Praktkumsanleitung Schaltungsdesign WS 14/15...

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Praktkumsanleitung Schaltungsdesign WS 14/15

Inhaltsverzeichnis 1.RC-Glied – Transiente Analyse

2. Parameter

3. RC-Tiefpass - Frequenzanalyse

4. Oszillator

5. Statisches und dynamisches Verhalten von Feldeffekttransistoren DC- Analyse

6. Statisches und dynamisches Verhalten von Bipolar – Transistoren

7. Bipolar Kleinsignalverstärker8. Transformator

9. Schaltverhalten einer Diode

10. Spannungsstabilisierung mit der Z-Diode

11. Reihenschwingkreis 12. Tiefpass mit Operationsverstärkern 13. Thyristor-Phasenanschnitts-Steuerung 14. Gegengekoppelter, zweistufiger Transistor-Breitbandverstärker

Praktikum Schaltungssimulation Aufgaben

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1.RC-Glied – Transiente Analyse

Ziel: Darstellung von U(Ausgang)= f(t), U(eingang) = f (t) und W (R19 = f (t) Spannungsquelle/GND: source.olb Widerstand/Kondensator: analog.olb Quelle : VSIN Als Bezugspotential ist nur „0“ möglich!

10n

R1

100k

0

AusgangsspannnungEingangsspannnung

V1

FREQ = 200HzVAMPL = 2VVOFF = 0V

AC = 2V

VV

Simuationsprofl anlegen ; Simulationssetup Ergebnis:

Time

0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms

V(EINGANGSSPANNNUNG) V(AUSGANGSSPANNNUNG)

-2.0V

-1.0V

0V

1.0V

2.0V

Watt Meter auf dem Widerstand

10n

R1

100k

0


V1

FREQ = 200HzVAMPL = 2VVOFF = 0V

AC = 2V

W VV


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Time

0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms

1 V(EINGANGSSPANNNUNG) V(AUSGANGSSPANNNUNG) 2 W(R1)

-2.0V

0V

2.0V1

0W

20uW

40uW2

SEL>>SEL>>

W(R1)

0W

20uW

40uW

Zusätzlicher Plot (Plot , add plot to window….. trace, add trace Auswahl W(R1)

Ersetzen der Sinusquelle durch eine Pulsequelle

10n

R1

100k

0


VV

V1

TD = 0s

TF = 1usPW = 5msPER = 10ms

V1 = 1V

TR = 1us

V2 = 0V


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Time

0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms

V(EINGANGSSPANNNUNG) V(AUSGANGSSPANNNUNG)

0V

0.5V

1.0V

2. Parameter

Ziel: Darstellung der Lade- und Entladekurven verschiedener Kondensatoren in einem Diagramm Verwendete Bibliotheken: Spannungsquelle/GND: source.olb Widerstand/Kondensator.analog.olb Parameter:spezial.olb Schaltungsaufbau: Spannungsquelle Vpulse, um das Ein- und Ausschaltverhalten zu simulieren. Spannung V1 auf 0V und 1V. Die Anstiegs und Abfallzeit TR und TF sollten möglichst klein sein, um einen recheckigen Spannungsverlauf zu erhalten (1µs). Die Periodendauer ist auf 10s gesetzt und somit doppelt so groß wie die Halbwellendauer PW. Zu Verdeutlichung der Spannungen im Diagramm: Ausgangs- und Eingangsspannung netalias setzen, place-net alias. Wichtig nun für die Parametrierung ist, dass der Kondensator C1 keinen festen Wert sondern einen einen in geschweiften Klammern stehenden Variablennamen erhält. Hier:l VAR.


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Property Editor des Schriftzugs PARAMETERS öfnen ;Button New Column ; Add New

Column den Variablennamen unseres Kondensators und dessen Festwert eingeben.

Simulation:

Als Analysetyp wählen wir die transiente Analyse und stellen zusätzlich zu den regulären

Einstellungen einen Paramtic Sweep ein. Es handelt sich hier um einen Global parameter mit

dem Namen VAR. Als Werte wählen wir 5nF, 20nF, 50nF, 80nF


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und erhalten vier Ausgangskennlinien.

