Röntgentopographische Untersuchung der Kristalldefekte in der Hoch- und der antiferroelektrischen...
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Inhaltsverzeichnis
l.
1.1.
l. 2.
2.
2. l.
2.1.1.
2.1.2.
2.1.3.
2. 2.
2.2.1.
2.2.2.
2.2.3.
2. 3.
2.3.1.
2.3.2.
3.
3. l.
3. 2.
4.
4.1.
4. 2.
Einleitung
Literaturübersicht
Zielsetzung der Arbeit
Ferroelektrizität, Antiferroelektrizität,
Ferrielektrizität
Hystereseverhalten und Dipolstruktur
Ferroelektrizität
Antiferroelektrizität
Ferrielektrizität
Domänen und Domänengrenzen
Domänen
Domänengrenzen
Experimentelle Beobachtung von Domänen und
Domänengrenzen
Hystereseverhalten und Dipolstruktur von CFTH
Hystereseverhalten
Dipolstruktur
Herstellung und Präparation der Kristalle
Lösungszüchtung
Präparation der Kristallplatten
Untersuchungsmethoden
Optik
Röntgentopographi e
1
1
5
6
6
6
8
9
12
12
15
17
18
18
20
21
21
22
24
24
24
5.
5 .1.
5.l.I.
5.1.2.
5. 2.
5.2.1.
5.2.2.
5.2.3.
6.
6. 1.
6. 2.
7.
Ergebnisse der Untersuchungen
Optische Untersuchungen
Untersuchungen bei Raumtemperatur
Untersuchungen mit einer Tiefkühleinrichtung
Röntgentopographische Untersuchungen
Entwässerungsdefekte
Versetzungen
Reversible Kontraste
Diskussion
Versetzungen
Umwandlungsbedingte Defekte
Zusammenfassung
Literaturverzeichnis
Anhang Aufbau einer Kühleinrichtung für die Röntgen
topographie
28
28
28
31
32
32
35
40
49
49
52
54
56
-- 1 --
1. Einleitung
1.1. Literaturübersicht
Kupfer (II ).:. Formiat kristallisiert aus ameisensaurer wäss
riger Lösung in drei Hydratstufen:
als Tetrahydrat Cu(HC00) 2 ·4 H20
als Dihydrat Cu(HC00) 2 ·2 H20
als wasserfreies Salz Cu(HC00) 2
unterhalb 45°C
bei 50° - 60°C
oberhalb 80°C.
Das System Cu(HC00) 2 - H20 und di e Kristalle der verschiedenen
Hydratstufen wurd e n bereits von Gehl e n ( 1812), Heusser ( 1851),
Dufet (1887), Lossen et al. (1891) und Bolland (1910) unter
sucht und beschri e ben. Zur Entwässerung d e r Hydrate liegen
Arbeiten von Kohlschütt e ret al. (1930,1934), Zapletal et al.
(1957), Gauthier (1958), Fichte e t al. (1971) und Günter
(1980) vor /1-11/.
Der erste Strukturvorschlag für das Tetrahydrat (kurz: CFTH)
stammt von Kabraji (1931), der röntg e nographisch Gitterkon
stanten und Raumgruppe bestimmt hatte. Die Kristallstruktur
des CFTH (allerdings ohne Angabe der Wasserstoffpositionen)
wurde von Kiriyama e t al. (1953) ermittelt /12,13/.
Die Struktur des Dihydrats und des wasserfreien Salzes sind
ebenfalls bekannt /22-24/.
Int e nsivere Untersuchungen setzten ein, als magnetische
(Martin et al., 1959; Friedberg et al., 1960) und dielektrische
Anomalien (Kiriyama, 1962) bek a nnt wurden /27,28,37/.
Itoh et al. (1962) und Haseda et al. (1962) stellten unterhalb
17 K Antiferro magnetismus fest. Die Schichtstruktur des CFTH
bot in der Folge u.a. Veranlassung, das magnetische Verhalten
dieser "zweidimensionalen" Modellsubstanz bis hinauf zur
-- 2 --
Raumtemperatur (Gregson et al., 1969) bzw. unter dem Ein
fluß eines elektrischen Feldes zu untersuchen (Ajiro et
al., 1978; Yamagata et al., 1980). Daneben liegen Unter
suchungen zur Leitfähigkeit bei tiefen Temperaturen vor
(Hirakawa et al., 1972) /29-36/.
Anhand dielektrischer Messungen wies Okada (1965) entlang
der monoklinen b- Achse Antiferroelektrizität unterhalb
-38°C nach. Untersuchungen des dielektrischen Verhaltens
bei verschiedenen Temperaturen und Drücken liegen darüber
hinaus z. B. von Fujimoto et al. (1976, 1977), Shimizu et al.
(1978) und Hamano et al. (1978) vor. Erst kürzlich stellten
Suzuki et al. (1979) zwischen -46° und -120°C Ferrielektri
zität entlang der b- Achse fest. Unterhalb -120°C nehmen
diese Autoren erneut Antiferroelektrizität an /38-43/.+
Die Raumgruppe (weniger die Atomlagen) von CFTH in Hoch
und Tiefphase waren lange Zeit umstritten. Es liegen zu
diesem Problem Arbeiten von Okada et al. (1966), Turberfield
(1967), Soda et al. (1969), Bird et al. (1971), Kay et al.
( 1972), Maki ta et al. ( 1973), Kay ( 1975) und Burger et al.
(1979) vor /14-21/.
Einigkeit besteht darüber, daß sich bei der antiferroelek
trischen Umwandlung die Gitterkonstante in c- Richtung ver
doppelt. In Bezug auf die Raumgruppe ging man anfangs von
den monoklinen Raumgruppen P 21 /a für die Hochphase bzw.
P 2 1 /n oder P 21 für die Tiefphase aus. Die von einigen
Autoren beobachteten sehr schwachen "Überstrukturreflexe"
wurden als nicht signifikant zunächst ignoriert bzw. von
Makita et al. mit Umweganregung erklärt. Burger et al. haben
jedoch den Nachweis geführt, daß die beobachteten schwachen
Reflexe nicht durch Umweganregung bedingt sind. Sie geben
die Raumgruppe für Hoch- und Tiefphase mit P I (oder P 1) an.
+ Zur Definition von Ferro-, Antiferro- und Ferrielektri
zität siehe Abschnitt 2.
-- 3 --
Für ihre Strukturverfeinerung (aus Neutronenbeugungsmes
sungen an deuterierten Kristallen) benutzten allerdings
auch Burger eLal. , di e Raumgruppen P 21 /a (Hochphase) bzw.
P 21 /n (Tiefphase), da diese beiden Raumgruppen eine gute
Annäherung an die Struktur erlauben. Auch der vorliegenden
Arbeit werden diese Raumgruppen zugrundegelegt.
Die Struktur des CFTH besteht aus abwechselnden Schichten
von Kupferformiat und Wasser, die parallel (001) überein
andergestapelt sind. In der Hochphase sind die Wassermole
küle fehlgeordnet. Diese Fehlordnung läßt sich als Über
lagerung zweier Wasserschichten mit unterschiedlicher Ori
entierung der Wassermoleküle darstellen. Innerhalb der
Schichten sind die Wassermoleküle über Wasserstoffbrücken
verbunden. Jedes Cu- Atom ist von vier Sauerstoffatomen aus
vier verschiedenen Formiatgruppen in annähernd quadratischer
Anordnung umgeben. Oberhalb und unterhalb dieser Ebene be
finden sich in etwas größerem Abstand Sauerstoffatome der
Wasserschichten, sodaß sich als Koordinationspolyeder für
die Cu -Atome verzerrte Oktaeder ergeben.
Abb. 1.1
Projektion der Kristall
struktur von CFTH parallel
zur monoklinen Achse
(aus /13/)
a = 8.18 g b = 8.15 g c = 6.35 g
ß = 101 O 5 I
z = 2 0 Ü Qo HzO 0 (f) Cu C
-- 4 --
Bei tiefer Temperatur (die Strukturverfeinerungen wurden
bei 77 K /18/ bzw. 120 K /21/ durchgeführt) sind die Wasser
schichten geordnet. Diese Ordnung ist begleitet von einer
Verschiebung der Cu- Atome (zwei Cu- Atome pro asymmetrische
Einheit) innerhalb der Formiatschichten. Damit verbunden ist
ein Abkippen der Formiatmoleküle, die ein Cu(I)- Atom um
geben, um 2° gegenüber den Formiatmolekülen, die ein benach
bartes Cu(II)-Atom umgeben.
Die Wasserstoffbrückenbindungen innerhalb der Wasserschichten
sind in der Tiefphase kürzer. Daraus werden Änderungen der
Bindungsenergie und der Dipol- Dipol- Wechselwirkungsenergie
innerhalb der Schicht und mit benachbarten Wasserschichten
abgeleitet. Dies führt zu einer antiferroelektrischen Ordnung
der Dipolmomente benachbarter Schichten und auf diese Weise
zur Verdopplung der Gitterkonstanten in c- Richtung /21/.
Die Polymorphie des CFTH stellt sich in Anlehnung an die
Übersicht im Landolt- Börnstein /56a/ unter Berücksichtigung
der neueren Ergebnisse folgendermaßen dar:
Phase III - Ilc - Ilb - Ila - I
17 K 153 K 227 K 235 K
(-120°C) (-46°C) (-38°C)
Zustand AFM PM PM PM PM ? (AFE) FE AFE PE
Raumgruppe (s.o.) p ~1 p 21 p ~1 p ~1 n n a
PM = paramagnetisch PE = paraelektrisch
AFM = antiferromagnetisch AFE = antiferroelektrisch
FE = ferrielektrisch
Der Phasenübergang IIa-I ist von 1. Ordnung.
-- 5 --
Es soll hier noch erwähnt werden, daß von Kameyama et al.
(1973) und Sasaki (1974) die Elastischen Konstanten be
stimmt und ihre Anomalien am Curie- Punkt untersucht wur
den /44,45/. Theoretische Überlegungen zum antiferroelek
trischen Übergang werden u.a. von Okada (1967), Ishibashi
et al. (1973), Allen et al. (1975) und Youngblood et al.
(1977,1978) mitgeteilt /46-50/.
Weitere Daten- und Literaturzusammenstellungen zu CFTH
finden sich z.B. in GMELIN, BEILSTEIN, GROTH, BARKER,
WYCKOFF und LANDOL T- BÖRNSTEIN /51-56/.
