1. Statische elektrische und magnetische Felder 1.1.1. Elektrische Ladung Beobachtung (Griechenland,...
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1. Statische elektrische und magnetische Felder
1.1.1. Elektrische Ladung
Beobachtung (Griechenland, Altertum): Bernstein (gr. „elektron“) zieht nach Reibung Stroh und Federn an
Moderne Erklärung: Elementarteilchen haben
• Masse m Gravitationsfeld
• (elektrische) Ladung Q Elektrisches Feld (und bei Bewegung magnetisches
Feld)
• Farbladung (R,G,B) Starkes Feld (Kernkräfte)
• schwache Hyperladung Yschwache Isospinladung I3
Schwaches Feld (Radioaktivität)
1.1. Elektrische Ladungen und elektrische Felder
Empirische Tatsachen:
a) Quantisierung:
Millikan-Versuch (1907): statisch geladene Öltröpfchen im E-Feld
„Elementarladung“
Elektron e Q(e) e
Positron e Q(e) e
Proton p Q(p) e
)Coulomb( C101,602e 19 )Coulomb( C101,602e 19
Teilchen / Antiteilchen m(e) m(e)
105pm
emaber1
pQ
eQ 4-
Ungelöstes Rätsel:
Quarks: stets gebundene Bausteine der Hadronen (Proton, ...)
eQ:b s, d,
eQ: tc, u,
3132
21,0,,1n enQ:Hadronen
Elektrisches Feld
b) Ladungserhaltung:
Abgeschlossenes System
Beispiel: Konversion von Gamma-Quanten
const.QQ i
itot const.QQ i
itot
e
eAtomkernLadung
Z·e
0γQQ tot 0eQeQQ tot
c) Richtung elektrischer Kräfte zwischen Ladungen:
Ungelöstes Rätsel:
Für Elementarteilchen gilt 40
elektrisch
nGravitatio 10F
F O
Mögliche Erklärung (Elementarteilchenphysik, Superstrings):
Der Raum hat (bei kleinen Abständen) mehr als 3 Dimensionen
Messung von |Q|: Elektrometer
Laborinstrument Schulinstrument
geladenes Teilchen
(ionisierend)
1.1.2. Das Coulomb-Gesetz
Q1 Q2
Punktladungen
r F
er
QQkF r2
21 e
r
QQkF r2
21
F
Beliebige Systeme von Punktladungen:
• Gesamtkraft durch Vektoraddition
• Für elektrische (Kraft-)Felder gilt das Superpositionsprinzip
esudyncmFrQ
Q1 Q2
Punktladungen
r F
er
QQkF r2
21 e
r
QQkF r2
21
F
Einheiten im cgs-System:
1k :Def. 1k :Def. 2scmgdynF -
1 esu 1 electrostatic unit
1 esu übt in 1 cm Abstand die Kraft 1 dyn auf 1 esu aus
Elegant: Elektrodynamik-Rechnungen mit k = 1Kompliziert: Umrechnung in mechanische Größen
Mechanische Definition der Stromstärke: 1 A = 1 Ampere = diejenige Stromstärke in zwei unendlich langen parallelen geraden Leitern in 1 m Abstand, die pro m Leiterlänge eine Kraft von 2·107 N verursacht.
Q1 Q2
Punktladungen
r F
er
QQkF r2
21 e
r
QQkF r2
21
F
Einheiten im SI:
durch einen Drahtquerschnitt fließt pro s die Ladung 1 C
CoulombC Q CoulombC Q s1A1C s1A1C
Messung: k = 8,9875·109 N m2 C-2
Definition: 0επ4
1k
0επ4
1k
Dielektrizitätskonstante314212
0 mkgsA108,854ε Umrechnung: (riesige Ladung) esu103ˆ1C 9
1.1.3. Das elektrische Feld
qer
Q
επ4
1F r2
0
qer
Q
επ4
1F r2
0
qProbeladung
Q
Quellladung
E
Coulomb-Gesetz:
Elektrisches Feld(Eigenschaft der Quellladung Q)
E
F
EqF EqF
Superpositionsprinzip: QEQ,,QE n
1iin1
QEQ,,QE
n
1iin1
Kontinuumsübergang: heißt Ladungsdichte dV
dQrρ
rρdVdQQi
i
Rr
R
x
zy
O
RdRρdQ 3
r
rE
Rr
Rr
επ4
RρRdrE 3
0
3
Rr
Rr
επ4
RρRdrE 3
0
3
ε
ρEdiv
0
ε
ρEdiv
0
Ladungen sind die Quellen ( ρ 0 ) bzw.
Senken ( ρ 0 ) des elektrischen Feldes
Gaußscher Satz(vgl. Theorie-VL)
Gaußscher Satz(vgl. Theorie-VL)
Oberfläche AUmschlossene Ladung Q
E
ε
QAdE
0A
ε
QAdE
0A
Gaußsches Gesetz
elektrischer Fluss durch A
Folgerung: Das elektrische Feld einer Ladungsverteilung ist als Superposition von Zentralfeldern wirbelfrei.
ε
ρEdiv
0
ε
ρEdiv
0
ε
ρΔ
0
Poisson-Gleichung
0Erot
0Erot
Es existiert ein elektrisches Potential RdRE r
E r
r0
RdRE r
E r
r0
beliebig; oft r0 0r
Definition: Die Potentialdifferenz zwischen zwei Punkten heißt elektrische Spannung
sdE U2
1
r
r
2112
sdE U
2
1
r
r
2112
UqEUqsdEqE 12kin
r
r
12pot
2
1
UqEUqsdEqE 12kin
r
r
12pot
2
1
1 2
U121r
2r
Bewegung einer Testladung q durch U12:
F
Einheiten:
1mV E
Volt VU
1mV E
Volt VU
sW1J1smkg1sA1V
sAmkg11V 22
312
sW1J1smkg1sA1V
sAmkg11V 22
312
Beispiel 1: Feld des elektrischen Monopols
Beispiel 2: Feld des elektrischen Dipols
• •
d
r
rQ
επ4
1E
30
r
rQ
επ4
1E
30
r
Q
επ4
1
0
r
Q
επ4
1
0
Radialfeld
•
Äquipotentialflächen
Q
Elektrisches Dipolmoment: dQp e
dQp e
r : Dipol Monopol der Ladung Q Q 0
2r
1 r
2r
1 r
r
1rE
3
r
1rE
3
Beispiel 3: Feld zweier gleicher Ladungen
Q Q
Beispiel 4: Feld eines elektrischen Quadrupols
3
4
r
1 r
r
1rE
3
4
r
1 r
r
1rE
r : Monopol der Ladung 2Q
r
rQ2
επ4
1rE
30
r
rQ2
επ4
1rE
30
r
Q2
επ4
1 r
0
r
Q2
επ4
1 r
0
E
Beispiel 5: Homogenes Feld
z
Plattenkondensator
Flächenladung: dA
dQσ
dA
dQσ
zε
σ
const.eε
σE
0
z0
zε
σ
const.eε
σE
0
z0
1.1.4. Punktladungen und Dipole im elektrischen Felda) Homogenes Feld, Ablenkung:
z
z
ezmeEqEqF
q
vx
xz
Em
tvx,const.v0v
tm
Eq
2
1z,t
m
Eqv
m
Eqv
xxx
2zz
xvm2
Eqxz 2
2x
xvm2
Eqxz 2
2x
Parabel
b) Homogenes Feld, Beschleunigung:
E
Glühkathode
e
me
U
UeE kin UeE kin
e
me
Einheit „Elektronenvolt“:
J101,6021eV
1eV1VeE1V U19
kin
-
J101,6021eV
1eV1VeE1V U19
kin
-
Radius r
c) Zentralfeld, Spitzeneffekt:
Spitze
0rr
1E
2
0rr
1E
2
Ladungsemission an Spitzen in metallischen Oberflächen
d) Dipol im homogenen Feld:
E
Dipolmoment: ep
F
F
0M,0F i
0M,0F i
E
Dipolmoment: ep
F
F
EpM,0F ei
EpM,0F ei
• Drehschwingung des Dipols um Richtung des E-Feldes
• Dämpfung Ausrichtung des Dipolmoments in E-Richtung
• Molekulare Dipole mit Drehimpuls Präzession von umL
E
e) Ausgerichteter Dipol im inhomogenen Feld:
F
F
Q
Quellladung Probedipol E
FF
zeigt auf Q, d.h. in Richtung des größten E-Feldes
Allgemein: EpgradF e
EpgradF e
Experiment: Ablenkung eines Wasserstrahls
O
H H
ep
Wasser-Molekül
ep
1.2. Elektrische Leiter im elektrischen Feld
Definition: Ein Medium heißt elektrischer Leiter, wenn Ladungsträger frei (ohne Kraftaufwand) verschiebbar sind.Beispiele: Supraleiter, Metalle (annähernd), astrophysik. Plasmen (annähernd)
Folgerung: In statischer Situation verschwindet im Innern eines elektrischen Leiters überall das elektrische Feld.Beweis: Wäre irgendwo , würde auf die dort lokalisierten freien Ladungsträger q die Kraft wirken
Ladungsverschiebung Widerspruch zur Annahme einer statischen Situation.