3. RC-Tiefpass - Frequenzanalyse

Ziel:

Darstellung des Frequenzganges in Volt und dB

Ermittlung der Grenzfrequenz

Bibliothekenhinweis:

Spannungsquelle/GND: source.olb Quelle: VAC

Widerstand/Kondensator: analog.olb

Aufbau der Schaltung mit Spannungsquelle Vsin, R1=10k und C1=100nF.

Im Menüpunkt place-netalias können wir auch hier die Aus- und Eingangsspannung, zur

Verdeutlichung, Ua und Ue nennen.


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Im property editor von V1 Uac=1V und Udc=0V ein stellen.

Starten der Simulation:

Menüpunkt pspice-edit simulation profile Parameter für Frequenzganganalyse Ac sweep/noise

…. als Startfrequenz 1Hz, Endfrequenz 10kHz , points/decade 100 ( logarithmische

Darstellung)

Darstellung der Ausgangskennlinie in Volt

Frequency

1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz

V(AUSGANGSSPANNNUNG)

0V

0.5V

1.0V


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Darstellung der Ausgangskennlinie in dB

Frequenzgang in dB darstellen: Menüpunkt Trace-add Trace , Funktion DB() und als Trace

die Spannung V(Ua1) auswählen.

Frequency

1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz

DB(V(AUSGANGSSPANNNUNG))

-40

-30

-20

-10

0

Eine andere Möglichkeit ist, im Stromlaufplan einen Vdb Marker setzen:


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10n

R1

100k

0


V11Vac

0V

VDB

mit Hilfe des Toggle-cursors die Grenzfrequenz ermitteln. Ergebnis: 159Hz

4. Oszillator

Ziel: Einsatz von Parameter sweep für Globalparameter

,

Bestimmen Sie den Rückkopplungswiderstand R4, bei dem die Schaltung stabil schwingt (Ziel: wenig Oberwellen)

Warum schwingt diese Schaltung nicht?


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R2

10k

R1

22

R5

2.2k

R6

470

R3

20

C3

0.1u

C2

22n

C4

2.2n

L1

10mH

1

2

00 00 0 0

Q1

Q2N3900

C1

10u

R4

rk

V1

AC =

TRAN =

DC = 12V

V

R2

10k

R1

22

R5

2.2k

R6

470

R3

20

C3

0.1u

C2

22n

C4

2.2n

R4

rueckkopplung

L1

10mH

1

2

00 00 0 0

Q1

Q2N3900

C1

10u

V1

TD = 0VTF = 1us

PW = 100s

PER = 101s

V1 = 0V

TR = 1us

V2 = 12V

PARAMETERS:

V


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Ausgangssignal für R4 (Rückkopplungswiderstand) = 600


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5. Statisches und dynamisches Verhalten von Feldeffekttransistoren DC- Analyse

Ziel: Darstellung der Ausgangskennlinie und Steuerkennlinie Verwendete Bibliotheken: Spannungsquelle/GND: source.olb FET: jfet.olb Schaltungsaufbau:


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Simulation: Analysetyp: DC-SWEEP. Uds ist der primary sweep ( 0V bis 20V mit einer Schrittweite von 1V )Als secondary sweep Ugs, ( 0V bis –1.4V mit einer Schrittweite 0.2V ).

Zusätzlich kann die Verlusthyperbel über den Menüpunkt Trace – addTrace hinzufügt werden. Hier wurde Ptot = 150mW angenommen. Steuerkennlinie:

Für diese Darstellung müssen wir nur den primary und den secondary miteinander vertauschen und deren Werte ändern. Empfehlenswert sind hier für Ugs eine Abbildung von 0V bis –3V in 0.1V Schritten und für Uds ist eine Valuelist mit den Werten 10V, 2V,1V,0.5V passend.


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6. Statisches und dynamisches Verhalten von Bipolar – Transistoren Ziel: Simulation der Ausgangskennlinien Ic=f(Uce), der Stromverstärkungskennlinien Ic=f(IB), der Rückwirkungskennlinie Ube=f(Uce) und der Eingangskennlinie Ube=f(IB) des Transistors Q2N3904 Einsetzen der Verlusthyperbel Ptot Bibliothekenhinweis: Stromquelle/Spannungsquelle: source.olb Quelle: ISRC, VSRC Bipolartransistor: bipolar.olb Beispiel Q2N3900 Aufgabe: Simulation der Ausgangskennlinie IC = f (UCE) Rückkopplungskennlinie UBE = f (UCE) Verlustleistungshyperbel für Ptot = 500mW Arbeitsgerade ( UB = 15V, RC + RE = 500Ω) UB=UCE Stromverstärkungskennlinie IC = f (IB) Eingangskennlinie UBE = f (IB)