1. 2. Zielsetzung der Arbeit
Beim Übergang von der paraelektrischen zur antiferroelek
trischen Phase des CFTH bleiben Kristallklasse und Orien
tierung der monoklinen Achse erhalten. Zwillingsdomänen
als Folge einer Symmetrieerniedrigung wie sie z.B. bei
ferroelektrischen Kristallen beobachtet worden sind, sind
deshalb ausgeschlossen. Da jedoch die Gittertranslation in
c- Richtung verdoppelt wird, können "Antiphasengrenzen"
(kurz: APB) entstehen (s.a. Abschnitt 2). Experimentelle
Beobachtungen von APB's in Antiferroelektrika sind noch
nicht bekanntgeworden. In dieser Arbeit sollte daher unter
sucht werden, ob sich beim Übergang in die antiferroelektri
sche Phase reversible Kristallstörungen (zu denen auch die
APB's gehören) beobachten lassen.
Eine lichtoptische Beobachtung der APB's ist wegen der Er
haltung der Punktgruppe und ein Anätzen wegen der tiefen
Temperaturen nicht möglich. Für die vorliegende Untersuchung
wurde deshalb die Röntgentopographie angewendet, da sie ne
ben der Abbildung verschiedenartiger Kristalldefekte auch
die Abbildung von APB's und eventl. der Phasengrenze erlaubt.
-- 6 --
Damit läßt sich die Zielsetzung der Arbeit folgendermaßen
zusammenfassen:
- Untersuchung der Defekte in der paraelektrischen Phase
des Cu(HC00) 2· 4 H20,
- röntgentopographische Abbildung der Kristallstörungen in
der antiferroelektrischen Phase und Suche nach Antiphasen-
grenzen,
- röntgentopographische Darstellung der Phasengrenze zwischen
paraelektrischer und antiferroelektrischer Modifikation.
Bei der Durchführung der hier beschriebenen Arbeiten wurde
erstmalig eine neue Röntgentopographie-Kühlkammer bis -70°C
in Betrieb genommen. Im Verlauf der Untersuchungen traten
geräteseitig einige Schwierigkeiten auf, die apparative Än
derungen erforderten und zeitliche Verzögerungen zur Folge
hatten. Die Beschreibung des Kühlsystems und einige Hinweise
für den Betrieb der Anlage werden im Anhang gegeben.
2. Ferroelektrizität, Antiferroelektrizität, Ferrielektrizität
2.1. Hystereseverhalten und Dipolstruktur
2.1.1. Ferroelektrizität /57-64/
Ferroelektrische Materialien sind gekennzeichnet durch eine
spontane Polarisation, die sich durch ein elektrisches Feld
umklappen läßt. Am Eindomänen-Einkristall äußert sich diese
spontane elektrische Polarisation durch eine Oberflächenladung,
wenn diese nicht durch freie Ladungen im Kristall oder aus der
Umgebung kompensiert wird. Insofern sind Ferroelektrika stets
auch pyroelektrisch und müssen daher polaren Kristallklassen
-- 7 --
angehören, jedoch läßt sich die spontane Polarisation bei
Pyroelektrika nicht umklappen.
Legt man an einen ferroelektrischen Kristall ein elektrisches
Wechselfeld an, so äußert sich der Umklappprozeß in einer
charakteristischen Abhängigkeit der Polarisation (P) von der
elektrischen Feldstärke in Richtung der ferroelektrischen
Achse (E).
Abb. 2.1
Ferroelektrische Hysteresekurve
P = spontane Polarisation s
E = Koerzitivfeldstärke c
p
E
Die in Abb. 2.1 gezeigte dielektrische Hysterese ist das ty
pische Kennzeichen eines Ferroelektrikums. Zurückgeführt wird
die spontane Polarisation auf die (vektorielle) Summe der
spontanen elektrischen Momente der Elementarzellen. Diese
wiederum erhält man als vektorielle Summe aller Dipolmomente
in einer Elementarzelle. Veranschaulicht wird die "Dipol
struktur" eines Ferroelektrikums durch ein Gitter, dessen
Elementarzellen mit Pfeilen ("Dipolen") gleicher Richtung und
Größe besetzt sind. (Abb. 2.2)
Abb. 2.2
Dipolstruktur eines ferro
elektrischen Kristalls
P = Richtung der spons tanen Polarisation
(ferroelektr.Achse)
---- - - ----- --
t t t t t t t t
-- 8 --
2.1.2. Antiferroelektrizität /58-64/
Antiferroelektrika verhalten sich im elektrischen Wechsel
feld bei geringen Feldstärken wie normale Dielektrika
(lineare Beziehung zwischen Polarisation und Feldstärke).
Erst ab einer kritischen Feldstärke wird eine Hysterese be-
sanderer Art beobachtet.
Abb. 2.3
Antiferroelektrische Hysterese
kurve ("Doppel -Schleife")
Ek = kritische Feldstärke
p
E
Dieses Hystereseverhalten wird damit erklärt, daß im feld
freien Zustand zwei Untergitter mit gleichen, aber entgegen~
gesetzten Dipolen besetzt sind (Abb. 2.4a). Die Polarisation
eines Untergitters ist dann der des anderen entgegengesetzt
und von gleichem Betrag, sodaß sich für den Gesamtkristall
keine Polarisation ergibt. Durch Anlagen eines elektrischen
Feldes klappen jedoch ab einer kritischen Feldstärke Ek die
Dipole des einen Untergitters in Richtung der Dipole des
anderen Untergitters um. In der Sättigung erreicht man so
eine (erzwungene) ferroelektrische Anordnung.
t I ~ t
I ~ t
I
~ I I I I I I
t I
~ t I ~ t I
~ I I I I I I
t I ~ t I
~ t I
~ I I I I I I
t I
t t I t t I
t I I I I I I
t I
t t I t t I
t I I I I I I
t I t t I t t I t I I I I I I
t AFE-Achse
a b
Abb. 2.4 Dipolanordnung eines antiferroelektrischen Kri
stalls a) im feldfreien Zustand und b) bei ange
legtem Feld (E>Ek). (AFE=antiferroelektrisch)
-- 9 --
Antiferroelektrizität tritt auch in zentrosymmetrischen
Kristallen auf. Im gepolten Zustand bei E >Ek ist die
Struktur jedoch polar und gehört einer der 10 pyroelek
trischen Kristallklassen an.
2.1.3. Ferrielektrizität /62-65/
Die ferrielektrische Hysteresekurve ist eine Dreifach
Schleife (Abb. 2.5). Bisher sind nur wenige Ferrielek
trika bekannt und eine allgemein anerkannte Theorie die
ses Zustandes steht noch aus.
Abb. 2.5
Ferrielektrische Hysterese
kurve ("Dreifach- Schleife")
p
Vielfach wird von der Annahme ausgegangen, daß Ferrielek
trika in ihrer (Dipol-) Struktur den Antiferroelektrika
ähnlich sind: im feldfreien Zustand sind zwei Untergitter
mit entgegengesetzter aber nicht gleicher Polarisation
vorhanden.
Shuvalov et al. /65/ unterscheiden z wei Fälle bezüglich
der Besetzung der Untergitter durch Dipole:
Fall a: die Dipole sind zueinander antiparallel, haben
jedoch unterschiedlichen Betrag (Abb. 2.6a),
Fall b: die Dipole haben gleichen Betrag, jedoch ver
schiedene Richtung (Abb. 2.6b).
I
t I t t I t I t I I I
t I t t I + I + I I
I t + I t + I I + I I
\ I
I \ I
I \ I I I I
\ I I \
I I \ I I
I I
\ I
I \ I
I \ I I I I
-- 10 --
I t I I
t • I
t I I t I t I I
a t
I I I
I 1-
I I I
I 1-
I
I I I b 1-
t _l t t t 1
f-- 1-
f-- t-
1- 1-
t FE-
Achse AFE-
t AFE-Achse
FE-Achse
Abb. 2.6 Zwei mögliche Dipolstrukturen ferrielektrischer
Kristalle (siehe Text)
(AFE = antiferroelektrisch, FE= ferroelektrisch)
Die beiden Dipole tn einer Elementarzelle sind miteinander
gekoppelt und ergeben in der Summe ein resultierendes Di
polmoment. Die Struktur ist also polar.
Unter dem Einfluß eines (schwachen) elektrischen Feldes
werden Dipolpaare in Feldrichtung umgeklappt (Abb. 2.7).
- ~ [ill] ++ OIO t E E a
E - [I[I] ++ [ill] - E b
Abb. 2.7 Umklappen der Dipolpaare unter dem Einfluß eines
schwachen elektrischen Feldes.
-- 11 --
Durch ein hinreichend starkes Feld E > Ek können beide
Dipole eines Paares (bzw. ihre antiparallelen Komponen
ten) in Parallelstellung gezwungen werden (Abb. 2.8).
++ a
++ b
Abb. 2.8 Umklappen der antiparallelen Komponenten in
Feldrichtung
Ein ferrielektrischer Kristall ist somit zugleich ferro
elektrisch und antiferroelektrisch. Im Fall a sind ferro
und antiferroelektrische Achse zueinander parallel, im
Fall b sind sie zueinander senkrecht (siehe Abb. 2 .• 6).
Die P(E)- Kurve zeigt als Folge der beiden Umklappvorgänge
eine Dreifach- Hysteresekurve ("triple- loop"), die aller
dings im Fall b nur auftritt, wenn die Feldrichtung gegen
die ferroelektrische und die antiferroelektrische Achse
geneigt ist. Bei einer Feldrichtung parallel zur ferroelek
trischen Achse wird im Fall b nur eine ferroelektrische
Hysteresekurve, bei einer Feldrichtung parallel zur anti
ferroelektrischen Achse nur eine antiferroelektrische Hy
steresekurve ("double -loop") beobachtet werden können.
Im Fall a , der nach Shuvalov et al. ( 1961) bei keinem be
kannten Antiferroelektrikum realisiert ist, sollte eine
Dreifach- Hysteresekurve bei Anlegen eines Feldes in Rich
tung der polaren Achse beobachtet werden können.
-- 12 --
2.2. Domänen und Domänengrenzen
2.2.1. Domänen
In Ferro-, Antiferro- und Ferrielektrika treten stets Do
mänen auf. Gründe dafür sind darin zu sehen, daß sich mit
Erreichen der Curie- Temperatur an verschiedenen Stellen
eines Kristalls spontan Keime der neuen Phase bilden, die
mit gleicher Wahrscheinlichkeit in kristallographisch
gleichwertigen Orientierungen auftreten können. Bei ferro
und ferrielektrischen Phasen ist darüberhinaus wesentlich,
daß eine Aufspaltung in Domänen die elektrostatische Ener
gie als Folge der spontanen Polarisation vermindert.