0E
EqF
1.2.1. Influenz
Externes Feld0Eext
Ladungs-Verschiebung
Gegenfeld im Leiter 0E tot
0E tot
Beispiele:
E
E
-------
0E
0E
---
-
-
0E
0E
Folgerungen:
a) im Inneren Ladung nur auf Leiteroberfläche0E
0ερEdiv
.-
E
||EE
q|||| EqF
Leiter
b) statische Situation Oberfläche Oberfläche Äquipotentialfläche
E
c) In zusammenhängenden Leitern gilt
.const .const
d) Faraday-Käfig:
Potential im Innenraum:
Randbedingung (Innenwand):
Lösung:
Folgerung:
0 0
geschlossene Leiterwand
Vakuum 0
const. 0Wand const. 0Wand
const. 0 const. 0
0E Innenraum
0E
Innenraum
e) Netzkäfige, Lochdimension d:Durchgriffslänge des E-Feldes ist O(d)Grund: d ist einzige Längenskala des
Problems
d
Experiment zur Influenz:
-------
Metallplatten mit isolierten Griffen
a) Ungeladene Metallplatten in Berührung ins Feld schieben
b) Metallplatten trennen und herausziehen
c) Platte 1 Elektrometer Ausschlag
d) Platte 2 Elektrometer Ausschlag
Experiment: Feldliniengerät
0E
0E
Metallring
Spiegelladung mit Spiegelfeld
Metallplatte
Experiment: Becher-Elektrometer
0E
---
--
--
--
-
--
-
--
---
--
---
---
- - - -
- - - -a) Ladung außen auflöffeln: max Löffela) Ladung außen auflöffeln: max Löffel
a)
b) Ladung innen auflöffeln: max b) Ladung innen auflöffeln: max
b)
c) Probeladung in den Innenraum halten: Ladungsmessung per Influenz (ohne Umladung)
c) Probeladung in den Innenraum halten: Ladungsmessung per Influenz (ohne Umladung)
c)
Van-de-Graaf Generator:(Kombination von Spitzeneffekt und Faradaykäfig)
Leiterkamm 0E
0E
U 10 kV
Erde U 0 V
Isolatorband
Metallkugel
---
---
-
--------------
UKugel
(im Prinzip unbegrenzt)
UKugel
(im Prinzip unbegrenzt)
1.2.2. Ladung auf metallischen Oberflächen
Influenz
lokale Flächenladung
Gesamtladung
0dA
dQσ 0
dA
dQσ
0dAσ A
0dAσ A
Generell gilt aber: const.OberflächeE
const.OberflächeE
h 0 dA
Leiter 0E
E
.00 ε
dAσdV
ε
ρdVEdiv
dAEAdEdVEdiv
A0
eε
σE
Oberflächenfeld:
Allgemeiner Fall
lokale Flächenladung
Gesamtladung QdAσ A
QdAσ A
0dA
dQσ 0
dA
dQσ
Beispiel: Die geladene Kugelschale
R
0E
σ
rerErE
2
00
2
R
Q
επ4
1
ε
σRE
σRπ4Q
Das Feld außerhalb der geladenen Kugel ist identisch mit dem der entsprechenden Punktladung im Zentrum der Kugel
Das Feld außerhalb der geladenen Kugel ist identisch mit dem der entsprechenden Punktladung im Zentrum der Kugel
Definition: heißt Kapazität bzw.
Ladungsfassungvermögen der Oberfläche.
Q
C
Q
C
Potential: Qσε
σ
rE
0R
R
( Nullpunkt: 0 bei Q 0 )
1.2.3. Kondensatoren
2 1
2 1
Q2Q1
E
U
Zwei Leiterflächen:
21sdEU
1
2
Kondensator:
2 1
2 0 1 = U
Spannungsquelle
- U
Erde
Aufladung
Q
Influenz-----
--Q
Kapazität:U
QQC
1
UCQ UCQ Einheit:
FaradFVCVsAC 11 - FaradFVCVsAC 11 -
( gebräuchlich: pF, nF, F )
Schaltzeichen:
Beispiel: Plattenkondensator
Symmetrie x,e||E x
xx
112
1
2
2
ed
Ue
xE
xd
Ux
dx
0x
Δ
homogend
UE
+Q Q
1 2 x
0 d
E
A in Praxis: A d2
U 1 2
Ud
AεQ
Aε
Q
ε
σE
d
U0
00
d
AεC 0
d
AεC 0
Beispiel: Realer (endlicher) Plattenkondensator
U
komplizierte Randeffekte
homogener Bereich
U + U
Korrektur von Randeffekten:
U Korrekturring Aufsicht
Beispiel: Kugelkondensator
rr
rrεπ4C
ia
ia0
rr
rrεπ4C
ia
ia0
i
a
E
U i a
0E
0E
2 ri 2 ra
a0a
i0i r
1
επ4
Q
r
1
επ4
Q
ia
ia
0ai rr
rr
επ4
QU
Parallelschaltung:
321 UUUU
321 QQQQ
3
3
2
2
1
1321
U
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
QC
CCCC 321 CCCC 321
C1
C2
C3
Q1
Q2
Q3
0V U
Serienschaltung:
321 QQQQ 321 UUUU
3
3
2
2
1
1321
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
Q
U
C
1
C
1
C
1
C
1
C
1
321
C
1
C
1
C
1
C
1
321
U1
C1 C2 C3U 0VQ Q QQ Q Q
U2 U3
Verallgemeinerung: Kirchhoffsche Regeln
Maschenregel
C1C2
C3CnUn
U3
U2U1
0U n
1ii
0U n
1ii
Knotenregel
U1Un
C3
C1
...C2Cn
U3 U2
U0 Q
QUCQ n
1i
n
1iiii
QUCQ n
1i
n
1iiii
Freier Knoten: 0UC n
1iii
0UC n
1iii
1.2.4. Energie des geladenen KondensatorsE
2 1
2 0 1 = UQQ
dQdUCUdQU
sdEdQsdFdWel
C
Q
2
1UC
2
1U~
dU~
C W2
2U
0
el C
Q
2
1UC
2
1U~
dU~
C W2
2U
0
el
Plattenkondensator:dAEεW
dEUd
AεC 2
021
el0
Energiedichte: dA
Ww el
el Eε w 202
1el Eε w 2
021
el
gilt auch allgemein
Messung: Spannungswaage
δdFδW
dAε
Q
2
1
C
Q
2
1W
el
0
22
el
d
WU
d
Aε
2
1
Aε
Q
2
1 F el2
200
2
d
WU
d
Aε
2
1
Aε
Q
2
1 F el2
200
2
FFA w 1el - FFA w 1el -
const.Fconst.Q const.Fconst.Q
dFconst. U 2 dFconst. U 2
dQ
Q
U
0A
1.3. DielektrikaProblem: Statische elektrische Felder in Materie
a) polare Dielektrika: z.B. Wasserpermanente molekulare Dipole
E
Ausrichtung starkes GegenfeldAusrichtung starkes Gegenfeld
E
b) nicht-polare Dielektrika: induzierte molekulare Dipole: „Polarisation”
⊕ Atomkerne⊝ Elektronenwolke der Atomhüllen
Polarisation Gegenfeld, oft EPolarisation Gegenfeld, oft E
Molekülpolarisation: molekulares Dipolmoment
Polarisationsdichte:
p
ΔV
ipΔV
1P
(vgl. Theorie-VL)
ΔV
ΔQρPdiv pol
pol
ΔV
ΔQρPdiv pol
pol
Pdivε
1
ε
ρ
ε
ρρ
ε
ρEdiv
000
pol
0
tot
Def.: Dielektrische Verschiebung
PEεD 0
PEεD 0
(Materialgleichung)
Folgerung:
ρDdiv
ρDdiv
(Feldgleichung)
Überschussladung: Q
Polarisationsladung: Qpol
V
E
Beispiel: Abstoßung von Gasblasen in Öl
U
Gasblase
Abstoßung
Folgerung: Stetigkeitsbedingungen an Grenzschichten
0Ddiv
0Ddiv
(nur für ungeladene Schichten)
0Erot
0Erot
(nur für Elektrostatik)
Medium 1 Medium 2
V
A 1D
2D
Medium 1 Medium 2
A
L 1||E 2
||E
ΔADD
AdDdVDdiv012
stetigist D stetigist D
ΔLEE
sdEAdErot0
1||
2||
stetigist E ||
stetigist E ||
(gilt auch in der Elektrodynamik)
Lineare Näherung: Eαp Eαp cmV10E typisch bis const.α 5
(molekulare) Polarisierbarkeit
EεχEαdV
dNP 0e
dielektrische Suszeptibiliät
0
00e0 εε
ρEdivEεεEεχ1PEεD
relative Dielektrizitätskonstante: er χ1εε
isotropes Medium Zahl (Skalar)anisotropes Medium Tensor (2. Stufe)
Faustregel: Für homogene isotrope Medien ersetze in allenFormeln für das Vakuum einfach 0 durch 0.