0

Q1

Q2N3900

UCE

AC =TRAN =

DC =

IB

AC =

TRAN =

DC =

Eingangsspannung

I

Schaltung zum Simulieren der Kennlinien Anlegen eines neuen Simulationsprofiles


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Art der Analyse DC SWEEP Einstellen des primary sweep : Wertebereich in dem sich die X-Achse der Ausgangskennlinie bewegen soll. Darstellung des Ausgangskennlinienfeldes die Spannungsquelle Uce, ( Startwert von 0V, , Endwert von 20V , Schrittweite von 0,1V)

secondary sweep: Hierbei die Strom/Spannungsquelle gewählt, von der die Kurvenschar abhängig sein muss. Im Fall des Ausgangskennlinienfeldes wäre das IB.


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Darstellung der Ausgangskennlinien

Durch den secondary sweep erhält man mehrere Kennlinien. Über den Menüpunkt add Trace die Verlusthyperbel einfügen. Da sich die Verluste näherungsweise über Uce*Ice berechnen lassen, kann mit Vorgabe von Ptot= 500mW die Kurve mit dem Ausdruck 0.5W / V1(Uce) einfügt werden. Y-Achse in der Skalierung 0-40mA halten.

Darstellung der Stromverstärkungskennlinien

Bei dieser Kennlinie wollen wir Ic=f(IB) darstellen. Den primary sweep auf die Stromquelle IB einstellen und den secondary sweep auf die Spannungsquelle Uce, Valuelist die darzustellenden Werte eintragen. Strommarker auf den Kollektor des Transistors Ergebnis:


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Darstellung der Eingangskennlinie:

Funktion Ube=f(IB) darstellen ; primary sweep und secondary sweep einstellen.

primary sweep die Stromquelle IB (0 bis 90µA ).

secondary sweep Spannungsquelle Uce ein ; Werte der valuelist 0V und 20V um zwei klar

voneinander getrennte Kurven zu erhalten.

Darstellung der Rückwirkungskennlinie:

Kennlinie Funktion Ube=f(Uce) primary sweep auf die Spannungsquelle Uce (Wertebereich

bis z.B. 16V )

Spannungsmarker an die Basis des Transistors. Den secondary sweep Stromquelle IB ( Werte

30µA, 60µA und 90µA in die valuelist )


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7. Bipolar Kleinsignalverstärker

0

Rv

1k

R1

39k

RC

270

R210k

C1

1uF

Ue

VEingang

FREQ = 1000HzVAMPL = 10mV

VOFF = 0V

Betriebsspannung

15V

C2

1uF

Ua

Q2

Q2N3904

CE

100u

RE

120

RLast

270

V

V

Quelle: VSIN , VDC Bestimmen Sie die Spannungsverstärkung und den Klirrfaktor


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Klirrfaktor 1,1 %


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Rv

1k

R1

39k

R2

10

k

C1

1uF

Ue

VEingang

FREQ = 1000HzVAMPL = 150mV

VOFF = 0V

V

Erhöhung der Eingangsspannung auf 150mV

Klirrfaktor 8,2 %

8. Transformator

Ziel: Darstellung der primär- und sekundärseitigen Spannung Verwendete Bibliotheken: Widerstand/ Transformator: analog.olb Spannungsquelle/GND:source.olb Schaltungsaufbau: Spannungsquelle Vsin, ( Amplitude 325V , Frequenz auf 50 Hz ). An der Sekundärseite des Transformators Lastwiderstand von 1k. R1 simuliert den Ohmschen Widerstand der Primärspule. (Sonst dynamischer Kurzschluss der Quelle)


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Einstellen des Übertragungsverhältnisses im property editor des Transformators TX1. L1_VALUE=1H und L2_VALUE=10mH, was einem Übersetzungsverhältnis von 10:1 entspricht.

