top-Down-Design, 633, 634Topfet, 398Totem-Pole-Ausgang, 536, 548Totem-Pole-Ausgangsschaltung, 548Trägermaterial, 214, 323, 406, 519, 520Trägerstaueffekt, 95, 440, 446Transfergatter, 570, 621, 625Transil, 123Transimpedanzverstärker, 168, 470Transistor, Rauscheigenschaften, 272Transistoren, integrierte, 220, 294, 320, 323Transistoren, laterale, 324Transistoren, vertikale, 324Transistor-Schaltstufe, 284Transistor-Transistor-Logik, 527, 546transit frequency, 488transit time mode, 202Transitfrequenz, 276, 282–284, 286, 303, 317,
329, 330, 383, 402, 403, 488, 489, 496,497, 678
Transitgrenzfrequenz, 282, 383, 384transition frequency, 282Transitzeit, 61, 202–204, 209, 210, 294, 684Transitzeit-Betrieb, 202, 203Transkonduktanz, 369, 469, 470, 679, 681Transkonduktanz-Koeffizient, 369, 679Transkonduktanz-Verstärker, 469, 470Transmissionsgatter, 570Transportmodell, 290, 293, 294Transportstrom, 294
Transzorb, 123TRAPATT-Diode, 206, 209, 210traps, 25, 431, 593Treiber, 321, 457, 458, 471, 529, 536, 550, 582Trench-Gate, 418Trench-IGBT, 418Trench-Isolation, 325Trennverstärker, 143, 498TRIAC, 446–448Triggerdiode, bidirektionale, 124Trigger-Impuls, 127triode alternating current switch, 446Triodenbereich, 351Tri-State-Ausgang, 536, 550, 551, 662, 665Tri-State-Ausgangsstufen, 536TSE-Schutzbeschaltung, 440TTL, 399, 527, 529, 534–536, 539, 543–549,
551, 552, 554, 555, 557–559, 561, 563,566, 573, 582, 658, 659, 673
TTL-Pegel, 534TT-Modus, 203, 204tubs, 568Tunnel
~barriere, 604, 605~diode, 191, 194–198, 202-Durchbruch, 62~effekt, 63, 65, 192, 194, 595~element, magnetoresistives, 605~kontakt, 605~magnetwiderstand, 604~strom, 194, 196, 199, 604~vorgang, 193~wahrscheinlichkeit, 605~widerstand, magnetischer, 604
Tunnel Injection, 602Tunnel Release, 602Tunneling Magneto Resistance Effekt, 604turn off time, 285turn on time, 285TVS-Dioden, 123Two Dimensional Electron Gas Field Effect
Transistor, 402
UÜbergänge
abrupte, 56hyperabrupte, 56isotype, 137lineare, 56
716 Sachverzeichnis
Übergangsbereich, 125, 126, 130, 533Übergangskennlinie, 426Übergangszeit, 96, 682Überhitzung, lokale, 327Überkopfzündung, 428, 432, 440Überlagerungsfarbe, 133Überlagerungssatz, 2Überspannungsableiter, gasgefüllte, 123Überspannungsspitzen, 119Übersprechen, 259, 532Übersteuerung, 119, 286, 287, 476, 484, 517Übersteuerungs
~bereich, 223, 240, 241, 285, 475~faktor, 241, 286, 287, 683~grad, 286, 683~grenze, 241, 286
Übertragungs~funktion, 491, 496–498~gleichungen, 380, 468~kennlinie, 245, 352, 355, 356, 368–370,
372, 376, 413, 469, 470, 474, 475,483, 484, 513, 514, 532–534, 543,553, 566
-Kennlinienfeld, 234~steilheit, 246, 353, 369, 370, 414, 470, 681
UCP-Zelle, 602UJT, 337, 458–461ULSI-Schaltungen, 526Ultraschall, 522Ultrasonic-Bonden, 522Umgebungstemperatur, 141, 176, 253–256,
387, 473, 500, 529, 557, 681Umladestromspitze, 95, 96Umladevorgänge, 391, 548UMOS-Struktur, 396Unijunction-Transistor, 458Unijunction-Transistor, programmierbarer, 461Unipolartransistoren, 219, 337unity gain bandwidth, 488unity gain frequency, 282Unschärferelation, 192, 193Unterniveaus, 15UV-Bestrahlung, 589, 592