Beispiel: Kondensator mit Dielektrikum
ε d
AεεCmitUCQ 0 ε
d
AεεCmitUCQ 0
Dielektrikum(Isolator, große Polarisierbarkeit)
E
z
d
A
εQfest Uε
1Ufest Q
Feldenergie:
DEV2
1dE
d
Aεε
2
1CU
2
1W 2
02
DE w 21
DE w 2
1
(gilt auch allgemein)
Kraft auf ein Dielektrikum:
Steigen der Flüssigkeitssäule
2
21
E UΔCΔW 2
el UΔCUΔQΔW
hghVρΔW 21
flmech
mechEel ΔWΔWΔW
202
12
2
0212
21
fl21 EhV1εε
d
UhV1εεUΔChVhgρ
E
gρ
1εεh 2
fl
0
Egρ
1εεh 2
fl
0
h
fl
dD
const.H
U
V(h)
E
dFeld:
Batterie:
mech. Arbeit:
1.4. Elektrischer Strom1.4.1. Stromstärke
Elektrischer Strom Ladungstransport
Stromstärke (bzgl. dA):dt
dQdI
Stromdichte: IedA
dIj
dA BewegungLadung
dQ
Bewegung während dt
Ie
A
Ad
j
Stromstärke bzgl. A: A
AdjI
A
AdjI
21 mAjsCAI
Kontinuitätsgleichung: 0t
ρjdiv
0t
ρjdiv
Leitungsmechanismen:
• Elektronische Leiter: Metalle, HalbleiterLadungsträger hauptsächlich Elektronen
• Ionen-Leiter: Elektrolyte, Isolatoren mit FehlstellenLadungsträger hauptsächlich positive und negative Ionen
• Gemischte Leiter: PlasmenLadungsträger: Elektronen und Ionenrümpfe; z.B. in
Gasentladungen
Mikroskopische Theorie:
vnevnej
n: Anzahldichte positiver (negativer) Elementarladungen
zugehörige Transportgeschwindigkeiten:v
1.4.2. Ohmsches Gesetz
Betrachte elektronische Leiter (Metalle)
mittlere freie Weglänge ( zwischen zwei Stößen ):
mittlere Zeit zwischen zwei Stößen: v
Λτ S
v
Λτ S
Stöße an Atomen des Festkörpers ungeordnete Bewegung
0E
Bahn eines Leitungselektron
s
0E a)
typische instantane Geschwindigkeit (T-abhängig):
sm76...1010v
0j , 0vaber
Beispiel: Kupferdraht bei Zimmertemperatur
s102,7τm104Λ101,5v 14S
8sm6
0E b)
E
Bahn eines Leitungselektrons
Stöße völlige Randomisierung der Bewegungsrichtung
EqF
Def.: Driftgeschwindigkeit LadungstransportvΔvD
Em
τqnτ
m
Fqnvqnj S
2
SD
m
τqnσ
Eσj
S2
el
el
Ohmsches Gesetz
elektrische Leitfähigkeit
qn
σμ
Eμv
el
D
Beweglichigkeitel , stark T-abhängig,
oft unabhängig von E
Sτm
FvΔ
sm
sm6 0,5vΔ,101,5v
Bsp.: Cu-Draht, E 100 V/m
Spezialfall: homogener Leiter, konstanter Querschnitt
A
E
Lelσ
jE
const.j
über Querschnitt
homogen
AjI
LEU
Eσj el
SchaltzeichenR
L
AR
σ
1ρ
Aσ
LR
IRU
elS
el
Ohmsches Gesetz
elektrischer Widerstand
spezifischer Widerstand(Materialparameter)
mΩρ
OhmΩAVR
S
1
Allgemeine Def.: I
UR
Beispiel: quasistatisches Auf-/Entladen eines Kondensators
Folge statischer Situationen
U0
R
Cschließt bei t 0 IQ
URUC
I
UC
00U,00Q C 00U,00Q C
tQC
1tIRUUU CR0 Bemerkung:
R
U0I 0
IC
1IRQ
C
1IR0 I
CR
1I I
CR
1I
Lösung: CRτ , τ
texp
R
UtI 0
CRτ ,
τ
texp
R
UtI 0
t
I
U0/R
e
1
τ
texp1Ut~dt~I
C
1C
tQt U
0
t
0
C
τ
texp1Ut~dt~I
C
1C
tQt U
0
t
0
C
t
UC
U0
Kondensatorspannung:
U0
R
Cschließt bei t 0 IQ
URUC
I
UC
00U,00Q C 00U,00Q C
CRτ , τ
texp
R
UtI 0
CRτ ,
τ
texp
R
UtI 0
t
I
U0/R
e
1
1.4.3. Stromleistung und Joulsche Wärme
QR
1 2
U 1 2
Arbeit des E-Feldes:
UQQW 21
Elektrische Leistung:
IUdt
dQU
dt
dWP
U = const.
Einheiten:
1Js1W , sWW
WattWAVP
Ohmsches Gesetz
R
UIRIUP
22
R
UIRIUP
22
R1 P const. U, R P const.I
1.4.4. Kirchhoffsche RegelnAnalyse von Netzwerken von Leitern, (allgemeinen) Widerständen, Spannungs- / Stromquellen, …
a) Knotenregel: Knoten punktförmige Leiterverbindung
Ad
V
I1 I2
I3
I4
I5 AdjI
auslaufend: I 0
einlaufend: I 0
auslaufend: I 0
einlaufend: I 0
ii
V V VOb
IAdjdVjdivdVρdt
d
dt
dQ0
0IKnoteni
i
b) Maschenregel: Masche Schleife in der Schaltung
0U0sdEMaschei
i
Masche
R1
R2
C
L
Induktivität (z.B. Spule)
I1 I1 I1 I2
Q2
22 QI
I3
I3
I3I3I4I4
I5
I5
111 IRU 0U2 CQU 23
0U4
325 IRU 46 ILU
0U7
Anwendung (1): Reihenschaltung ohmscher Widerstände
i
itot RR
U0
R1 R2 Rn
I I
I I I I I
IRU 11 IRU 22 IRU nn
0U
Maschenregel:IRU0IRIRIRU
n
1ii0n210
totR
R1 R2 Rn
Anwendung (2): Parallelschaltung ohmscher Widerstände
i itot R
1
R
1
Knotenregel:
n
1i i
0
tot
0n21 R
U
R
U0IIII
U0
0
U0 U0 U0
I
I1 I2 In
Anwendung (3): Spannungsteiler
Ud
xR
d
xIx U 0
U
d
xR
d
xIx U 0
R
U0
0
I
d
I
x
0
U(x)
0I~
I
I
PotentiometerU(x)
xd
U0
Anwendung (4): Wheatstonesche Brückenschaltung
Rx
xd R 1x
R
x
xd R 1x
R
U0
0
dx
U1
U2
R1
Rx
AI
Nullabgleich: 21 UU0I
xd
x
R
R
x
1
1.4.5. Messgeräte „Amperemeter”a) Wärmewirkung: Hitzdraht-Amperemeter
I l
Erhitzung l
lδ
Il l
b) Magnetische Wirkung: Galvanometer
N SPermanentmagnet
Zeiger
B
I I
Drehbare Spule
Drehspulgerät:
(analog: Dreheisengerät)
c) Elektrolytische Wirkung:
I Menge des pro Zeiteinheit elektrolytisch zersetzten Stoffes (s.u.)
d) Spannungsmessung: Voltmeter
VR
I0I
~
elektrostatisches Voltmeter ( Innenwiderstand )
IRU
Innenwiderstand des Amperemeters:
A
real
A
ideal
Ri
Innenwiderstand
verfälscht den Schaltkreis!
verfälscht den Schaltkreis!