Simulation: transiente Analyse Laufzeit 20ms bzw. 40ms, je nachdem wie viele Perioden dargestellt werden sollen

Erweiterung der Schaltung: Transformator mit Gleichrichter

XFRM_Linear/analog

TX1R1

0.1

RLast

1kV1

FREQ = 50Hz

VAMPL = 325V

VOFF = 0V

00

D1

D1N4002

C1

330u

U_Ausgang

V


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2. y-Achse für die Ausgangsspannung führt zur Verbesserung der Darstellung Ersetzen der Diode durch Graetzbrücke

XFRM_Linear/analog

TX1R1

0.1

RLast

1k

V1

FREQ = 50Hz

VAMPL = 325V

VOFF = 0V

0

0

D1

D1N4002

U_Ausgang

D2

D1N4002

D3

D1N4002

D4

D1N4002

V

Erweiterung der Schaltung mit zusätzlichem Blockkondensator 1000µF

XFRM_Linear/analog

TX1R1

0.1

RLast

1k

V1

FREQ = 50Hz

VAMPL = 325V

VOFF = 0V

0

0

D1

D1N4002

D2

D1N4002

D3

D1N4002

D4

D1N4002

C2

1000u

U_Ausgang

V


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9. Schaltverhalten einer Diode

Ziel: Darstellung des Diodenstromes und Diodenspannung Verwendete Bibliotheken: Spannungsquelle/GND: source.olb Diode :diode.olb Widerstand :analog.olb Aufbau der Schaltung: Spannungsquelle Vpulse, ( Ein- und Ausschalten simulieren ). Die Parameter von Vpulse sind relativ beliebig wählbar. Lediglich bei den Anstiegs und Abfallzeiten sollte man kleine Werte vorziehen, damit die Spannung möglichst recheckig wird. V1 und V2 geben das obere und untere Spannungsniveau an. Td ist die Verzögerungszeit und TF und TR sind Abfall und Anstiegszeit des Recheckimpulses. PW gibt die Pulsbreite an und PER die Periodendauer.

Um einen besseren Überblick in dem Spannungsdiagramm zu behalten, wird über den Menüpunkt Place - Netalias zusätzlich noch die Namen der Spannungen an deren Spannungsmarker gesetzt.


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Simulation: Art der Analyse :time domain(Transient) Analyse ( runtime 20µs -20us- max.stepsize 10ns. Zur Darstellung des Diodenstroms: Menüpunkt Plot – Add Y-axis ….. Trace – addtrace … den Strom I(D1:1) in das Diagramm einzufügen.

Durchlass und Sperrkennlinie einer Z-Diode

Ermittelung der Z-Spannung Beobachten der Kennlinie bei Verändern der Z-Spannung Verwendete Bibliotheken: Z-Diode D1N750: diode.olb Stromquelle: source.olb Quelle ISRC Masse: source.olb Schaltungaufbau :

D1

D1N750

I1

AC = 1

TRAN =

DC = 0

0

I

Starten der Simulation : DC-SWEEP, Stromquelle I1 ( Wertebereich –200mA bis 200mA ) Achseneinstellungen ,User defind


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Ergebnis: Sperr- und Durchlasskennlinie der Z-Diode.

Durchlass- und Sperrkennlinie der Z-Diode D1N750


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Ändern der Z Spannung auf 15V im Modelleditor (Parameter Bv)

(rechte Maustaste: Edit P-Spice-Modell)


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10. Spannungsstabilisierung mit der Z-Diode

Ziele: Darstellung des Spannungsabfalls über den Vorwiderstand Rv (Eingangsspannung =0V-12V) Spannungsabfall über RL bei Eingangsspannung=10V Verwendete Bibliotheken: Z-Diode D1N750: diode.olb Spannungsquelle/GND: source.olb Widerstände : analog.olb Schaltungsaufbau :

Um die Ausgangs- und Eingangsspannung besser überblicken zu können, mit Place – Net Alias Ua und Ue benennen


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Simulation: DC-SWEEP Simulation Spannungsquelle V1 sweepen ( Wertebereich von 0V-12V Schrittweite von 0,1V)

Um nun noch die Spannung bei V1=10V genau bestimmen zu können, wird der Menüpunkt Trace-Cursor-Display benutzt


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Spannungsstabilisierung einer Z-Diode mit veränderlicher Last

Ändern der Eigenschaften des Lastwiderstandes ; Feld Value ersetzen durch einen in geschweifte Klammern geschriebenen Variablennamen.