VVakuum, 16, 17Vakuumenergie, 17Vakuum-Level, 16Vakuumniveau, 17
Valenzband, 15–18, 20–22, 24–28, 35, 36, 65,131, 146, 164, 195, 196, 201, 328, 678,680
Valenzelektronen, 5, 6, 10, 11, 15, 21, 64, 195Varaktor, 182, 183, 617Varaktordiode, 556Varianz, 265–267, 684Varicap, 183Varistoren, 123VC-OPV, 469, 471VCSEL, 159Verarmungstyp, 340, 341, 360, 364, 366, 367,
372, 394, 562, 594Verarmungszone, 74, 75, 207, 210, 347, 364,
591Verdrahtungskanal, 673Verhalten
Ohm’sches, 365, 367Verhaltensdomäne, 636Verknüpfungslogik, 598Verlustleistung, 66, 68, 69, 93, 101, 103, 117,
160, 223, 252, 253, 255–257, 321, 343,372, 373, 376, 387, 390, 408–410, 427,434, 436, 443, 446, 460, 500, 516, 517,537, 538, 540–542, 544, 545, 553, 560,563, 565, 573, 627, 680
dynamische, 538, 566maximale, 100, 215, 250, 252, 253, 255,
257, 321, 384, 387, 388, 555, 680maximale Ptot, 102maximale thermische, 257statische, 255, 256, 538, 561, 563, 566
Verlustleistung Ptot, 129, 141Verlustleistungshyperbel, 257Verschiebungsstrom, 608Versorgungsspannungsbereich, 500, 564, 633,
640, 641Versorgungsspannungsunterdrückung, 473Verstärker, 3, 157, 191, 198, 217, 228,
231–233, 242, 344, 345, 351, 399, 463,464, 467, 469, 471, 473, 486, 487, 490,492, 493, 499, 505, 513, 517, 529
Verstärker, stromgegengekoppelter, 470Verstärkerbetrieb, 231, 232, 241Verstärkerwirkung, 1Verstärkung, 155, 172, 198, 217, 223, 231, 232,
247, 259, 327, 353, 370, 382, 399, 463,464, 470–473, 475, 476, 478–480,
Sachverzeichnis 717
486–491, 493, 495–499, 501, 504, 507,510, 514, 515, 621
Verstärkungs~-Bandbreite-Produkt, 282, 473, 488, 489,
678~bereich, 222, 223, 514~bereich, inverser, 224~betrieb, 224~eigenschaft, 2~führung, 156~reserve, 494
Verteilung, 18, 19, 32, 38, 134, 159, 225, 226,263–265, 272, 320, 326, 600, 641
Verteilungsdichte, 264–266, 680Verteilungsfunktion, 263, 264, 678vertical cavity surface emitting diode, 159Vertikaltransistor, 324Very Large Scale Integration, 526Verzerrungen, 187, 188, 231, 247, 300, 344,
513Verzögerungszeit, 206, 390, 391, 555, 557, 558,
640VHDL, 636, 639, 674Vierpol, 289, 301–303
~darstellungen, 303, 310~gleichungen, 289, 301–304, 309–311~parameter, 238, 244, 247, 301–304, 310,
314~theorie, 301
Vierquadranten-Kennlinienfeld, 248, 249, 305Vierschichthalbleiterbauelement, 406VLSI-Schaltungen, 526VMOS-Struktur, 393, 394, 396Vollaussteuerung, 443, 470, 502Voltage Feedback Operational Amplifier, 468Vorladen, 617, 621, 623Vorladeschaltkreis, 619, 620Vorwärtsbetrieb, 222, 232, 449, 548Vorwärtssperrspannungsstabilität, 413Vorwärtssperrzustand, 406, 408, 410, 413Vorwärts-Spitzensperrspannung, periodische,
440Vorwärts-Übertragungsfaktor, 312Vorwiderstand, 81, 125, 126, 128, 138, 569, 681VRAM, 625, 626VV-OPV, 468, 471, 507
WWafer, 108, 109, 112, 320, 325, 407, 453, 630,
644–647, 651Wahrscheinlichkeit, 18–20, 25, 193, 201, 258,