Ausweg: Indirekte Strommessung durch Voltmeter mit Messverstärker
V
Re 0
IRU e I
externer Messwiderstand
Messverstärker ( 1016 A messbar )
Indirekte Spannungsmessung mit Amperemetern:
A
R
Rp
I
IpIp
U
R R p R R p
IR U pp0 IR U pp0
Spannung ohne Messgerät: IRU0 gesuchtgesucht
Spannung mit Messgerät: pp
0p
IRU
UIRIIRU
gemessengemessen
1.4.6. Elektrolytische Leitung von StromElektrolyt: Flüssigkeit mit frei beweglichen Ionen (geladene Moleküle)
z.B. Salzlösungen, Säuren, Laugen
Bildung eines Elektrolyts: O
H H
ep
Wasser-Molekül
Molekül mit Ionenbindung
Dissoziation ( Aufspaltung in Wasser da energetisch günstiger )
Anion Kation
U0
Elektrolyt
Kathode (Minuspol)
Anode
(Pluspol)
Neutralisierung der Ionen an Elektroden
• Ablagerungen auf Elektroden
• Aufsteigen von Gasbläschen an Elektroden
• Auflösen von Elektroden
Spezialfall: Dissoziation von Wasser
OHHO H2 OHHO H2
(geringe) Leitfähigkeit von Wasser
Erhöhung der Leitfähigkeit durch Zugabe von Salz etc.
U0
Elektrolyt
Kathode (Minuspol)
Anode
(Pluspol)
Knallgaserzeugung mit Kochsalzlösung:
Dissoziation von Kochsalz: Na Cl Na+ Cl
Kathode: 2 Na 2 H2O 2 e 2 Na OH H2
Anode: 4 Cl 2 H2O 4 H Cl O2 4 e
Dissoziation von Kochsalz: Na Cl Na+ Cl
Kathode: 2 Na 2 H2O 2 e 2 Na OH H2
Anode: 4 Cl 2 H2O 4 H Cl O2 4 e
2 H2-Moleküle 1 O2-Molekül Knallgas
Knallgaserzeugung mit verdünnter Schwefelsäure:
Dissoziation Schwefelsäure: H2 SO4 2 H+ SO42
Kathode: 2 H 2 e H2
Anode: SO42 H2O H2 SO4 ½ O2 2 e
Dissoziation Schwefelsäure: H2 SO4 2 H+ SO42
Kathode: 2 H 2 e H2
Anode: SO42 H2O H2 SO4 ½ O2 2 e
2 H2-Moleküle pro O2-Molekül Knallgas
Kupferbeschichtung ( Rostschutz ):
Dissoziation Kupfersulfat: Cu SO4 Cu2+ SO42
Kathode (z.B. Nickel): Cu2+ 2 e Cu (galvanische Beschichtung)
Anode: SO42 SO4 2 e
a) Kohlestab 2 H2O SO4 H2 SO4 O2
b) Kupfer (Opferelektrode) Cu SO4 Cu SO4 (Auflösung)
Dissoziation Kupfersulfat: Cu SO4 Cu2+ SO42
Kathode (z.B. Nickel): Cu2+ 2 e Cu (galvanische Beschichtung)
Anode: SO42 SO4 2 e
a) Kohlestab 2 H2O SO4 H2 SO4 O2
b) Kupfer (Opferelektrode) Cu SO4 Cu SO4 (Auflösung)
Bleibaum:
Dissoziation Bleiacetat: Pb ( CH3COO )23H2O
Pb2 CH3COO
Bleikathode: Pb – Ablagerung (Bleibaum)
Bleianode (Opferanode): Pb 2 CH3COO Pb ( CH3COO )2 2 e
Dissoziation Bleiacetat: Pb ( CH3COO )23H2O
Pb2 CH3COO
Bleikathode: Pb – Ablagerung (Bleibaum)
Bleianode (Opferanode): Pb 2 CH3COO Pb ( CH3COO )2 2 e
Leitfähigkeit und Ionenkonzentration:el
n
A B
A: Ladungsträgerdichte steigt
B: Beweglichkeit nimmt ab (Anziehung von Kationen und Anionen)
Def.: Faraday-Konstante C96485,309eN F A C96485,309eN F A
Folgerung: 1 Mol eines Ions mit Ladg. Z·e transportiert die Ladg. Z·F
Messungen:a) Elektrochemisches Äquivalent:
b)Ladungszahl Z und Faraday-Konstante:
c) Elementarladung:
ΔQΔmm erttransportienabgeschiedQ [mol] ΔQΔmm erttransportienabgeschiedQ [mol]
mF Z 1Q- mF Z 1Q-
mNZNFe 1QAA
- mNZNFe 1QAA
-
1.4.7. Strom in GasenGasionisation gemischte e, Ion-Leitung ( Plasma )
Mechanismen:• thermische Ionisation• ionisierende Strahlung ( e, e, , , … )• Stoßionisation
Gas
kosmisches Myon ( Primärionisation)
Ladungsdrift:
Gas
Ion
Kennlinie der Gasentladung: Allmähliche Stromerhöhung
U
I
B
A
US
Sättigung
A: Linearer Bereich Ohmsches Gesetz•Gleichgewicht Erzeugung / Rekomb.•sehr kleine Abflussrate von e, Ionen•n const., vD E
B: Rekombinationsbereich•U Abflussrate Rekomb.•n Ladungsträgermangel
I
Anode KathodePrimär-
Ionisation
RU
U
I
Kennlinie der Gasentladung: Allmähliche Stromerhöhung
UC
kritisch
C
C: Sättigungsbereich
•fast alle Ladungsträger fließen ab
•keine RekombinationI const.
D
UZ
Zünd
CD: Stoßionisation setzt ein, I
D: Zündpunkt für selbständige Entladung
Ekin (zwischen Stößen) EIonisation
• jede Ladung sorgt für eigenen Ersatz
•stark Druckabhängig
B
A
US
Sättigung
I
Anode KathodePrimär-
Ionisation
RU
E
E: Glimmentladung ( bei sehr kleinem Druck )
•Strom I , Widerstand R
F
F: Raumladungseffekte werden wichtig
•Raumladung Abschirmung R
G: Bogenentladung ( bei großem Druck )
•großer Strom glühende Elektroden
•Glühemission von Elektronen
G
Kennlinie der Gasentladung: Allmähliche Stromerhöhung
U
I
UC
kritisch
CD
UZ
Zünd
B
A
US
Sättigung
I
Anode KathodePrimär-
Ionisation
RU
Struktur von Glimmentladungen: (stark druckabhängig)
K AIonen
Kathodenfall
Hittorfscher Dunkelraum
Stoßionisation „negatives
Glimmlicht“
Rekombination, Raumladung
Faradayscher Dunkelraum
„positive Säule“ (manchmal strukturiert)
Anodenfall
anodisches Glimmlicht
1.4.8. Stromquellen
Stromquelle
UV
Ra
Ri
U0 EMKDef.: RR
REMK U
ai
a
RR
REMK U
ai
a
EMK ElektroMotorische Kraft
Messung von U(Ra) Messung von Ri und EMK
Elektrolyt
Metall
Diffusions-
Gleichgewicht
Beispiele für Stromquellen:
a) Elektrodynamische Generatoren: Strom
b) Solarzellen ( Halbleiterphysik )
c) Galvanische Elemente: Lösung von Metall in Elektrolyt
B
abschirmendes E-Feld
PotentialdifferenzElektrolyt
MetallIon
e e
Galvanisches Element (Prinzip):
Metall1 Metall2Elektrolyt1 Elektrolyt2
poröse Wand
1 2
0 U
Δ U 21 Δ U 21
Edle Metalle: U 0 (Cu, Ag, Au,…) geben schwer Elektronen ab
Unedle Metalle: U 0 (Fe,…) geben leicht e ab oxydationsfreudig
Referenzelektrode: H2-umspülte Platinelektrode in 1-normaler Säure
1 Mol H / l
Spannungsreihe: Galvanische Spannung gegenüber Referenzelektrode(Metalle in 1-normalem Elektrolyt mit gleichem Metallion)
1 Mol Metallionen / l
Daniell-Element:
Cu ZnCu SO4 Zn SO4
poröse Wand
1 2
0 U
Bemerkung: Cu SO4 als gemeinsames Elektrolyt möglich, aber Zn- Elektrode würde sich mit Kupfer überziehen!