Geht man von einer "prototypischen" paraelektrischen Phase
oberhalb der Curie- Temperatur aus, dann lassen sich die
verschiedenen möglichen Typen von Domänen recht einfach
ableiten. Der Übergang vom paraelektrischen Prototyp in
eine der "Ferro- Phasen" ist stets mit einem Symmetriever
lust verbunden. Dabei können Punktgruppenelemente und I oder
Gittertranslationen verloren gehen. Zur Klassifizierung der
nach dem Symmetrie- Abbau entstandenen Domänen werden fol
gende Fälle unterschieden:
I) Symmetrieerniedrigung führt in ein anderes Kristall
system,
II) nach Wegfall eines Punktgruppenelements bleibt das
Kristallsystem erhalt e n,
III) nach Wegfall von Gittertranslationen bleibt das Kri
stallsystem erhalten (z.B. Verdopplung einer Gitter
konstanten in der niedrigersymmetrischen Phase).
-- 13 --
zu I) In diesem Fall bilden sich Domänen mit unter
schiedlicher Richtung der ferro- bzw. antiferro
elektrischen Achse aus. Diese Richtungen sind in der Pro-
totyp- Phase symmetrisch äquivalent. Beispiele sind die
90°- Domänen (Abb. 2.9 a) des ferroelektrischen BaTi0 3 und
der antiferroelektrischen Verbindungen PbZr0 3 und NaNb0 3 ,
die in der Prototyp- Phase eine kubische Struktur besitzen
/66-68/. In Ferroelektrika treten neben diesen Domänen
auch Gebiete mit antiparalleler Orientierung der spontanen
Polarisation auf: 180°- Domänen (Abb. 2.9 b) /57/.
~ AFE
a
d FE
[JIIJ FE b
Abb. 2.9 Schematische Darstellung von Domänen für ein
Antiferroelektrikum (AFE) und ein Ferroelektri
kum (FE): a) 90°- Domänen, b) 180°- Domänen.
zu II) Bleibt bei Wegnahme eines Punktgruppenelements das
Kristallsystem erhalten, so können in der entstan
denen ferroelektrischen Phase nur 180°- Domänen entstehen
(die bei Antiferroelektrika prinzipiell nicht möglich sind).
Ein Beispiel ist hier NH 4LiS0 4 , das aus der Kristallklasse
m m m (paraelektrische Phase) in die Kristallklasse m m 2
(ferroelektrischen Phase) übergeht /69/.
zu III) Bleibt die Kristallklasse erhalten und fallen (z.B.
durch Verdopplung einer Gitterkonstanten) Trans
lationen weg, so können Domänen im Sinne einer Verzwillin
gung (wie unter I) und II) beschrieben) nicht auftreten.
-- 14 --
Es sollten jedoch Antiphasendomänen möglich sein, wie sie
für ein Antiferroelektrikum mit zwei Orientierungen der
Antiphasengrenze (kurz: APB für "Antiphase boundary") in
Abb. 2.10 skizziert sind.+
Abb. 2.10
Antiphasengrenze eines
Anti ferroelektrikums b I
I I
t I I I
t I I I
' ' t
I I I
' t I I I
t I
J I I
' ' I
t ' I
I I I I
' J I t '
I I I I I
t I
J t I
J I I
I I
t t t a) APB parallel zur ferro
elektrischen Achse I I I J t I
J t I I
I J t I
J t I I I I
b) APB senkrecht zur ferroelektrischen Achse
-f = Fault- Vektor der Antiphasengrenze (ursprünglich eine
Gittertranslation der Hochphase)
Solche Antiphasendomänen sind von Legierungen her bekannt,
wo sie bei "Order- Disorder"- Übergängen entstehen /70/.
I I I I I I
Antiferroelektrische Phasen können nur bei Übergängen auf
treten, bei denen sich die Elementarzelle verdoppelt. Dies
ist notwendig für die Aufspaltung in die beiden mit ver
schiedenen Dipolen besetzten Untergitter. Beim Übergang in
eine ferrielektrische Phase müssen darüberhinaus Punktgrup
penelemente verschwinden, damit eine polare Kristallklasse
entsteht.
+ Bei Antiphasendomänen handelt es sich um Kristallberei
che, deren Strukturen sich durch eine Translation inein
ander überführen lassen (sog. Translations- Varianten).
-- 15 --
2.2.2. Domänengrenzen
Die Anordnung von Domänen ist durch den Verlauf der Do
mänengrenzen bestimmt. Diese Grenzen können jedoch nicht
jeden beliebigen Verlauf annehmen, sondern sind in der
Regel auf bestimmte Orientierungen beschränkt. Bevorzugte
Orientierungen sind insbesondere solche, bei denen die
Grenzflächenenergie niedrig ist; dies trifft häufig zu
für niedrig indizierte Ebenen.
Drei Faktoren beeinflussen (hauptsächlich) die Orientie
rung einer Grenzfläche:
a) die spontane Deformation der Domänen,
b) elektrische Ladungen in der Grenze,
c) die strukturelle Anpassung der Domänen entlang
der Grenze.
zu a) Beim Übergang von der paraelektrischen in eine
der ferroischen Phasen tritt (im Vergleich zur
Paraphase) eine spontane Deformation auf. Diese besitzt
in 180°- Domänen die gleiche, in Domänen mit nichtparal-
leler ferro- bzw. antiferroelektrischer Achse eine unter
schiedliche Orientierung (d.h. die Ellipsoide der spon
tanen Deformation sind gleich bzw. verschieden orientiert).
Ist die Deformation der beiden Domänen entlang der Grenz
fläche unterschiedlich, so herrschen am Kontakt starke
mechanische Spannungen, die eine hohe Energie bedeuten und
diese Grenzfläche instabil und damit "unwahrscheinlich"
machen. Erlaubt sind dagegen Grenzen, für die die spontane
Deformation der Domänen in der Grenzfläche gleiche Orien
tierung besitzt /71/. Dies ist der Fall für 180°- Domänen,
-- 16 --
da hier die Deformationen stets gleiche Orientierungen
haben, sodaß unter dem Gesichtspunkt a) alle Orientie
rungen der Grenze erlaubt sind.
zu b) Grenzen, bei denen die spontane Polarisation oder
eine ihrer Komponenten in "head- to- head"- oder
"tail- to- tail"- Stellung stehen, sind elektrisch geladen
und daher "verboten" (hohe elektrostatische Energie). Dem
nach sind nur solche Grenzen möglich, bei denen die Paral
lelkomponenten von P bezüglich der Grenze antiparallel, s die Normalkomponenten jedoch parallel sind. Für die 180°-
Domänen bedeutet dies, daß nur Grenzen parallel zu P s
erlaubt sind.
zu c) Die nach a) und b) "erlaubten" Grenzen können
eine je nach Orientierung mehr oder weniger gute
Anpassung der Struktur in der Grenzfläche zur Folge haben.
Grenzen guter "Passung" (meist niedrig indizierte Ebenen)
treten besonders häufig auf. Ein Beispiel dafür ist das
NH 4LiS0 4 , dessen ferroelektrische Phase 180°- Domänen auf
weist. Unter den nach a) und b) erlaubten Grenzen (parallel
zur elektrischen Achse [010]) treten fast nur die Ebenen
(001) auf /69/.
Da bei Antiphasengrenzen keine Grenzflächenladungungen auf
treten, entfällt hier Punkt b). Für Domänen gleicher Rich
tung der antiferroelektrischen Achse ist auch Punkt a) hin
fällig. Bei Antiferroelektrika, deren Kristallsystem beim
Phasenübergang erhalten bleibt (wie z.B. bei CFTH), ist
nach a) und b) nun jede Orientierung der auftretenden APB's
zulässig. Die Bevorzugung einer bestimmten Orientierung
(z.B. eine der APB's in Abb. 2.9) wird nur durch eine bes
sere strukturelle Anpassung der Domänen an der Grenze ver
ständlich.
2.2.3.
-- 17 --
Experimentelle Beobachtung von Domänen und
Domänengrenzen
Domänen mit unterschiedlicher Orientierung der ferro
oder antiferroelektrischen Achse (90°- Domänen) lassen
sich durch die unterschiedliche Lage der Indikatrix be
reits im polarisierten Licht erkennen. Anätzen und pyro
elektrische Dekoration sind ebenfalls geeignet, unter
schiedliche Polarisation anzuzeigen.
180°- Domänen (nicht bei Antiferroelektrika) sind wegen
der gleichen Orientierung der Indikatrix im polarisier
ten Licht allenfals durch optische Aktivität (bei op
tisch einachsigen Kristallen) zu erkennen. Wie am KLiS04
und NH 4LiS0 4 gezeigt wurde, ist es möglich diese Domänen
auch durch Anätzen oder pyroelektrische Dekoration sicht
bar zu machen /69,73/.
Domänengrenzen erscheinen in allen vorgenannten Fällen
als Berandung von Domänen (hell- dunkel Kontrast). Sie
lassen sich jedoch mit Röntgentopographie und Elektro
nenmikroskopie auch direkt abbilden. Durch einen Sprung
der Phase a der Strukturamplitude F = I F I exp ia in der
Grenze werden dynamische Interferenzkontraste, ähnlich
wie bei Stapelfehlern, hervorgerufen. Dieser Phasen
sprung kann durch eine Orientierungsänderung der Struk
tur an der Grenze (z.B. bei Inversionsverzwillingung)
und I oder einen Fault- Vektor T bedingt sein. Es ist
möglich, diesen Fault- Vektor durch ein "Auslöschungs-
k r i t e r i um " zu e r m i t t e 1 n : f ü r R e f 1 e x e m i t 2 n + 2 n g·f = 2 n n
(g= Diffraktionsvektor; n =ganze Zahl) tritt kein dyna
mischer Kontrast an der Domänengrenze auf /69,73/.
-- 18 --
Für Antiphasendomänen, deren Gitter ohne Orientierungs
änderung gegeneinander um den Fault- Vektor f verschoben
sind, vereinfacht sich die Auslöschungsbedingung. Es gilt
dort: wenn g·f = n (n =ganze Zahl, also z.B. gleich Null)
ist, kann kein dynamischer Kontrast der Antiphasengrenze
beobachtet werden.
Es sei darauf hingewiesen ., daß APB's, die bei der Um
wandlung durch Verdopplung einer Gitterkonstanten ent
stehen, röntgentopographisch nur in den Überstruktur
reflexen abgebildet werden können. Für die in der Hoch
phase bereits vorhandenen Reflexe ist nämlich die Aus-
1 ö s c h u n g s b e d i n g u n g g·f = n s t e t s e r f ü 11 t • W i r d z • B • d i e
c- Translation verdoppelt (f = 1/2 7), so gehen die Refexe
h k 1 der Hochphase in die Reflexe h k 21 der Tiefphase
über. Für diese gilt dann: g·f = 1 (=ganze Zahl), da f=-;/2
und g = h a* + k b* + 21 "Z*.