In der Bibliothek special.olb Objekt Param wählen, neben Schaltung setzen und durch Doppelklick darauf dessen Eigenschaften ansehen. Button new column : Variablennamen des Widerstandes und seinen Wert eingeben, den die Variable ohne Einstellung eines Parametersweeps in den Simulationssettings hat.


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Zusätzlich zu der Ausgangspannung wird Diodenstrom und den Laststrom dargestellt. Dazu eine 2. Y-Achse anlegen und mit 0mA bis 20mA definieren. Menüpunkt Plot–add Y axis und Plot – axis settings.

Für 4,7V

Für 20V - Diode


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Temperatureinfluss (Quelle VSRC)

0

V1

AC = 1VTRAN =

DC = 0VD2

D1N4148I

Änderung: für Temperatureinfluss ist Spannungsquelle eingesetzt


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11. Reihenschwingkreis

Ziel: Darstellung des Frequenzganges eines Reihenschwingkreises und Ermittlung der oberen und unteren Grenzfrequenz, sowie der Bandbreite. Verwendete Bibliotheken: Spannungsquelle/GND: source.olb Spule/Widerstand/Kondensator:analog.olb Schaltungsaufbau: Spannungsquelle ist Vsin Vac Amplitude auf 1V einstellen. Spule L1 1.1H , Kondensator C1 2.2uF Widerstand R1 150. An der Spule Differentialmarker


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Simulation:

Für die Darstellung des Frequenzganges Analysetyp AC Sweep Startfrequenz von 10Hz, Endfrequenz 200Hz, 100 Punkte pro Dekade.

Spannung über der Spule bzw. Kondensator wesentlich höher ist als die eigentliche Eingangsspannung.


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Grenzfrequenzen und Bandbreite:

löschen beide Kurven ; Spannung über den Widerstand in dB anzeigen. Menüpunkt Trace-delete all traces, dann Trace-add Trace und als Funktion DB() und als Variable V(ua) aus wählen.

Menüpunkt Trace-evaluate Measurements und wählen als Funktionen Bandwidth_Bandpass_3dB(V(ua)), Cutoff_Highpass_3dB(V(ua)) und Cutoff_Lowpass_3dB(V(ua))


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die Bandbreite, die obere und untere Grenzfrequenz in den Measurement Results ablesen.

12. Tiefpass mit Operationsverstärkern

Anwendungsbeispiel: Sallen – Key - Tiefpass vierten Grades Die erforderliche Schaltung und die nötigen Bauteilewerte liefern die erwähnten Filterprogramme nach Eingabe folgender Parameter: Filterart (Lowpass, Highpass, Bandpass, Bandstop) Filtertyp (Tschebyschef, Butterworth, Bessel, Cauer.....) Grenzfrequenz

Maximale Welligkeit der Dämpfung im Durchlassbereich („passband ripple“) Filtergrad (bestimmt die Anzahl der erforderlichen Bauteile. Legt fest, wie steil der Übergang vom Durchlass - in

den Sperrbereich erfolgt). Es soll eine Audio - Tiefpass mit einer Grenzfrequenz von 3400Hz aufgebaut werden. Er soll als Tschebyschef - Filter vierten Grades mit einer maximalen Welligkeit von 0,5dB im Durchlassbereich realisiert werden. An den Eingang wird eine Sinus-Spannungsquelle „VSIN/SOURCE“ angeschlossen, sie soll eine Spannung mit der

Frequenz 1kHz und dem Spitzenwert 1V abgeben.


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U1A

LM324/ON

+3

-2

V+

4V

-1

1

OUT1

U1B

LM324/ON

+5

-6

V+

4V

-1

1

OUT7

V1

12V V2

12V

0

VCC VDD

V3

FREQ = 1kHzVAMPL = 1VVOFF = 0V

AC = 1V

0

R3

19.9k

R4

57.7k

R5

3.3k

R6

20.6k

R7

35.6k

C1

4.7n

C2

2.2n

C310n

C4

220p R8

2.2k

0000

Ue

Ua

VDDVDD

VCCVCC

VDB

Zuerst wird der Frequenzgang kontrolliert. Erstellen Sie also ein neues Simulationsprojekt, wählen Sie bei den Simulation Settings „AC - Sweep“ und geben Sie den Frequenzbereich von 1Hz bis 10kHz vor (logarithmischer Sweep, 100 Punkte pro Dekade).