H2SO4 / H2OH2SO4 / H2O
Cu Zn
Cu
Zn
2e2e
EE( Cu-Abscheidung ) E( Zn-Auflösung )
SO42
d) Akkumulatoren:Wiederaufladbare Stromquellen
Beispiel: Bleiakku
H2SO4 / H2O
Pb SO4 Schicht
Pb SO4 Schicht
Pb Pb
Aufladen:Anode: Pb SO4 2 H2O Pb O2 H2SO4 2 H
2 e
Kathode: Pb SO4 2 H 2 e Pb H2SO4
Anode Pb O2 ; Kathode Pb
Aufladen:Anode: Pb SO4 2 H2O Pb O2 H2SO4 2 H
2 e
Kathode: Pb SO4 2 H 2 e Pb H2SO4
Anode Pb O2 ; Kathode Pb
Entladen:Anode: Pb O2 SO4
2 4 H 2 e Pb SO4 2 H2O
Kathode: Pb SO42 Pb SO4 2 e
Anode Pb SO4 ; Kathode Pb SO4
Entladen:Anode: Pb O2 SO4
2 4 H 2 e Pb SO4 2 H2O
Kathode: Pb SO42 Pb SO4 2 e
Anode Pb SO4 ; Kathode Pb SO4
Analog: Trockenbatterie (Leclanché-Element)
e) Thermoelektrizität
Energie freier Elektornen (ruhend)
E
Metall-Oberfläche
Vakuum
Energieniveaus der Leitungselektronen
WA
Austrittsarbeit
Def.: Kontaktpotential U12 WA zwischen zwei sich berührenden Metallen 1, 2
stark Temperatur-abhängig
Thermoelement: Metall 1 Metall 2 Metall 1
T1 T2V
Uth
Thermospannung
Uth a·T a·( T2T1 )
Peltier-Effekt:
Metall 1 Metall 2 Metall 1
Uext
T1 T2
I I
1.5. Magnetismus1.5.1. PermanentmagneteAltertum: Fund magnetischer Steine bei Magnesia (Kleinasien)
Heute: Magnetfelder elektrische Strömemagnetische Materialien mikroskopische Kreisströme und Spins
Empirische Befunde:
a) Es gibt zwei magnetische Pole: N ( Nord ) S ( Süd )
Anziehung Abstoßungb)Es wurden bisher keine magnetischen Monopole beobachtet
Sägen
Magnetfeldlinien sind stets geschlossen, d.h. sie enden nie
Empirisches magnetisches Kraftgesetz:sehr lange Magnetstäbe quasi isolierte Magnetpole
...... r
p1 p2
F
p1 , p2: „Polstärken“p1 , p2: „Polstärken“
Analogie zum Coulomb-Gesetz: er
ppfF r2
21 e
r
ppfF r2
21
Definition: mA
sV10π4μ ,
μπ4
1f 7
00
mA
sV10π4μ ,
μπ4
1f 7
00
Motivation später:
c
1με
200
Folge: Quantifizierung der Polstärke
analog zur elektrischen Ladung
sV p sV p
sA Q sA Q
Feldkonzept (im Vakuum): p2 0 ist Probepol im Magnetfeld von p1
Definition: Magnetische Erregung
p
rFlimrH
20p2
p
rFlimrH
20p2
mAH 1 mAH 1
Definition: Magnetische Feldstärke rHμrB 0
rHμrB 0
msVB 2 msVB 2
Einheiten der magnetischen Feldstärke:
ms1V1Tesla1T 2 ms1V1Tesla1T 2SI: cgs-System: T101Gauss1G 4 T101Gauss1G 4
Beispiele: • Erdmagnetfeld (Oberfläche) 20 T
• NMR-Tomograph: 1 T
• Supraleitende Magnete (Beschleuniger): 10 T
• Neutronensterne (Oberfläche): 108 T
1.5.2. Magnetfelder stationärer Ströme I
B
Beobachtung:
• Stationäre Ströme erzeugen Wirbelfelder
• Feldrichtung wechselt mit Stromrichtung
• B r 1 , B I Iconst.r2πrB Iconst.r2πrB
j
Fläche ARundweg C
Quantitativ beschreibbar durch:
C
0 IμsdBAmperesches Gesetz
mit A
AdjI
A
AdjI
Stokesscher Satz jμBrot 0
jμBrot 0
nicht
konservativ!
Das Magnetfeld hat kein skalares Potential!
Beobachtung: es gibt keine magnetischen Monopole
das Magnetfeld ist quellenfrei
magnetische Feldlinien sind geschlossen
0Bdiv
0Bdiv
Theorie-VL
• wegen existiert ein Vektorpotential mit
• ist nicht eindeutig Eichbedingung
0Bdiv
A
ArotB
ArotB
A
0Adiv
0Adiv
Zusammenfassung:0Bdiv
jμBrot 0
0Adiv
BArot
Beispiele und experimentelle Tests:
a) Stromdurchflossener Leiter
r0I0
Br
Symmetrie erBrB
02
0
0000 rr , rr
rr , 1 IμIμ
rBr2πsdrB
rr ,
r
r
rr , 1
r2π
Iμr B
0
2
0
0
00
rr ,
r
r
rr , 1
r2π
Iμr B
0
2
0
0
00
B
rr0
r r1
b) Zylinderspule:
I0I0
B
real: endlich lang, endliche Wicklungsdichte
0B
Streufeld:
ideal: unendlich lang und dicht gewickelt
…const.B
0B
Streufelder entweichen im Unendlichen
…
L, N Windungen
außen
innen
I0
const.BB 0
0B
000
0
INμIμ
LBsdrB
Inμ B 000 Inμ B 000 L
Nn
L
Nn mit
Wicklungsdichte
Praktische Realisierung des (fast) homogenen B-Feldes:
z
R
R
Helmholtz-Spule
z
B(z) (auf Achse)
Optimale Homogenität im Spulenzentrum
c) Ringspule:
Symmetrie erBrB
I0
B
r
Windungszahl N
000 INμIμ
rBr2πsdrB
r
I
2π
Nμr B 00
r
I
2π
Nμr B 00
s
r rB
I
d) Beliebige Leiterformen:
Biot-Savart-Gesetz
rArotrB
sr
sd
4π
IμrA
Leiter
0
e) Stromschleife: Paradebeispiel für Biot-Savart-Gesetz
z
I
R
z2 eRπa
B Rr
mitaIpm
Magnetisches Dipolmoment
Bemerkung: Resultat gilt für beliebige Form der Fläche.
Das magnetische Dipolmoment ist eine charakteristische Größe!
3m
θr3m0
r
p
eθsineθcos2rπ4
pμrB
3m
θr3m0
r
p
eθsineθcos2rπ4
pμrB
Dipolfeld
1.5.3. Die Lorentz-Kraft
qv
E
B
BvEqF
BvEqF
Coulomb-Kraft
Lorentz-Kraft
Beweis:
• Empirische experimentelle Beobachtung
• Invarianz der Elektrodynamik unter Lorentztransformationen ( spezielle Relativitätstheorie )
Lorentz-
Transf.