Antiphasendomänen sind polarisationsoptisch oder durch
pyroelektrische Dekoration nicht zu erkennen. Antiphasen
grenzen können dagegen durch Anätzen sichtbar gemacht
werden, da sie flächenhafte Defekte sind. Dies wurde z.B.
am (NH 4 ) 2so 4 gezeigt /72/.
2.3. Hystereseverhalten und Dipolstruktur von CFTH
2.3.1. Hystereseverhalten von Kupferformiat-Tetrahydrat
Oberhalb -38°C besteht zwischen dielektrischer Polarisa
tion und angelegter Feldstärke der für paraelektrische
Ordnung typische lineare Zusammenhang. Unterhalb dieser
T e m p e r a tu r b i s etwa - 4 6 ° C w i r d i n [ 0 1 0] - Ri c h tu n g e i n e
Doppel- Hystereseschleife beobachtet (Abb. 2.11), die das
Vorliegen einer antiferroelektrischen Phase anzeigt /38/.
-- 19 --
(o) -44. 3 oc (b) -42.6 °C (c)-41.0 oc (d)- 40 . 3 °C (e)-39 . 5 oc (f)- 38.6 oc
Abb. 2.11 Hystereseschleifen einer (010)- Platte von
Kupferformiat-Tetrahydrat (aus I 38/)
Zwischen -46°C und etwa -120°C werden in [010]- Richtung
Dreifach- Hystereseschleiten festgestellt, die auf eine
ferrielektrische Phase hinweisen. In Abb. 2.12 a erkennt
man nur eine Dopp el - Hystereseschleife bei -50°C, da die
mittlere Schleife zu klein und nicht aufgelöst ist. Abb.
2.12 b wurde mit geringerer Feldstärke und größerer Ver
stärkung aufgenom men. Man erkennt hier deutlich die mitt
lere Schleife. Di e beiden äußeren Schleifen sind nicht
voll ausgebildet, da die Sättigungsfeldstärke Ek nicht
erreicht wird. Die Abbildungen 2.12 c-e wurden mit weiter
verringerter Feldstärke aufgenommen; es werden hier nur
noch die ferroelektrischen Domänen, die bei T<-40°C auf
treten, umgeklappt.
-so 0 c
Abb. 2.12 Hystereseschleifen einer (010)- Platte von
Kupferformiat ~ Tetrahydrat (aus /43/)
-6o 0 c
Die Sättigungspolarisation für die mittl ere (ferroelektri
sche) Schleife ist etwa 1000 mal kleiner, als die Polarisa
tion, die nach Umklappen der beiden Dipolgitter in Paral
lelstellung resultiert /43/.
-- 20 --
2.3.2. Dipolstruktur von Kupferformiat-Tetrahydrat
Die Struktur des CFTH besteht aus abwechselnden Schichten
von Wasser- und Kupferformiatgruppen parallel zur (001)
Ebene. Die H- Atome der Wasserschichten sind in der para
elektrischen Phase ungeordnet, in der antiferroelektrischen
Phase dagegen geordnet. In der antiferroelektrischen Phase
beobachtet man eine Verdopplung der Gitterkonstanten in c
Richtung, die damit erklärt wird, daß die Konfiguration der
Dipole in jeder Wasserschicht für sich gesehen ferroelek
trisch ist, jedoch in c- Richtung abwechselnd zwei Typen
von Wasserschichten mit antiparallelen Dipolmomenten vor
liegen (Abb. 2.13).
a
-------------1c Struktur
b
-·.·.·.·.·-.·.·.·.·-.·.·.·.·lc=2c
ungeordnete Wasserschicht
geordnete Wasserschicht
keine spontane
Polarisation
Polarisation
- - - - - - -- - - - - - -- - - - - - -
Kupferformiatschicht
-- Polarisationsrichtung
Abb. 2.13 Schematische Struktur und Polarisation von CFTH
in der para- (a) und der antiferroelektrischen
(b) Phase
-- 22 --
Vorherrschende Flächenformen waren in den meisten Fällen
{001} (Spaltebene) und {110}, daneben traten {111} und
{lli} untergeordnet auf. An einigen Kristallen konnten
kleine {010}- Flächen festgestellt werden.
Abb. 3.2 Idealisierter CFTH- Kristall
3.2. Präparation der Kristallplatten
"Sehr schade ist, daß diese Krystalle •.. sich nicht hal
ten, sondern sehr bald an der Luft verwittern; die glän
zenden Flächen werden erst matt, und überziehen sich dann
allmälig mit einem hellblauen, beinahe weißen Beschlage"
(Heusser, 1851).
Tatsächlich entwässern die Kristalle bereits bei Raumtempe
ratur an trockener Luft. Auch Überdecken mit Paraffin oder
Silikonöl konnte - wie die Röntgentopogramme zeigten - ein
Entwässern nicht verhindern. Die Kristalle wurden schließ
lich wie in Abb. 3.3 gezeigt aufbewahrt.
-- 23 --
Die CFTH- Lösung sorgt für genügende Luftfeuchtigkeit,
(verdünnte) Ameisensäure oder Wasser anstelle der Mutter
lösung sind nicht geeignet. Bei längerer Aufbewahrungs
dauer empfiehlt es sich, die so eingeschlossenen Kristalle
im Kühlschrank zu deponieren.
Abb. 3.3
Behältnis zum Aufbewahren
der CFTH- Kristalle
(luftdicht abgeschlossen)
CFTH- Lsg . --------
Mit einer Fadensäge wurden aus großen Einkristallen Kri
stallplatten parallel (001), (110) und (010) herausgeschnit
ten und auf Dicken von 0.3 - 1.0 mm heruntergedünnt. Dabei
zerbrachen häufig Platten, die senkrecht zur Spaltebene he
rausgeschnitten worden waren. Wegen der Ent~ässerungsgefahr
(vgl. Abschnitt 5.1) geschah diese Präparation in der Regel
erst kurz bevor die betreffende Kristallplatte röntgentopo
graphisch untersucht wurde. Zum mechanischen Schutz, vor
allem aber um kurzfristig einer Entwässerung vorzubeugen,
wurden die Kristallplatten zwischen Plastikfolien einge
schweißt; anschließemd wurden sie in der Topographie- Kühl
kammer (siehe dazu Anhang) so schnell wie möglich auf Tem
peraturen um 0°C gebracht. Nach Verwendung wurden die Kri
stallplatten wieder aus der Folie befreit und in die Aufbe
wahrungsgefäße gegeben. Dort hielten sich einige trotz
großer Oberfläche einige Wochen ohne äußere Anzeichen von
Entwässerung.
-- 24 --
4. Untersuchungsmethoden
4.1. Optik
Zwischen Raumtemperatur und -70°C wurden CFTH- Kristalle
mit dem Durchlichtmikroskop Ortholux- Pol der Firma Leitz
mit einer am Institut gebauten Tiefkühleinrichtung unter
sucht. Die Kühlung geschieht mittels eines horizontal lie
genden Kühlfingers, der mit flüssigem Stickstoff gekühlt
wird. Die Probe (vorzugsweise ein dünnes Kristallplättchen
von einigen mm Durchmesser) liegt über einer Bohrung im
Kühlfinger, die eine Betrachtung im Durchlicht ermöglicht.
Ein evakuierbarer Metallzylinder mit zwei Glasfenstern (im
Strahlengang) umschließt den Kühlfinger. Für die Unter
suchungen wurden kleine, gut ausgebildete Kristalle mit
plättchenförmigem Habitus nach (001) bzw. (110) verwendet.
4.2 Röntgentopographie
Die Aufnahmen dieser Arbeit wurden mit einer Lang- Kamera
und einem Röntgengenerator der Firma Rigaku (Drehanode) in
Verbindung mit einer am Institut gebauten Tiefkühleinrich
tung angefertigt (siehe Anhang) /74/.
Der lineare Absorptionskoeffizient für CFTH berechnet sich
zu:
/J;CFTH ( A = 0.5608 ~) = 1.43
/J;cFTH ( A. = 0 • 7 l o 7 ~) = 2 . 7 4
-1 mm -1 mm
für Ag
für Mo
Strahlung
Strahlung
Bei röntgentopographischer Abbildung ist dann eine direkte
Abbildung von Gitterdeformationen mittels Extinktionskon
trast vorherrschend, wenn gilt: p,·d < l- 1.5 ( d =Dicke
der Kristallplatte). Bei Ag- Strahlung sollte die Platte
-- 25 --
deswegen nicht dicker als 1 mm sein, bei Mo- Strahlung wäre
die Obergrenze ca 0.5 mm. Da CFTH parallel zur (001)- Ebene
sehr leicht spaltet, sind dünne Platten senkrecht zu dieser
Ebene nur schwierig zu präparieren. Deshalb und weil die
Platten auch nicht zu dünn sein sollten (z.B. für Sektions
aufnahmen ) wurde Ag- Strahlung verwendet.
Für die Auswahl geeigneter Reflexe ist die Kenntnis ihrer
Strukturf aktoren notwendig. Diese wurden mit den Lagepara
metern und Gitterkonstanten der Ho chphase mi t Hilf e des
X- Ray Systems /76/ berechnet. In Tabelle 1 sind einige
Reflexe, die zur Abbildung geeignet erscheinen, aufgeführt .
In der antiferroelektrischen Tiefphase verdoppelt sich die
Gitterkonstante in c- Richtung, jedoch haben die neu ent-1 3 st ande n en Reflexe ( z .B. oo 2, oo 2 etc.) einen sehr kleinen
Strukturfaktor (~ 3% des stärksten Reflexes /1 8 /), sodaß
eine Abbildung in diesen Reflexen nicht in Betracht kam.
h k 1 F (Röntgen) 21} (A gKa 1) c
2 0 0 42.3 8 .01 4 0 0 24 . 3 16.06
0 2 0 16.8 7. 89 0 4 0 17.2 15.82
Tabe ll e 1 0 0 1 71. 5 5.16 0 0 2 106.1 10.33
Übersicht über einige 0 0 3 47. 2 15.52
Reflexe CFTH in 1 1 0 71. 3 5.62 von 2 2 0 49. 8 11.2 5 der Hochph ase 3 3 0 39.7 16.92
(F - 208 ) 4 0 I 72.3 15.90
000 4 0 3 56.8 20.11
0 4 1 60. 7 16.65
1 1 1 61. 7 8 .14 2 2 2 56.8 16.32
1 1 I 61.8 7.09 2 2 2 23.2 14.21
-- 26 --
Für die gewählte Plattenorientierung wurden jeweils sol
che Reflexe ausgewählt, deren Strukturfaktoren (Tabelle 1)
möglichst groß und deren Scatteringvektoren (~)möglichst
senkrecht aufeinander stehen.