Frequency

1.0KHz 3.0KHz 5.0KHz 7.0KHz 9.0KHz

V(UA)

0V

0.4V

0.8V

1.2V

Darstellung in db: Um zu kontrollieren, ob das tatsächlich auch die geforderten max. 0,5dB sind, Spannungsmarker entfernen aus und ersetzen sie durch „VdB - Marker“ (Menü: Pspice /Markers/Anvanced).

Frequency

1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz

DB(V(AUSGANGSSPANNUNG))

-80

-60

-40

-20

-0

Y-Achse auf userdefined Bereich von -1dB bis +1dB


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Frequency

1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz 30KHz 100KHz

DB(V(AUSGANGSSPANNUNG))

-1.0

-0.5

0

0.5

1.0

Ersetzen der Sinusspannungsquelle durch eine Pulsquelle (VPULSE/SOURCE) und testen die Reaktion der Schaltung auf ein symmetrisches Rechtecksignal mit f = 1kHz und einem Spitze-Spitze-Wert von 1V.

0

Ue

V3

TD = 0s

TF = 1nsPW = .5msPER = 1ms

V1 = 1V

TR = 1ns

V2 = 0V

Frequency

1.0KHz 3.0KHz 5.0KHz 7.0KHz 9.0KHz

V(UA)

0V

0.4V

0.8V

1.2V

13. Thyristor-Phasenanschnitts-Steuerung Thyristor 2N1595 Zur Zündung wird eine Pulsspannungs-quelle VPULSE verwendet. Sie liefert einen kurzen Zündimpuls mit der Pulsdauer von 10 Mikrosekunden und einer Anstiegs- bzw. Abfallzeit von je einer Mikrosekunde. Ihre Wiederholfrequenz ist natürlich 50 Hz und ihre „Phasenverschiebung “ wird über „DELAY“ eingestellt.


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Zusatzaufgaben: a) Simulieren

verschiedenrer„Anschnitwinkel“. b) Darstellung der Zündspannung

zwischen Gate und Katode des Thyristors in einem eigenen Diagramm ( „Voltage Differential markers verwenden)

14. Gegengekoppelter, zweistufiger Transistor-Breitbandverstärker Stromlaufplan mit Quellen und VdB-Markern:

Es handelt sich hier um zwei Stufen in Emitterschaltung, die galvanisch gekoppelt sind. Der Ausgang der zweiten Stufe (= ihr Kollektor) wird zum Emitter der ersten Stufe zurückgeführt. Dieses Signal wirkt gegenphasig und vermindert deshalb die Gesamtverstärkung. Aber diese Gegenkopplung stabilisiert auch die Arbeitspunkte, reduziert die Verzerrungen, verkleinert den Innenwiderstand des Ausganges und ergibt eine höhere obere Grenzfrequenz.

Eingangs- und Innenwiderstand der Schaltung betragen je 75 , die Versorgungsspannung (= eine Gleichspannungsquelle VDC/SOURCE) wird auf 12V eingestellt. Das Eingangssignal wird von einer Sinusquelle (VSIN/SOURCE) geliefert, Spitzenwert 100mV bei einer Frequenz von 1kHz für die Urspannung Transistoren :Q2N3904 bzw. Q2N3906)

„AC-Sweep“ Frequenzbereich von 1Hz bis 1GHz mit 100 Punkten pro Dekade beim logarithmischen Sweep.


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Bestimmung der Verstärkung in dB sowie der unteren und oberen Grenzfrequenz der Schaltung. Wiederholen der Simulation mit geänderten Werten für die beiden Koppelkondensatoren C1 und C2, um deren Einfluss auf den Frequenzgang und die untere Grenzfrequenz zu erkennen.

Zusatzaufgabe: „Simulation Settings“ Analyse „Time domain (Transient)“ Entfernen VdB-Marker aus der Schaltung und ersetzen durch „gewöhnliche Spannungsmarker“. Überprüfung der im vorigen Aufgabenteil ermittelten Wert der Verstärkung.

Steigern der Eingangsspannung soweit, bis am Ausgang denjenigen Punkt erreicht wird, bei dem deutlich sichtbare Verzerrungen auftreten.

Praktkumsanleitung Schaltungsdesign WS 14/15...

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