System ohne Magnetfeld
0B ,E ,v
EqF
Laborsystem
0B ,E ,v
BvEqF
Experimentelle Tests:
a) Kraft auf stromdurchflossenen Leiter:– vD Driftgeschwindigkeit der Ladungen q
– n Ladungen q pro Volumen– a Leiterquerschnitt
DDD vqnjqvna
IjqavnI
q pro s durch a
dL
IB
Fd
BLdIFddVBjBvqdLanFd D
Ladungen in dLLdIdVj
Spezialfall: Zwei parallele Drähte
I1
I2
1
2r
e 1IB
Ld
Fd
I1 durch Draht 1 eIrπ2
μB 1
0
Kraft auf Draht 2:
eLdr
II
π2
μ
BLdIFd
210
2
eLd Anziehung, falls I1 und I2 gleichsinnig
Abstoßung, falls I1 und I2 gegensinnig
r
I
π2
μ
r
II
π2
μ
L
F
20
I2I1I210
r
I
π2
μ
r
II
π2
μ
L
F
20
I2I1I210
mA
sV102
π2
μ 70 Definition der Stromstärke 1 A
b) Fadenstrahlrohr:
m
Ue2vUemv2
21 e
Glas-Kolbendünnes Gas
(Argon)
Glühkathode
Anode
R
B
UBe
vmRBve
R
vm 2
e
m
B
U2R
Messung von em
Alternative Methoden zur e m-Messung:
Kathodenstrahlröhre mit überlagerten E- und B-Feldern ( Grundlagenpraktikum )
c) Barlowsches Rad:
Achse
Hg
Rad
Achslager
N S
e
B
Rad
Achse
Hg
Lorentzkraft auf Elektronen überträgt sich durch Reibung der Elektronen im Metall auf das Rad
d) Hall-Effekt:
e
db
B
Dv
|j|dbI
V
Hall-Spannung
UH
venvenj DD
venvenj DD
FehlstellenleitungLöcher in p-dotierten Halbleitern
ElektronenleitungMetalle oder Halbleiter
Quantitativ für einen Ladungsträgertyp:
Magnetische Kraft pro Volumen: Bvqn D
Elektrische Kraft pro Volumen: (durch Ladungsträgertrennung) HEqn
Hall-Feldstärke
Bqn
jBvE DH
qn
bBj
qn
bBjEbsdEU HHH
qn
1 RKonstante-llmit Ha
d
BIRU HHH
db
Ij
HE
e
db
B
Dv
|j|dbI
V
Hall-Spannung
UH
qn
1 RKonstante-llmit Ha
d
BIRU HHH
Metalle, n-Halbleiter: q e UH 0
p-Halbleiter: q e UH 0
n(Halbleiter) << n(Metalle) Halbleiter-Hallsonden sehr sensitiv (B-Feld-Messung bis 106 T)B groß, T klein, b klein quantisierte RH (Quanten-Hall-Effekt) (Nobelpreis v. Klitzing, 1985)
HE
e
db
B
Dv
|j|dbI
V
Hall-Spannung
UH
1.5.4. Magnetisierunga) Grundlagen
Problem: Statische magnetische Felder in Materie
atomarer magnetischer Dipol:
ωRqeRπνqaIp 221
ω2
m
π2ω
ωRmvRmL 2
q, m
R
ω2 eRπa
ω
L
Atomkern
e
Lm2
qpm
Bohrsches Atommodell: q e ; m me ; L l ħ , l 0,1,2,…
Be
m μm2
ep ll
mA109,2742
m2
eμ 24
eB
Bohrsches Magneton
Def.: Magnetische Erregung MBH 0μ
1
MBH 0μ
1
(Materialgleichung)
Folgerung: jHrot
jHrot
(Feldgleichung 1)
ΔV
impΔV
1M
Magnetisierung: Ausrichtung atomarer mp
i. von außen induzierte Strömeii.permanent vorhanden: l 0,
Spins ungepaarter Elektronen
(vgl. Theorie-VL) Mrotj m
Mrotj m
Magnetisierungsstromdichte:
Freie Stromdichte: MrotμjμjjμBrot 00m0
j
Quellenfreiheit: 0Bdiv
0Bdiv
(Feldgleichung 2)
Folgerung: Stetigkeitsbedingungen an Grenzschichten
0Bdiv
0Bdiv
(gilt immer)
0Hrot
0Hrot
(nur für Magnetostatik und
nur für stromfreie Schichten)
Medium 1 Medium 2
V
A 1B
2B
Medium 1 Medium 2
A
L
1||H 2
||H
ΔABB
AdBdVBdiv012
stetigist B stetigist B
ΔLHH
sdHAdHrot0
1||
2||
stetigist H ||
stetigist H ||
(gilt auch in der Elektrodynamik)
Lineare Näherung: HχM m
HχM m
const.χ m
magnetische Suszeptibiliät
jμμBrotHμμHχ1μMHμB 00m00
relative Permeabilität: mr χ1μμ
isotropes Medium Zahl (Skalar)anisotropes Medium Tensor (2. Stufe)
Faustregel: Für homogene isotrope Medien ersetze in allenFormeln für das Vakuum einfach 0 durch 0.
Beispiel: Spule mit Eisenkern
Inμμ B 000 Inμμ B 000
Streufelder entweichen im Unendlichen
Wicklungsdichte n
…const.B
0B
…
Eisenkern,
Stoffklassen: 1.Diamagnete: m 02.Paramagnete: m 03.Ferromagnete: m 0
1χ m
1χ m
Kraftwirkung:
N
B
diamagnetisch
para-/ferromagnetisch
M
M
0χ falls0
0χ falls0
r
BB
μ
χV2
r
EF
m
m
0
mpotr 0
Messung von m:
•Faraday-Methode:
•Gouy-Methode:
SB
N
Probe Skala
r
const.r
B
2
0
mmpot B
μ
χVBMVBpE
1μ
SBN
homogen
m
z
z0
V a L BMzzaE 0pot
eingetauchtes Volumen
2
0
mpotz Ba
μ
χBMa
z
EF
1μ
b) Diamagnetismus• abgeschlossene Elektronenschalen l 0, kein Spin
keine permanenten atomaren magnetischen Dipolmomente• Induzierte Dipole wirken abschwächend ( Lenzsche Regel )
Bemerkung: Supraleiter sind perfekte Diamagneten m 1 B 0 ( Meißner-Ochsenfeld-Effekt )
Magn. Moment: ΔvR2
qΔpvR
2
qωR
2
qp m
2m
q, me
R
ωRqp 221
m
ω
Atomkern
e
Bextern
Abschätzung der Größenordnung:
BvqΔvR
vm2ΔF
R
vmF e
2e
BZentripetalkraft:
R const.
R 1Å B 1T q e
223B
228
e
22
m mA10μmA10Bm4
RqΔp
•l 0: Diamagnetismus, sehr kleiner Effekt
•l 0: patomar >> pm Para/Ferromagnetismus
•l 0: Diamagnetismus, sehr kleiner Effekt
•l 0: patomar >> pm Para/Ferromagnetismus
c) ParamagnetismusPermanenete atomare magn. Momente : statistisch orientiertmp
B 0: ΔV
m 0pΔV
1M
B 0: cosθBpBpE mmpot
B
(extern)
mp
Boltzmann-Statistik
θcosTk
Bp1θcos
Tk
Bpexp
Tk
Eexpθcosρ
θcosd
Nd
N
1 mmpot
TkBp m
Tk3
Bp
θcosdθcosρ
θcosdθcosθcosρ
θcos m1
1
1
1
BTk3
pNθcospNM
2m
m
der pm pro V
T
1
Tk3
pNμ
B
Mμχ:Gesetz-Curie
2m
00m T
1
Tk3
pNμ
B
Mμχ:Gesetz-Curie
2m
00m
Sm
0
2m
0m MTk3
pμ
Tk3
pNμχ:Gesetz-Curie S
m0
2m
0m MTk3
pμ
Tk3
pNμχ:Gesetz-Curie
B
M
MSSättigung
MS N pm
Sm M
Tk3
Bp
Beispiel: pm 1 B B 1 T T 20 °C M 810 MS
winzig!
d) Ferromagnetismus
• Atome / Moleküle mit ungepaarten äußeren Elektronen Spin • Quantenmechanische Austauschwechselwirkung der Elektronen
permanente atomare magn. Momente : spontan kollektiv orientiert• Bsp.: Eisen ( Fe ), Cobalt ( Co ), Nickel ( Ni ): 3 ungepaarte f-Elektronen
mp
mp
Kein äußeres Feld Zustände
minimaler Energie haben Mtot 0
Kein äußeres Feld Zustände
minimaler Energie haben Mtot 0
Magn. Domänen ( Weißsche Bezirke ) spontan magnetisiert
Kritische Temperatur ( Curie-Temperatur TC )
Ferromagnetismus falls T TC
Phasenübergang
Paramagnetismus falls T TC
Äußeres B-Feld Wandern der Domänenwände, Ausweitung der Domänen
hörbares Barkhausen Rauschen ( Umklappen der pm )
Energieverbrauch (gewonnen aus potentieller Energie der pm im B-Feld)
Magnetisierungsweg: Folge benachbarter lokaler Energieminima abhängig von Vorgeschichte Hysterese-Kurve
Neukurve
B
M
dBM Fläche
Koerzitivfeld
Remanenz
dBM
dBHdHHμμdw
mχ1
0mag
221
021
mag HμμHBw Elektrodynamik
dBMdwmχ1
mag Wärme
Hysterese-Fläche
Beispiel: Erwärmung von Trafo-Blechen
2. Elektrodynamik – Quasistatik2.1. Erinnerung: Grundgleichungen
Maxwellsche Feldgleichungen:
t
BErot
ε
ρEdiv
0
Elektrostatik, falls 0
t
B
Faradaysches Induktionsgesetz
Magnetostatik, falls 0t
E
t
E
c
1jμBrot
0Bdiv
20
Verschiebungsstrom ( Maxwellsche Ergänzung )
• Kontinuitätsgleichung:
• elektromagnetische Wellen
• Lorentz-Kovarianz für
0t
ρjdiv
200 cμε
Kraftgleichung (Lorentz-Kraft):
BvEqF
2.2. Quasistatische Phänomene
t
E
c
1jμBrot
20
Quasistationäre Näherung:
Interpretation: c , d.h. in der Zeit, die Licht benötigt, um die Strom- und Ladungskonfiguration ( den elektrischen Schaltkreis ) zu durchqueren, ändern sich Ströme und Ladungsdichten nicht wesentlich.
Frequenzen nicht zu groß ( Kupferleitung: ) Schaltkreiselemente bewegen sich in externen E/B-Feldern nichtrelativistisch,
119 s10ω cv
Gesetze der Magnetostatik gelten
unverändert
Die Gesetze der Statik gelten modifiziert weiter:
Kirchhoffsche Knotenregel:
Kirchhoffsche Maschenregel:
Die Summe der Spannungen in einer Masche verschwindet, falls der magnetische Fluss durch die Masche konstant ist.