Wegen der niedrigen Kristallsymmetrie und der Tatsache,
daß die Orientierung der Kristallplatte auf der Kamera
unter der Wärmeabdämmung nicht mehr von außen eingesehen
werden konnte, wurde die Justierung mit Hilfe der Stereo
graphischen Projektion durchgeführt.
In Abb. 4.1 sind Stereographische Projektionen von vier
Kristallorientierungen abgebildet. Im Mittelpunkt jedes
Stereogramms befindet sich die Plattennormale der betrach
teten Kristallplatte. Ihre Richtung ist auch die des Pri
märstrahls bei~= 0°. Für eine röntgentopographische Ab
bildung mit dem hier angewandten Verfahren lassen sich
solche Reflexe heranziehen, deren darstellender Punkt
(Netzebenennormale) auf oder in der Nähe des Zonenkreises
zur Primärstrahlrichtung liegt. Dies wird erreicht, indem
die Netzebenennormale zunächst um die Plattennormale
(=Mittelpunkt des Projektionskreises) in eine solche Stel
lung gedreht wird, daß sie im Goniometer horizontal liegt.
Wenn der darstellende Punkt noch nicht auf dem Zonenkreis
zur Primärstrahlrichtung liegt, wird er jetzt durch Drehung
der Kristallplatte um eine vertikale Achse ( = Kameraachse)
um den sogenannten Asymmetriewinkel dorthin gebracht.
Anschließend wird der Kristall um ~in die Reflexionsstel
lung und die Filmkassette (gleichsinnig) um 2~ in eine
Stellung senkrecht zum reflektierten Strahl um die verti
kale Kameraachse gedreht.
"-o 110 l10
-- 27 --
--7 0
o1o o41 oo1 041 010 ·--·-------·-------·lii:l· 110 -------·-------
\ H1
y 0
111 3.4 .-041
111
• s .o'
----------·100 010 •
Abb. 4.1 Stereographische Projektionen von CFTH senkrecht
zu den Flächen (001), (110), (100) und (010).
Es sind die jeweils stärksten für die Abbildung
geeigneten Reflexe eingetragen.
• obere Halbkugel o untere Halbkugel
-- 28 --
5. Ergebnisse der Untersuchungen
5.1. Optische Untersuchungen
5.1.1. Untersuchungen bei Raumtemperatur
Die Kristalle entwässern innerhalb kurzer Zeit bereits
bei Raumtemperatur (20- 30°C) an trockener Luft.
In Abb. 5.1 a ist ein Kristall abgebildet, der ungefähr
15 Minuten ungeschützt diesen Bedingungen ausgesetzt
war. Die Entwässerung ist auf den {110} und {Ill}- Flächen
bereits recht weit fortgeschritten. Auf der (001)- Fläche
sind dagegen nur wenige helle Flecken zu erkennen. Ihr
verstärktes Auftreten in der Mitte dieser Fläche spricht
dafUr, daß an diesen Stellen Versetzungslinien ausstechen.
Das unterschiedliche Entwässerungsverhalten auf den ver
schiedenen Flächen und die bevorzugte Spaltbarkeit haben
schon Kohlschütter I 6 I die Vermutung aussprechen lassen,
daß es sich bei CFTH um einen Kristall mit Wasserschich
ten handele.
Abbildung 5.1 b zeigt denselben Kristall eine halbe Stunde
später. Die Entwässerung ist bis dahin noch nicht sehr
weit in den Kristall eingedrungen. Dies kann man erkennen,
wenn man die silbrig erscheinende "Außenhaut" entwässerten
Materials mit Wasser wegspült. Der Kristall erscheint da
nach wieder ebenso blau und durchsichtig wie zuvor. Ver
setzungen lassen sich sehr leicht an ihren ÄtzgrUbehen er
kennen. Sie enden überwiegend in der Mitte der ( 001) -
Fläche (direkt Uber dem Keimkristall).
-- 31 --
5.1.2. Untersuchungen mit einer Tiefkühleinrichtung
Tiefkühlexperimente werden, um ein Beschlagen und Vereisen
der Probe zu vermeiden, in der Regel im Vakuum durchgeführt.
Unter Vakuum entwässerten die CFTH- Kristalle jedoch auch
bei tiefen Temperaturen so schnell, daß optische Untersu
chungen unmöglich wurden. Es wurde daher ohne Vakuum lang
sam (1- 2 ° /Min) bis auf -80°C abgekühlt. Die Beobachtungen
wurden durch ein geringes Vereisen nicht gestört.
Mehrere nach (001) und (110) plättchenförmig gewachsene Kri
stalle wurden durch Aufwärmen und Abkühlen mehrmals durch
die Phasenumwandlungen bei -38° und -46°C gebracht. Bei einem
Übergang innerhalb des monoklinen Systems kann sich bei Er
haltung der monoklinen Achse die Form der Indikatrix und ihre
Orientierung (durch Drehung um die monokline Achse) ändern.
Eine Änderung der optischen Eigenschaften war jedoch nicht
zu beobachten: sowohl die Dunkelstellung als auch die Doppel
brechung bleiben gleich.
Bei der -38°C- Umwandlung wurde die Grenze zwischen Hoch- und
Tiefphase in Form eines diffusen hellen Lichtbalkens sichtbar,
der bei Änderung der Temperatur langsam durch das Gesichts
feld wandert. Die Aufhellung der Phasengrenze ist auf Span~
nungsdoppelbrechung infolge unterschiedlicher Gitterparameter
zurückzuführen. Die Phasengrenze der -46°C- Umwandlung konnte
nicht beobachtet werden. Während der Umwandlung bei -38°C
bilden sich häufig Risse in der Kristallplatte. Die Risse
verlaufen meist nicht entlang Spaltebenen. Sie werden durch
Spannungen in der Phasengrenze hervorgerufen.
-- 35 --
Die Entwässerung wird dur c h Kristallbaufehler wie Verset
zungen (siehe Abb. 5.1: optische Photographie einer CFTH
Platte) oder Punktdefekte hoher Konzentration lokal ver
stärkt . Die erhöhte Dehydratation in den {001} -S ektoren
des CFTH ist vermutlich durch Punktdefekte bedingt, die
auf verschiedenen Wachstumsflächen in unterschiedlicher
Konzentration ei ngebaut werden und im (001)- Sektor offen
bar in besond er s hoher Dicht e vorliegen.
5.2.2. Ver setzungen
CFTH weist die übliche Versetzungsstruktur auf, wie sie von
lösungsgezüchteten Kristallen bekannt ist. Man unterscheidet
zwei Gruppen: eingewachsene Versetzungen und Gleitversetzun
gen. Typisches Erscheinungsbild eingewachsener Versetzungen
ist ihr geradliniger Verlauf von einem Einschluß oder dem
Keim ungefähr in Wachstumsrichtung bis hin zur äußeren Be
grenzung des Kristalls. Dagegen e nthalten Gleitversetzungen
im mer auch Lini e nsegmente, die annähernd parallel zur Wachs
tu msr ichtung des Kristalls sind, oder ihr sogar entgegen
laufen (z.B. in Versetzungss c hleifen). Gleitversetzungen
mü ssen dementsprechend nach Abschluß des Wachstums des Kri
stalls entstanden sein (z.B. durch plastische Verformung).
Im Folgend en werden einige Röntg e ntopogramm e besc hri e ben, die
die typischen Versetzungsstrukturen im CFTH zeigen.
In Abbildung 5.6 ist eine Platte wiedergegeben, di e parall el
zu e iner (110)- Begre nzungsfl äche des Kristalls durch den
Keimkristall geschnitten wurde. Di e Aufnahmen in d e n Reflex en
110 und 001 zeigen eingewachsene Versetzun gen (V1
, v2
, V3
),
die von Einschlüssen in der Näh e des Keims ausgehen und im
Falle der Versetzungslinie V3 in einer Wachstumssektorengren
ze in bekannter Weise abknicken. Be i Vers etz ung v1
handelt
-- 37 --
anormalen Kontrast zeigt. Die {0011- Wachstumssektoren sind
auch in dieser Platte sehr stark gestört (starker kinema
tischer Kontrast). Am Rande dieser gestörten Bereiche sind
andeutungsweise einige Gleitversetzungen zu erkennen . Der
untere Teil der Platte ist durch beginnende Entwässerung
stark gestört, deshalb sind Versetzungen dort nicht so klar
auszumachen.
Beide Aufnahmen der Abb. 5.6 wurden bei ~0°C aufgenommen,
jedoch war die Platte zwischendurch einmal auf -45°C abge
kühlt worden, bevor die rechte Aufnahme aufgenommen wurde.
Der mit "R" bezeichnete Riss ist bei diesem Abkühlen ent
standen.
Röntgentopogramme einer (001)- Platte zeigt die Abb. 5. 7.
Die Platte wurde parallel zur Spaltbarkeit durch den Keim
kristall geschnitten, von dem Bündel nichtaufgelöster Ver
setzungen ausstrahlen. In den ungestörten Eckbereichen sind
neben Pendellösungsstreifen auch einzelne Versetzungen er
kennbar, deren Burgersvektor bestimmt werden kann. Es handelt
sich bei Versetzung V 4 um eine Schraubenversetzungmit b = [110].
Die aufgrund der Auslöschung ebenfalls in Frage kommenden
Burgersvektoren [111] und [lllJ sind energetisch ungünstiger
und daher unwahrscheinlich. Analoge Überlegungen führen für
die Versetzung v5 auf den Burgersvektor b = [llO]. Die Ver
setzung ist gemischt, hat jedoch überwiegend Schraubencha
rakter. Ein Riss oder Kratzer in der Plattenoberfläche ist
in Abb. 5.7 b mit "R" bezeichnet.
Es wurden in CFTH auch Gleitversetzungen mit starker Poly
gonisation parallel <110> beobachtet. Solche Versetzungen
(V 6 , V7 ) sind in Abb. 5.8 zu sehen. Sie können nicht während
des Kristallwachstums entstanden sein. Im Fall der Gleitver
setzungsgruppe V6 liegen bereichsweise Linienstücke mit
Stufencharakter (vertikale Versetzungslinie), bereichsweise
solche mit Schraubencharakter (horizontale Versetzungslinie)
-- 43 --
Abbildung 5.10 c zeigt noch einmal in auffälliger Weise, daß
nach Überschreiten der Umwandlungstemperatur zur Hochphase
hin die Kontraste wieder völlig verschwinden.