262–264, 272, 640, 643, 644, 647, 680Wahrscheinlichkeitsdichte, 264, 680Wahrscheinlichkeitstheorie, 258, 260Wahrscheinlichkeitsverteilung, 263, 678Wannierexziton, 146Wärme
~bewegung, 109, 227, 269~kapazität, 116~lehre, 253, 254~leitfolie, 255~leitpaste, 255~strom, 253~übergangswiderstand, 253~widerstand, 66, 104, 107, 253, 254, 256,
257, 500, 681~zufuhr, 26
Watt peak, 180Wear-Leveling, 599–601Wechselspannungsbetrieb, 139, 446Wechselspannungsverstärkung, 224Wechselspannungswiderstand,
gleichstromgesteuerter, 190Wechselstromeingangswiderstand, 237Wechselstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 93,
317, 379, 381, 382Wechselstromsteller, 443, 444, 448Wechselstromverstärkung, 245, 279, 280, 683Wechselwirkung, 10, 13–15, 17, 25, 28, 141,
201, 603Wedge, 522Wellen
~gruppe, 159~längenunsicherheit, 134~parameter, 311~vektor, 23~widerstand, 205, 311, 544, 683~zahl, 23, 24, 201, 679
Welle-Teilchen-Dualismus, 192wells, 568WE-Signal, 582Widerstand, negativer differenzieller, 196, 426,
432Widerstand, steuerbarer, 339, 351, 354, 373,
374
718 Sachverzeichnis
Widerstände, 1–3, 176, 190, 217, 281, 317,335, 377, 388, 389, 397, 448, 482, 487,490, 517, 519, 520, 526, 544–546, 553,560, 637
Widerstandsrauschen, 259, 269, 270, 391Widerstands-Transistor-Logik, 540Wiener-Khintchine-Theorem, 268Wire-Bonden, 522wired AND, 79, 536Wired-OR-Verknüpfung, 544Wirkungsgrad, 138, 152, 160, 174–177, 181,
203, 205, 209–211, 684Wortbreite, 582, 584Wortleitung, 578–580, 586, 591, 592, 594, 601,
606, 611–613, 617, 620, 621, 662Write Cycle Time, 585Write Enable, 582, 619Write Pulse Width, 584
XXIP, 598
YY-Diagramm, 635, 637Y-Leitwert-Matrix, 381ye-Leitwertmatrix, 302y-Parameter, 309, 310, 313, 314, 316
ZZ-Diode, 80, 102, 119, 124, 127–129, 385, 542Zeilenleitung, 578, 590, 613Zeitkonstante, thermische, 255Zenerbereich, 128Zener-Dioden, 65, 66, 80, 83, 124Zenerdurchbruch, 62–65, 68, 195Zener-Effekt, 64–66, 129Zenerspannung, 80, 124, 127–129, 288, 683ZENER-Tunneln, 65, 195Zentralatom, 13ZEROPOWER-RAM, 615Zerstörung, 61, 65, 82, 83, 102, 116, 139, 182,
251, 252, 258, 338, 376, 385, 399, 408,413, 588
Zerstörung, thermische, 356, 428, 437, 567Zinkoxid (ZnO), 6Zinkselenid (ZnSe), 6Zinksulfid (ZnS), 6Zone, verbotene, 15, 21, 34, 64, 65, 194, 196,
402Zonenschmelzen, 5Zufalls
~experiment, 260, 262~größen, 259, 265~prozess, 265~signal, 258, 260~variable, 260–265, 683
Zugriffszeit, 583, 584, 590, 593, 597, 598, 602,620, 621, 681
Zünd~ausbreitungszeit, 439, 682~bedingung, 430, 432, 436~bereich, 434, 435~eigenschaften, 446~impuls, 127, 428, 443, 445, 454, 456~impulsdauer, 434~impulsgenerator, 437~impulskette, 434~kreis, 127~spannung, 124, 432–434, 436, 459–461,
570, 682~strom, 426, 432, 434–437, 446~verzögerungszeit, 438, 682~verzugswinkel, 443~verzugszeit, 436, 438, 439~winkel, 443, 444~zeit, 434, 439, 682~zeitpunkt, 442, 443
Zünden, 123, 412, 421, 432, 436, 443, 569Zustandsdichten, effektive, 27, 29, 194Zweitor, 301, 311–313Zweiwegthyristor, 446Zwischenniveaus, 25Z-Zustand, 536
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