0Brotdivμ
1jdiv
0
Knotenk
k 0I
.1.2.2
t
BErot
Maschek
MkU
2.2.1. Faradaysches Induktionsgesetz t,rB
• fiktiver geschlossener Weg• reale Leiterschleife
E
M
feste
Schleife
Stokes
ind
ΦadBtd
dad
t
B
adErotsdEU
Theorie gilt auch für bewegliche Schleifen variabler Form
Uind: induzierte Spannung gemessen in der Schleife
M: magnetischer Fluss gemessen im Labor Mind ΦU Induktionsgesetz
Bemerkung: Uind ist wegabhängig keine Potentialdifferenz.
Daher oft Bezeichnung: Uind EMK ( Elektro-Motorische Kraft )
Test 1: B-Feld: variabel Leiterschleife: fest adB Uind adB Uind
NS
• Uind Zahl der Spulenwicklungen
• Vorzeichen von Uind wechselt mit Bewegungsrichtung des Magneten
• Vorzeichen von Uind wechselt mit Magnetorientierung
• Effekt durch Eisenkern verstärkbar
• Magnet ersetzbar durch Spule mit variierendem Stromfluss
taBUtaBtaBΦ indM
Test 2: B-Feld: konstant Leiterschleife: variable Form
Spezialfall: B homogen , Schleife eben, Orientierung fest
ta
B
B
Fläche a(t)
Beispiel:
Uind
B
v
x(t)
d
dvBUBB
dvdtxtadtxta
ind
Test 3: B-Feld: konstant Leiterschleife: variable Orientierung
tsintωaBUtcosaBtaBΦ indM
Spezialfall: B homogen , Schleife eben
tωsinωaBUtωt,const.ω ind
ta
B
Fläche a const
t
ttω ttω
Beispiel:
Uind
B
0ta
Wechselspannungsgenerator ( Dynamo )
Lenzsche Regel: Die Induktion wirkt ihrer Ursache stets entgegen ( Gegenspannungen, Gegenkräfte etc. )
Mind ΦU Induktionsgesetz
Herleitung:
• im Einzelfall: Uind Iind Gegenfeld Bind
• generell: Uind Iind Energieverbrauch
Ursache muss Arbeit verrichten Gegen-„Kraft“
Anwendungsbeispiel: Wirbelstrombremse
L
• L ist ein reiner Parameter der ( festen ) Schleifengeometrie
• Maßeinheit: L V s A H Henry
• Schaltsymbol
2.2.2. Die Induktivität
I I
B
N Wicklungen Wicklungsdichte nN
l
Spule: Länge l, Querschnitt a
Betrachte beliebige Leiterschleife
Beispiel: Spule
Biot-Savart-Gesetz
IUIadBIB MindM
Definition: I
UL ind
I
UL ind
Selbstinduktionskoeffizient bzw. Induktivität
Beispiel: Zylinderspule
Magnetostatik InμB 0
BVnBaNM Gesamt-Fläche
Spulen-Volumen
IVnμBVnU 20Mind
IL U ind
nVnμL 220 nVnμL 220
• Das Magnetfeld steigt proportional zur Wicklungsdichte
• Die Induktivität steigt mit dem Quadrat der Wicklungsdichte
I I
B
N Wicklungen Wicklungsdichte nN
l
Spule: Länge l, Querschnitt a
Beispiel: quasistatischer Einschaltvorgang einer Induktivität
tILtIRUUUUU indRLR0
Lösung:
τt0L
τt0
eUILtU
R
L τ, e1
R
UtI
τt0L
τt0
eUILtU
R
L τ, e1
R
UtI
U0
UL
t
e
1
ULUind
schließt bei t 0
U0U,00I 0L U0U,00I 0L U0
R
LIUR ILU ind
I
t
I
U0RMaschen sind B-Feld-frei (B-Feld ist eingesperrt in Induktivität)
Vergleich: Kapazität Induktivität
U0
R
LIUR UC
U0
UL
t
e
1
t
I
U0R
R
L τ
R
L τ
erst Spannung, Stromfluss verzögert
t
I
U0/R
e
1
t
UC
U0
CR τ CR τ UCU0
R
CIQ
UR
erst Stromfluss, Spannungsaufbau verzögert
Energie des Magnetfeldes einer Induktivität:
22122
t
0
2t
0
LM IL0ItI2
Lt~dt~I
t~d
d
2
Lt~dt~It~UW
t~IL 0
Vergleich: Kapazität Induktivität
221
M ILW Magnetische Energie in Induktivität L
221
el UCW Elektrische Energie in Kapazität C
HBInμμIV
L
V
Ww 2
12202
1221M
M
InμμHμμBV2nμμL 000
Energiedichte des Magnetfeldes in einer Spule (mit Kern):
gilt auch allgemeingilt auch allgemein
Vergleich: magnetische Energiedichte elektrische Energiedichte
HBw 21
M
HBw 2
1M
DEw 2
1el
DEw 2
1el
2.2.3. Gegenseitige Induktion
Biot-Savart-Gesetz
1 Schleife 12
1102 r
sd
π4
IμrA
1I
1r1sd
2r 2sd
12r
Schleife 1Schleife 2
Fluss durch Schleife 2:
1 Schleife 2 Schleife
112
21
2 Schleife
022
2 Schleife2 Schleife
M Ir
sdsd
π4
μsdrAadArotadB
112M
2 Schleife
2ind,2
112M
ILsdEU
IL
112M
2 Schleife
2ind,2
112M
ILsdEU
IL
Bemerkung: LLL0 21212 LLL0 21212
1 Schleife 2 Schleife 12
2102112 r
sdsd
π4
μLL
Gegeninduktivität
nur abhängig von Schleifengeometrie
2.2.4. Wechselstrom
t
U(t)
U0
Periode T 1/ν
Harmonische Wechselspannung
tωcosUtU 0
U0: Scheitelwert U( t ): Momentanwert
T: Periode Frequenz
Kreisfrequenz
:T
1ν
:T
π2ω
Schaltsymbol:
Hz60νV1102U
U.S.A.
Hz50νV2302U
Europa
0
0
Beispiel: Leistung im ohmschen Verbraucher
I( t )
RU( t )
tωcosItωcosR
UtU
R
1tI 0
0
IRU 00
tωcosRItωcosR
UtItUtP 22
02
20
Mittlere Leistung für beliebige periodische Wechselspannung:
2eff
2T
0
2
UR
1U
R
1td
R
tU
T
1P Effektivspannung: 2
eff UU
2eff
2T
0
2 IRIRtdtIRT
1P Effektivstrom: 2
eff II
IUP effeff IUP effeff
Spezialfall: harmonische Wechselspannung
202
1T
0
T
0
202
T
0
20
2 Utdtω2costdT2
UtdtωcosU
T
1U
tω2cos121 T 0
202
12T
0
20
2 ItdtωcosIT
1I
U2
1UU 0
2eff U
2
1UU 0
2eff
I2
1II 0
2eff I
2
1II 0
2eff
IUIUP 0021
effeff IUIUP 0021
effeff
Allgemeine Wechselspannung:
Periode T:
Fundamentalkreisfrequenz:
TtUtU
T
π2ω
U(t)
t
Periode T
Fourierzerlegung:
ebiaReatωnsinbtωncosaatU 1n
tωninn02
1
1nnn02
1
ebiaReatωnsinbtωncosaatU 1n
tωninn02
1
1nnn02
1
t dtωncostUT
2a
T
0
n t dtωncostUT
2a
T
0
n t dtωnsintUT
2b
T
0
n t dtωnsintUT
2b
T
0
n
baa2
1UU
1n
2n
2n
202
12eff
baa2
1UU
1n
2n
2n
202
12eff
Ueff ist gleich der
quadratischen Summe der Effektivspannungen der
Fourierkomponenten
Folgerung: Für lineare Netzwerke ( Superpositionsprinzip anwendbar) reicht es aus, das Verhalten für harmonische Wechselströme/Wechselspannungen zu untersuchen.
Allgemeine Wechselspannung:
Periode T:
Fundamentalkreisfrequenz:
TtUtU
T
π2ω
U(t)
t
Periode T
Fourierzerlegung:
ebiaReatωnsinbtωncosaatU 1n
tωninn02
1
1nnn02
1
ebiaReatωnsinbtωncosaatU 1n
tωninn02
1
1nnn02
1
t dtωncostUT
2a
T
0
n t dtωncostUT
2a
T
0
n t dtωnsintUT
2b
T
0
n t dtωnsintUT
2b
T
0
n
Beispiel: Rechtecksignale
symmetrisch U0
0
T
0
20eff UtdU
T
1U
einseitig U0
0
2T
0
20eff U
2
1tdU
T
1U
Vergl. Ueff aus Fourierzerl.