Auch in (001)- Kristallplatten wird Streifung unterhalb der
Umwandlungstemperatur beobachtet. Dies zeigen die Aufnahmen
der Abbildung 5.11. Die abgebildete Kristallplatte ist durch
den Keim geschnitten. Sie zeigt in den versetzungsfreien
Eckbereichen bei -42°C Streifung parallel zur b- Achse. Die
Veränderung der Kontraste mit der Temperatur ist in den Abb.
5.12 c- f dargestellt. Die Kontraste sind am stärksten un
mittelbar unterhalb der Umwandlungstemperatur. Mit weiter
abnehmender Temperatur werden sie zunehmend schwächer. Die
Kontraste sind reversibel. Die Versetzungsstruktur selbst
wird durch die Umwandlung nicht beeinflußt.
Top o g r a m m e e i n e r ( 0 1 0 ) - K r i s t a 11 p 1 a t t e z e i ,g t d i e A b b • 5 . 1 2 .
Die Platte zeigt stark gestörte lOOl}- Wachstumssektoren.
Da die Platte am Keim vorbei geschnitten wurde, stoßen Ver
setzungen, die vom Keim ausgehen, mehr oder weniger steil
durch die Platte und sind als kurze Linien im Zentrum zu
sehen. Parallel zu (001) sind Risse sichtbar. Auch bei
dieser Plattenorientierung werden in der Tiefphase Strei
fungen sichtbar, die mit der c- Richtung einen Winkel von
ca. 8° einschließen. Es fällt auf, daß die Steifungen nicht
überall gleichmäßig stark in Erscheinung treten. So sind
sie im Bereich zwischen Spaltriss R und der Wachstumssekto
rengrenze WS recht deutlich (s.a. vergrößerten Ausschnitt),
während sie außerhalb dieses Bereichs nur schwach in Er
scheinung treten.
An einer in Abbildung 5.12 a durch Pfeile bezeichneten Stelle
wurde eine Folge von Sektionstopogrammen bei verschiedenen
Temperaturen angefertigt. In Abb. 5.13 ist der untere Teil
dieser Topogramme abgebildet (die Sektionsaufnahmen sind
unschärfer als üblich, da der Abstand Kristall- Film mit
-- 45 --
ca. 30 mm -bedingt durch die dicke Wärmeisolierung- sehr
groß war). Abbildung 5.13a zeigt andeutungsweise Kato'
sehe Pendellösungsstreifen, der Kristall ist also prak
tisch ungestört. In Abbildung 5.13 b ist die Umwandlungs
temperatur an der mit Pfeilen bezeichneten Stelle erreicht;
Der starke kinematische Kontrast an dieser Stelle ist auf
Deformationen in der Phasengrenze zurückzuführen. Oberhalb
dieser Stelle ist der Kristall noch in der Hochphase, un
terhalb ist er bereits in der Tiefphase.
Bei weiter abnehmender Temperatur (Abb. 5.13 c) ist die Gren
ze durch den ganzen Kristall gewandert. Die dynamischen Kon
traste erinnern an Stapelfehler I 77 I, jedoch ist das Bild
hier komplizierter (siehe Diskussion).
Anschließend wurde der Kristall über die Umwandlungstempe
ratur erwärmt und die dynamischem Kontraste verschwanden
(Abb. 5.13 d). Ein erneutes Abkühlen (Abb. 5.13 e,f) führt
wieder zu dynamischen Kontrasten. Man erkennt deutlich, daß
die Kontraste bei -40°C und -50°C verglichen mit der Auf
nahme bei -38°C schwächer sind; in Abbildung 5.13 f sind
sie fast völlig verschwunden. Diese Abbildungen demonstrie
ren damit wie schon Abb. 5.11, daß die Kontraste mit fallen
der Temperatur schwächer werden.
Die Verschiebung der Phasengrenze und damit zusammenhängende
Kontrasterscheinungen sind in Abbildung 5.14 an Translations
aufnahmen im Reflex 002 dargestellt. Die Abbildungen 5.14 a
und b zeigen einen Auschnitt aus der Platte von Abb. 5.12 und
wurden hintereinander aufgenommen. Die Phasengrenze ist mit
Pfeilen bezeichnet. Offensichlieh führt der Unterschied in
den Gitterkonstanten von Hoch- und Tiefphase zu einer starken
+ Das Thermoelement lag in der nicht evakuierten Kühlkam
mer etwa 2 cm höher als das untere Ende des Kristalls
(~2 K Temperaturunterschied); die angegebenen Tempera
turen sind deshalb nur Anhaltswerte (siehe Anhang).
-- 48 --
Deformation in der Umgebung der Phasengrenze, die dadurch
einen starken kinematischen Kontrast erzeugt. In Abbildung
5.14 a erkennt man mehr ere Spannungsfelder und auch einen
durch diese Spannungen sich entwickelnden Riss senkrecht
zur Phasengrenze, der in Abbildung 5.14 b bis zum oberen
Rand durchgelaufen ist. Der kinematische Kontrast der Pha
sengrenze selbst erscheint durch die bereits oben beschrie
bene Streifung moduliert.
Die Abbildungen 5.14 c-e wurden beim erneuten Durchlaufen
der Umwandlungstemperatur zu tieferen Temperaturen hin
aufgenommen. Der linke Kristallteil der Abb. 5.12 ist als
Folge der starken Deformationen bei der Umwandlung abge
brochen und nicht mehr in Reflexionsstellung. Die Aufnah
men zeigen nichts wesentlich Neues, sie demonstrieren aber,
daß es mit der verwendeten Kühlapparatur möglich ist, die
Phasengrenze aufgrund des schwerkraftbedingten Temp eratur
gradienten (siehe Anhang) definiert zu verschieben.
Die Temperatur am Thermoelement (oberhalb der Kristall
platte) war bei T1 =- 37.5°C, bei T4 =- 38.5°C.
Auch bei einer (001)- Platte konnte die Phasengrenze beob
achtet werden. Abbildung 5.15 a zeigt eine entsprechende
Aufnahme. Die untere Hälfte des Kristalls ist bereits in
der Tiefphase (schw ache Streifung sichtbar), dagegen ist
die obere Hälft e des Kristalls noch in der Hochph ase. Es
fällt auf, daß die untere Hälfte nicht mehr voll in Re
flexionsstellung ist (si ehe Diskussion).
In Abbildung 5.15 bist noch einmal derselbe Kristall unter
halb -40°C mit der für die Tiefphase typischen Streifung
gezeigt.
-- 50 --
Polygonisation entlang [110] und [llO]. Die Gleitversetzungen
haben also Liniensegmente parallel zu diesen Richtungen und
entweder reinen Schrauben- oder reinen Stufencharakter.
Normalerweise ist in einer Gleitebene die kürzeste Gitter
translation die bevorzugte Gleitrichtung. Im Fall des CFTH
kämen in der (001)- Ebene die etwa gleichgroßen Translationen
[100] und [010] in Frage. Diese Burgersvektoren werden jedoch
nicht beobachtet.
Die Begünstigung kurzer Translationen ist durch die geringere
Energie pro Längeneinheit der Versetzung begründet, für die
E-Kb 2 (K = Energiefaktor, b =Betrag des Burgersvektors) gilt.
Bei einfachen Strukturen (z.B. Metallen) mit schwacher Aniso
tropie ist eine Abschätzung der Energie E allein durch Be
trachtung von b2 möglich. Bei starker elastischer Anisotropie,
wie si e im CFTH vorliegt /44,45/ hat jedoch der Energiefaktor
K einen großen Einfluß. In Tabelle 2 sind für die Versetzung e n
mit b = [100], [010] und [110] die für verschiedene Richtungen der
Versetzungslini e l berechneten Werte von K und Kb 2""E ange
geben. Die Berechnung erfolgte mit Hilf e des Programms DISLOC
/75/.
Tab e ll e 2 Energiefaktoren K [ 10 11 d y n c m- 2] und En e rgi e
Kb2
[ 10- 5 dyn] für Versetzung e n mi t Burgers--+ -+
vektoren b und Richtung e n 1 .
~ [100] [010] [ 110]
K Kb 2 K Kb 2 K Kb 2
[ 100] l. 21 81.0 l. 25 83.0 l. 22 162.8
(Schr aube ) (Stufe) (g e mi scht )
[010] l. 34 89.7 l. 10 73.1 l. 22 162.8
(Stuf e ) (S chraube) (g e mi sc ht)
[1IO] l. 14 76.3 l. 08 71.7 l. 56 208.1
(g e mi sc ht) (g e mischt) (Stuf e )
--- --- ---[110] l. 14 I 76.3 I l. 08 I 71.7 I 0.62 I 82.7 I --- --- ---
(g emisc ht) (g e mi sc ht) (S ch raub e )
-- 51 --
Ungewöhnlich ist hier daß die Versetzungen mit b = [100 J und
[010] in der reinen Schraubenorientierung eine höhere Energie
haben als in den "gemischten" Orientierungen [110] und [llOJ.
Dies ist eine Folge der starken elastischen Anisotropie. Man
erkennt auch, daß Versetzungen mit b= [lOOJ, [010] und [110]
für l = [ 110] energetisch etwa gleichwertig sind (siehe um
rahmte Werte der Tabelle 2), während in der ebenfalls beob
achteten Richtung l =UIOJ die [110]- Versetzung eine etwa
21/2- mal so hohe Energie besitzt. Es erscheint möglich,
daß sich im ersten Stadium der Gleitung energetisch verhält
nismäßig günstige Versetzungsschleifen ( b = [110]) mit langen
[110] - und kurzen UIOJ - Liniensegmenten gebildet haben, die
sich anschließend unter Einwirkung orientierter Schubspannungen
zu Schleifen mit langen [llOJ- Liniensegmenten aufgeweitet haben , .
Nicht zuletzt sollte hier die in den Rechnungen nicht berück
sichtigte "Kern"- Energie der Versetzungen in Betracht gezogen
werden. Dieser Anteil der Versetzungsenergie kann bei struktu
rell komplizierten und elastisch anisotropen Kristallen stark
von der Richtung des Burgersvektors abhängig sein und für ge
wisse (im allgemeinen niedrig indizierte) Linienrichtungen ein
ausgeprägtes Minimum besitzen. Die deutliche Polygonisation - -der Versetzungen mit b = < 110 >weist daraufhin, daß für 1 =UlOJ
und [llOJ ein solches Minimum vorliegt.
Es erscheint damit plausibel, daß das bevorzugte Auftreten von
Gleitversetzungen mit b= [110] durch einen sehr kleinen Energie
faktor für die Richtung [110 J und eine offensichtlich besonders
niedrige "Kern"- Energie für die Richtungen <110> begründet ist.
Eine endgültige Erklärung kann nur über die Kenntnis der atoma
ren Anordnung im Versetzungskern gegeben werden. Diese Kenntnis
ist aber bereits bei strukturell einfachen Kristallen nur sehr
schwer oder garnicht zu erhalten.
-- 52 --
6. 2. Umwandlungsbedingte Defekte
Beim Übergang in die antiferroelektrische Tiefphase treten
in den ungestörten Kristallbereichen streifenhafte Kontraste
auf, die dynamischen Charakter (im Sinne der dynamischen
Theorie der Röntgenbeugung) haben. Dies wird bestätigt durch
die Sektionsaufnahmen, die ein kompliziertes Interferenz
muster erkennen lassen. Es handelt sich hier offenbar um die
Übetlagerung der dynamischen Kontraste von mehre~en, sich
überlappenden planaren Defekten.
In einigen Fällen ist die kontrasterzeugende ebene Störung so
isoliert, daß (wegen der sehr geringen Breite des Sektions
tapagramms und der schlechten Auflösung) andeutungsweise das
Interferenzmuster von "tilt- boundaries" zu erkennen ist, wie
es z.B. von Miltat I 77 I gezeigt und beschrieben worden ist.
Es ist dies das Interferenzmuster einer Grenze zwischen zwei
Bereichen, die um einen so kleinen Winkel gegeneinander "ver
kippt" sind, daß sich ihre Reflexionskurven noch überlappen.
Die Verkippung liegt damit in der Größenordnung der Halbwerts
breite der Reflexionskurve des Idealkristalls, d.h. bei etwa
1 Winkelsekunde.
Eine "Auslöschung" der Kontraste wurde in keinem der abbilden
den Reflexe (001, 002, 003, 110, 220, 40I, 041) beobachtet,
sodaß es nicht möglich ist, dem planaren Defekt - wie etwa einem
Stapelfehler oder einer Antiphasengrenze - einen "Fault"-Vektor
zuzuordnen. Der Charakter der durch die planaren Defekte ge
trennten "Domänen", die sich polarisationsoptisch nicht erken
nen lassen, ist noch ungeklärt. Auf keinen Fall handelt es sich
um "Antiphasen- Domänen", deren Grenzen nur in den Überstruk
turreflexen sichtbar sein dürften und in allen hier verwendeten
Reflexen ausgelöscht sein müßten. In der Regel lassen sich die
bei der Phasenumwandlung entstehenden Domänen aus der Ober
Untergruppenbeziehung zwischen Hoch- und Tiefphase verstehen.
-- 53 --
Im vorliegenden Fall bleibt jedoch die Kristallklasse
erhalten und die Symmetrie der Tiefphase P 2 1 /n (c' = 2c)
ist keine Untergruppe von P 2 1 /a, der Punktgruppe der
Hochphase. Es ist somit hier nicht möglich aus Symmetrie
betrachtungen die möglichen Arten von Domänen in der Tief
phase abzuleiten. Möglicherweise muß man die beiden Kri~
Stallklassen P 21 /a und P 21 /n als Untergruppen einer ge
meinsamen, nicht realisierten (hypothetischen) Hochphase
auffassen, die im vorliegenden Fall rhombisch sein müßte.
Eine solche, zwei Phasen gemeinsame "Obergruppenp.hase" ist
z.B. im NH 4LiS0 4 verwirklicht (Hildmann /69/).
In diesem Zusammenhang sei noch einmal darauf hingewiesen,
daß die hier zugrundegelegten monoklinen Raumgruppen der
Hoch- und Tiefphase des CFTH noch nicht endgültig gesichert
sind. So werden in der "neuesten" Stukturarbeit von Burger
et al. /21/ wegen einiger schwacher Reflexe die Raumgruppen
P 1 oder P I als zutreffend angenommen (siehe Einleitung)
und die monoklinen Raumgruppen lediglich als Näherung ver
wendet.
Bemerkenswert ist auch, daß die dynamischen Kontraste der
planaren Defekte mit tieferer Temperatur schwächer werden
und fast verschwinden. Diese Veränderung scheint jedoch
nicht mit dem von Suzuki et al. /43/ postulierten Übergang
in die ferrielektrische Phase bei -46°C korreliert zu sein,
da die Konraste bei -50°C noch deutlich vorhanden sind und
erst bei -60°C annähernd verschwinden. Welche Vorgänge diese
Kontraständerung verursachen, ist nicht bekannt.
Bei den Röntgentopogrammen mit Abbildung der Phasengrenze
fällt auf, daß bei (010)- Platten im Reflex 002 beide Pha
sen zugleich voll in Reflexionsstellung sind (Abb. 5.12),
während bei (001)- Platten im Reflex 110 nur eine Phase
(in Abb. 5.15 a z.B. die Hochphase) reflektiert. Damit liegt
hier ein Unterschied der Reflexionsstellungen beider Phasen
-- 54 --
vor. Er kann bedingt sein durch eine Änderung des zugehö
rigen d- Wertes oder eine Änderung der Gitterorientierung.
Eine kleine Änderung des monoklinen Winkels beim Phasen
übergang oder eine leichte Verdrehung des Gitters um die
monokline Achse (die bei der Umwandlung erhalten bleibt)
können die Ursache sein. Um den beobachteten Unterschied
in den Reflexionsstellungen genauer zu erklären, müßten
noch röntgentopographische Untersuchungen mit Abbildung
der Phasengrenze in Platten der Orientierungen (100) und
(110) durchgeführt werden.
7. Zusammenfassung
Kupferformiat-Tetrahydrat Cu(HC00) 2·4 H20 kristallisiert bei
Raumtemperatur in der Raumgruppe P 2 1 /a. Bei Abkühlen unter
halb -38°C geht der Kristall durch Verdopplung der Translation
in c- Richtung in eine antiferroelektrische Phase mit der
Raumgruppe P 2 1 /n über.
Die Kristalle des Kupferformiat-Tetrahydrat wurden nach der
Verdunstungsmethode aus wässriger Lösung bei 38°C gezüchtet.
Es ergaben sich o~tisch klare Kristallindividuen mit Durch
messern bis zu 40 mm. Aus den Kristallen wurden dünne Platten
verschiedener Orientierung herauspräpariert und optisch und
röntgentopographisch (Lang- Verf a hren) in Hoch- und Tiefphase
untersucht.
Die Kristalle entwässern unter Normalbedingungen sehr schnell.
Die Röntgentopogramme ungeschützter und nicht sofort (nach der
Präparation) a bgebildeter Kristalle zeigen starke Störungen
durch Entwässerungserscheinungen. Nicht- entwässerte Platten
zeigen die für die Lösungszüchtung typische Geometrie einge
wachsener Versetzungen. Burgersvektoren [001] und<llO> konn
ten bestimmt werden. Außerdem werden Gleitversetzungen auf
der Spaltebene (001) mit Burgersvektoren <110> beobachtet.
-- 55 --
In der Tiefphase bleiben die zuvor beobachteten eingewach
senen Defekte unverändert erhalten. Es treten jedoch strei
fenartige zusätzliche Kontraste auf. Sektionstopogramme zei
gen ein kompliziertes Interferenzmuster, das aus der Über
lagerung der Kontraste sich überlappender planarer Defekte
resultiert. Isolierte planare Defekte zeigen das Kontrast
muster von "til t- boundaries".
Die zusätzlichen Kontraste verschwinden bei der Rückkehr in
die Hochphase wieder völlig. Sie werden auch bei tieferen
Temperaturen unter -50°C schwächer. Es konnte nicht geklärt
werden, welcher Art die durch die planaren Defekte (Grenzen)
gegebenen Domänen sind. Sie sind polarisationsoptisch nicht
sichtbar.
Mit Hilfe des schwerkraftbedingten Temperaturgradienten in
der Probenkammer konnte die Grenze zwischen Hoch- und Tief
phase definiert durch den Kristall verschoben und abgebildet
werden. Die Phasengrenze wird röntgentopographisch durch
kinematische Deformationskontraste sichtbar. Je nach Orien
tierung der Platte und abhängig vom abbildenden Reflex kann
die Reflexionsstellung in Hoch- und Tiefphase gleich oder
verschieden sein.
-- 56 --
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-- A-l -- Anhang
Aufbau einer Tiefkühleinrichtung für die Röntgentopographie
Einleitung
Zahlreiche interessante Phänomene können nur bei Temperaturen
beobachtet werden, die oberhalb oder unterhalb der Raumtempe
ratur liegen. Bereits Mathiot et al. /A l,A 2/ verwendeten des
halb einen (kommerziell erhältlichen) Kryostaten für die Topo
graphie bei Temperaturen oberhalb 4.2 K. Die verhältnismäßig
kleine Probe befindet sich dabei in einem flachen vertikalen
Hohlstab, der in einen kalten Heliumstrom ragt, sie kann durch
einen Schneckentrieb, der ebenfalls im Hohlstab untergebracht
ist, um die Primärstrahlrichtung gedreht werden.
Für Temperaturen oberhalb 100 K haben Safa et al. /A 3/ eine
ähnliche Konstruktion gewählt. Hier wird ein vertikaler Cu
Kühlfinger durch flüssigen Stickstoff gekühlt. Die Probe be
findet sich am unteren Ende dieses Kühlfingers in einem eva
kuierbaren Glasbehältnis mit Mylar- Röntgenfenstern. Die
Temperaturmessung geschieht mit Hilfe einer Silizium- Diode.
Eine Drehung der notwendigerweise kleinen Probe um den Pri
märstrahl ist bei dieser Konstruktion nicht möglich.
Weitere Kryostat- Konstruktionen finden sich bei Tanner et
al. /A 4/. Gemeinsam ist ihnen, daß die Probe relativ klein
und eine Abbildung vorzugsweise mit weißer Synchrotron
Röntgenstrahlung erfolgen muß, da die Drehmöglichkeit der
Probe im gekühlten Zustand stark eingeschränkt ist.
Die beschriebenen Tieftemperatur-Topographiekammern sind
für sehr tiefe Temperaturen und flüssigen Stickstoff bzw.
flüssiges Helium als Kühlmittel ausgelegt. Die thermische
Isolierung wird durch Hochvakuum erreicht. Dies bedingt eine
-- A-2 --
aufwendige Konstruktion und sehr beschränkte Möglichkeiten
die gekühlte Probe zu drehen.
Im Inst. f. Kristallographie der RWTH Aachen wurde passend
zur vorhandenen Lang-Kamera ein einfacher Kühl- und Heiz
zusatz für Temperaturen zwischen -70°C und +100°C entwik
kelt. Die Kühlung bzw. Heizung erfolgt mittels einer tempe
rierten Flüssigkeit (Wasser, Methylalkohol, Öl), die aus
einem Kühl- bzw. Wärmthermostaten durch einen Ring gepumpt
wird, der die Probenkammer umschließt. Zur Wärmeisolation
genügt es, die Probenkammer in Styropor "einzupacken", da
Röntgenstrahlung dieses praktisch ungeschwächt durchdringt.
Die Kammer wurde bei Temperaturen bis +70°C (Nowack /A 5/)
und -10°C (Hildmann /A 6/) mit Erfolg verwendet.
In der vorliegenden Arbeit wurde die Kammer erstmalig bis
zu Temperaturen von -60°C verwendet. Hierbei traten zahl
reiche Komplikationen auf, die z.T. durch konstruktive
Änderungen beseitigt werden mußten bzw. werden müssen.
über den Aufbau der Kammer und die mit ihr gemachten Erfah
rungen soll hier berichtet werden.
Beschreibung der Kühleinrichtung
Die Kühleinrichtung besteht aus mehreren Komponenten:
1. Kühleinsatz mit Probenhalterung
2. Kühlring mit Passung für Schlittenaufsatz der Kamera
3. Kühlmittelleitungen und Wärmeisolation
4. Kühlaggregat und Temperaturmessung
zu 1. Die Probe wird zwischen zwei Folien aus elastischem
Material geklemmt. Eine dieser Folien ist am Messing
Kühleinsatz befestigt (festgeklebt), während die andere an
einem Klemmring befestigt (festgeklebt) ist, der abgenommen
-- A-3 --
werden kann. Die Lage der Folien im Kühleinsatz ist derart,
daß sich die Probe exakt über der Drehachse des Schlittens
(t}) befindet.
zu 2. Die Kühlung der Probe geschieht über einen Messing-
Kühlring, in den der Kühleinsatz gesteckt wird (Abb.
A.2). Der Kühlring selbst wird von entsprechend temperiertem
Methylalkohol durchströmt und so auf die gewünschte Tempera
tur gebracht. Eine Messing- Passung für den Schlittenaufsatz
umgibt ihrerseits den Kühlring. In der derzeitigen Ausführung
halten drei Stahlschrauben Kühlring und Passung auf Abstand.
Mit Hilfe der Passung ist es möglich, die Probe in der Halte
rung um die horizontale Kameraachse (Primärstrahl) genauso
zu drehen, wie in der üblichen Rigaku- Probenhalterung. Der
Kühlring besitzt zwei Schlauchanschlüsse für die Kühlmittel
zuführung bzw. -abführung.
zu 3. Die Kühlmittelleitungen (2 x 2. 70 m) bestehen aus Sili-
kongummischläuchen und sind zur Wärmeisolierung größ
tenteils von Armaflex- Moosgummischläuchen umgeben (Abb. A.4).
Auf den letzten Zentimetern vor dem Anschluß an den Kühlring
ist wegen der hier notwendigen Flexibilität der Zuleitungen
die Armaflex- Isolierung entfernt. Eine Wärmeisolierung, die
die Beweglichkeit der Zuleitungen nicht einschränkt, wird
durch festgewickelte Zellstofflagen mit Zwischenlagen und
Umhüllung aus dünner Plastikfolie erreicht (Abb. A.2 und A.3).
Verbindungen und Schlauchübergänge sind fest mit Haushalts
folie umwickelt, damit keine Luftzirkulation (-Eisbildung)
stattfindet. Die Wärmeisolierung von Kühlring und Kühleinsatz
wird durch Styroporteile gewährleistet, die auf Passung zuge
schnitten sind. Alle Hohlräume, die von außen zugänglich sind,
wurden auf diese Weise ausgefüllt und kalte Oberflächen soweit
möglich abgedeckt (Abb. A.3). Eine Plastikfolie, die um den
gesamten Schlittenaufsatz gezogen wird, vermindert die Luft
zirkulation.
-- A-7 --
Temperaturkonstanz und Temperaturverteilung
Bei konstanten äußeren Versuchsbedingungen werden über 24 h
bei -50°C keine Temperaturschwankungen über 0.2 K festge
stellt. Die Temperaturerhöhung auf dem langen Weg zur Kühl
kammer liegt zwischen 5 K bei -10°C (Temperierbad) und 14 K
bei -60°C (Vergleich der Schreiberanzeige mit dem Thermo
meter des Te mp erierbades).
Innerhalb des Kühleinsatzes besteht ein Temperaturgradient
von ca. 1 K I cm bei -40°C in vertikaler Richtung. Er rührt
daher, daß sich kältere Luft im Kühleinsatz unten ansammelt.
Der Temperaturgradient läßt sich durch bessere Wärmeisolie
rung vermindern und durch Evakuieren des Kühleinsatzes prak
tisch beseitigen. In der vorliegenden Arbeit wurde er be
nutzt, um die Phasengrenze der -38°C- Umwandlung in der Kri
stallplatte einzustellen bzw. in Richtung des Gradienten
durch die Platte zu verschieben (siehe Abschnitt 5.2.3.).
0 Die tiefste erreichte Temperatur betrug an der Probe -60 C
(im Temperierbad : -79°C). Temperaturen bis -70°C (Probe)
sind realisierbar. Unterhalb -35°C (Probe) setzt Eisbildung
zunächst am Übergang Schläuche- Kühlring ein . Mit weiter
abnehmender Temperatur und zunehmender Dauer der Kühlphase
wird die Eisbildung so stark, daß insbesondere eine Drehung
der Probe um die Primärstrahlrichtung ab -50°C stark behin
dert ist.
-- A-8 --
Erfahrungen mit der Anlage
Typische Schwierigkeiten bei Kühlexperimenten lassen sich
meist auf eine oder mehrere der folg~nden Ursachen zurück
führen:
unterschiedliche Ausdehnung der verwendeten Materialien
Sprödewerden oder Versteifen von Materialien zu tiefen
Temperaturen hin
Eisbildung
Einige Schwierigkeiten, die im Zusammenhang mit dieser Arbeit
auftauchten seien kurz angeführt, soweit sie typisch sind:
Versteifen der Silikonschläuche bei tiefen Temperaturen
(merklich ab etwa -30°C) behindert die Bewegung des
Schlittens bei Translationsaufnahmen. Die Folge ist,
daß der Kristall bei der Translation aus seiner Refle
xionsstellung gedreht wird. Abhilfe: die Schläuche müs
sen so geführt werden, daß die Kräfte auf den Schlitten
gering gehalten werden.
Eisbildung z.B. zwischen den Kühlmittelschläuchen. Ab
hilfe: entweder für ungestörte Luftzirkulation sorgen,
oder diese völlig unterbinden; besser isolieren.
Aufreißen der Silikonschläuche bei Scherbeanspruchung
an spitzen Eiskrusten. Abhilfe: Eisbildung unterdrücken
und Anschlüsse der Kühlmittelschläuche an den Kühlring
so ändern, daß Scherbeanspruchungen nicht mehr möglich
sind.
Die Folien, zwischen denen sich die Probe befindet,
wellten sich bei tiefen Temperaturen; Klebstoff wurde
spröde. Abhilfe: bis -70°C lassen sich Gummifolien ver
wenden, die aus medizinischen Gummihandschuhen heraus
geschnitten werden können. Als zugehörige Klebstoffe
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lassen sich schnellhärtende Acryl- Klebstoffe (sog.
"Sekundenkleber") verwenden.
Ein Wandern der Probe aus ihrer Reflexionsstellung
konnte auf eine Lockerung der Teflonschrauben zwischen
Kühlring und Passung und anschließende Verformung des
Teils zurückgeführt werden. Kurzfristige Abhilfe:
Stahlschrauben; langfristig muß die Anordnung der
Schrauben so geändert werden, daß sich vier Schrauben
in Form eines (exakt gearbeiteten) Kreuzes paarweise
gegenüberstehen.
Zusammenfassend sollen noch einmal drei bemerkenswerte Charak
teristika der Anlage herausgestellt werden:
Kristallplatten bis zum Format 35 x 35 mm können topogra
phisch (Lang- Verfahren) bei Temperaturen zwischen Raum
temperatur und -70°C abgebildet werden.
die Probe kann um die Primärstrahlrichtung gedreht werden,
sofern nicht zu starke Eisbildung.
mit fallender Temperatur bildet sich im Kühleinsatz ein
Temperaturgradient aus, der für dynamische Experimente
(Einstellen und Verschieben einer Phasengrenze) ausge
nutzt werden kann.
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Literatur
A 1 Mathiot, A., Petroff, J.F.: X-ray topographic study of magnetic domains in a single crystal of terbium iron garnet between 300 K and 4.2 K. J. Appl. Phys. 47,1639 (1976).
A 2 Tanner, B.K.: Environmental stages and dynamic experi-ments. in: Characterisation of crystal growth defects by x- ray methods (Ed.: B.K. Tanner and D.K. Bowen). Plenum 1980.
A 3 Safa, M., Midgley, D., Tanner, B.K.: Observation of antiferromagnetic domains in potassium trifluoronickelate (II) by x- ray topography. Phys. Stat. Sol. (a) ~, K89 (1975).
A· 4 Tanner, B.K., Safa, M., Midgley, D.: Cryogenic x-ray topography using synchrotron radiation. J. Appl. Cryst. -lQ., 91 (1977).
A 5 Nowack, E.: Untersuchungen der röntgenographischen Kontraste von Wachstumsse~torengrenzen bei verschiedenen Temperaturen. Studienarbeit, Inst. f. Krist., RWTH Aachen 1980.
A -6 Hildmann, B.: Ferroelektrische-ferroelastische Eigen-schaften, Phasenumwandlungen und Kristallstrukturen von NH 4LiS0 4 • Dissertation. RWTH Aachen 1980.
Herrn Professor Dr. Helmut Klapper, dem Betreuer der vor
liegenden Arbeit möchte ich für die in jeder Hinsicht groß
zügige Unterstützung, insbesondere für zahlreiche klärende
Diskussionen und Anregungen, herzlich danken.
Für zahlreiche Diskussionen und wertvolle Hinweise möchte
ich Herrn Dr. Bernd 0. Hildmann danken.
Herrn Ralf Becker danke ich für seine Mitarbeit bei der In
betriebnahme der Tiefkühlanlage.
Meinem Bruder Rudolf Herres möchte ich für seine umfassende
Hilfe bei den photographischen Arbeiten danken.
Den Mitarbeitern des Instituts für Kristallographie sowie
zahlreichen Freunden und Bekannten möchte ich für die mir
gewährte Unterstützung ebenfalls danken.