8π
0k1k2
1 2
2
Allgemeine, nicht-periodische Spannung:
Parsevalsche Formel: ωdωU~
tdtU 2
π212
ωdωU~
tdtU 2
π212
U(t)
t
(Einschaltvorgang, Testpulse etc.)
mit den Fourierkoeffizienten
t detUωU~
tωiπ2
1
Fouriertransformation:
Inverse Fouriertransformation:
ωdeωU~
tU tωi
Harmonische Zerlegung:
Bemerkung: U reell, aber Ũ komplex
ωdtωsinωU~
Im2
ωdtωcosωU~
Re2tU
0
0
Allgemeine, nicht-periodische Spannung:
U(t)
t
(Einschaltvorgang, Testpulse etc.)
mit den Fourierkoeffizienten
t detUωU~
tωiπ2
1
Fouriertransformation:
Inverse Fouriertransformation:
ωdeωU~
tU tωi
Harmonische Zerlegung:
Bemerkung: U reell, aber Ũ komplex
ωdtωsinωU~
Im2
ωdtωcosωU~
Re2tU
0
0
Folgerung: Für lineare Netzwerke ( Superpositionsprinzip anwendbar) reicht es aus, das Verhalten für harmonische Wechselströme/Wechselspannungen zu untersuchen.
Beispiel: Rechteckpuls
Tiefpass (s.u.)
Filterschaltung, die kleine Frequenzen
überträgt und große Frequenzen dämpft.
Charakteristische Größe: Abschneidefrequenz
c
2.2.5. Wechselstromwiderstände
Lineare Netzwerke: Zeitverhalten lineare Differentialgleichungen
Lineare Komponenten: Ohmsche Widerstände, Kondensatoren, ideale Spulen, Linearverstärker, …
Nichtlineare Komponenten: Spulen mit Kernen nahe der Sättigungs-magnetisierung, nichtlineare Verstärker, Multiplizierer, Dioden, Glimmlampen, hochkonzentrierte Elektrolyte, …
Lineares Netzwerk Ist F(t) eine komplexe Lösung der DGL für Ströme oder Spannungen, so auch Re F(t) und Im F(t).
DGL
Neues (eleganteres) Konzept: Komplexe Spannung/Strom
Re
Im
U0 t
I0
tωi
0
tωi0
eItI
eUtU
physikalischer
Anteil
tωcosItIRetωcosUtURe
0
0
Definition: Komplexer Wechselstromwiderstand
e
I
U
tI
tUωZZ i
0
0 e
I
U
tI
tUωZZ i
0
0
Nach Konstruktion Gesetze der Quasistatik (Kirchhoffsche Regeln, ) gelten weiter
Beispiel: Ohmscher Widerstand
URU R
I
RZtIRtUtU R
Z reell und unabhängig von
Beispiel: Induktivität
ULU L
I
ILtUtUtUeU indLtωi
0
Z imaginär und proportional zu Strom eilt Spannung um 90 nach
tULωi
1e
Lωi
Utde
L
UtI tωi0tωi0
ω,0ω,0
eLωLωiZ 2πi
U
I
Beispiel: Kapazität
C
tQtUtUeU C
tωi0
Z imaginär und umgekehrt proportional zu Spannung eilt Strom um 90 nach
tUCωieUCωieUtd
dCtQtI tωi
0tωi
0
0ω,ω,0
eCω
1
Cωi
1Z 2
πi
I
U
UCU C
I
Beispiel: RLC-Serienschaltung
Cω
1LωiR
Cωi
1LωiRZ
R L C
Cω
1Lω
R
1
ZRe
ZImtan
Konstruktion im Zeigerdiagramm:
Re Z
Im Z
R
L
Cω
1
Cω
1Lω
Z
Dieses Beispiel: Re Z R 0
2π
2π ,
Momentane Wechselstromleistung in Z:
eeZZImiZReZ iIUi
0
0 eeZZImiZReZ iIUi
0
0
tωsintωcossinIUtωcoscosIU
tωcostωcosIUIReURetP
002
00
00
tωcostωsinsinIU tωcoscosIUtdtPPP 002
00
T
0T1
W Mittlere Wechselstromleistung in Z: Wirkleistung
½ 0
Wirkleistung: cosIUcosIUP effeff0021
W cosIUcosIUP effeff0021
W
Blindleistung: sinIUsinIUP effeff0021
B sinIUsinIUP effeff0021
B
Blindleistung
Komplexe Leistung: ZUZIPiP
eIUeIeUIUP 202
1202
1BW
i002
1tωi0
tωi02
121
ZUZIPiP
eIUeIeUIUP 202
1202
1BW
i002
1tωi0
tωi02
121
Wirkleistung
Z Scheinwiderstand, Re Z Wirkwiderstand, Im Z
Blindwiderstand
Scheinleistung:
IUPP effeffS IUPP effeffS
2.2.6. Wichtige lineare Netzwerke
a) ( Passiver ) Hochpass ( erster Ordnung ): R
C
Ue Ua
Spannungsteilerschaltung RCmit τ τωi1
τωi
R
R
U
U
Cωi1
e
a
Übertragungsfunktion: 2e
a
τω1
τω
U
U
Phasendrehung: 1τωtan
i
e
a
e
a eU
U
U
U
τω
90
1
45
e
a
U
U
τω
1
1
21
durchlässig für ≳ durchlässig für ≳
td
UdτωdeωU
~
td
dτωdeωU
~τωi
ωdeωU~
ωdeωU~
tU
etωie
tωie
tωieτωi1
τωitωiaa
Hochpass als Differenzierer:
R
C
Ue Ua
τωi1
τωi
U
U
e
a
Voraussetzung: Ue t enthält nur Frequenzen viel kleiner als
0τωU~
nur wobeiωdeωU~
tU 1e
tωiee
( inverse ) Fouriertransformation:
• Differenziererschaltung für
• Amplitude der differenzierten Spannung
b) ( Passiver ) Tiefpass ( erster Ordnung ):
C
R
Ue UaSpannungsteilerschaltung
RCmit τ τωi1
1
RU
U
Cωi1
Cωi1
e
a
Übertragungsfunktion: 2e
a
τω1
1
U
U
Phasendrehung: τωtan i
e
a
e
a eU
U
U
U
e
a
U
U
τω
1
12
1
durchlässig für ≲ durchlässig für ≲
90
τω1
45
Tiefpass als Integrierer:
τωi1
1
U
U
e
a
Voraussetzung: Ue t enthält nur Frequenzen viel größer als
tdtUeωU
~ωdtdωdeωU
~ωdeωU
~ωdeωU
~tU
eτ1tωi
eτ1tωi
eτωi1
tωieτωi1
1tωiaa
0τωU~
nur wobeiωdeωU~
tU 1e
tωiee
(inverse) Fouriertransformation:
• Integriererschaltung für 0
• Amplitude der integrierten Spannung
C
R
Ue Ua
Veranschaulichung der Rechnung
angenäherte Integrator-Wirkung
c) (Passives) Bandfilter (erster Ordnung):
Spannungsteilerschaltung
)( 2
2R
ω
ωωΔ
ωCω
1e
a
1i1
1
LωiR
R
U
U
)(
R
C
Ue Ua
L
Resonanzfrequenz:
CL
1ωR
Bandbreite:
L
Rω
Gütefaktor:
C
L
R
1
ωΔ
ωQ R
e
a
U
U
ω
1
21
durchlässig für R durchlässig für R
ω
Rω
i
e
a
e
a eU
U
U
U
ω90
90
Rω
d) (Passives) Bandsperrfilter (erster Ordnung):
Spannungsteilerschaltung
1)( 1i1
1
R
R
U
U
2
2R
Lωi1
ω
ωωω
Cωi1
e
a
Resonanzfrequenz:
CL
1ωR
Bandbreite:
CR
1ω
Gütefaktor:
L
CR
ωΔ
ωQ R
RCUe Ua
L
e
a
U
U
ω
1
21
undurchlässig für R undurchlässig für R
ω
Rωi
e
a
e
a eU
U
U
U
ω90
90
Rω
2.2.7. Der Transformator
R VerbraucherLeistung P U I
I
U U
U
Motivation:
Relativer Leistungsverlust in der Leitung:
22
2
U
1
U
RP
U
RI
UI
RI
P
P
• Umwandlung der Eingangsspannung auf Hochspannung
• Übertragung über Hochspannungsleitung
• Umwandlung der Ausgangsspg. auf Verbraucherspannung (z.B. 230 V)
Schaltbild mögliche Realisierung
Gleicher Wicklungssinn von Primär- und Sekundärwicklung bezüglich Richtung des
magnetisches Flusses
Primär-Wicklung
Sekundär-Wicklung
EisenjochM
U1 U2
Entgegengesetzter Wicklungssinn von Primär- und Sekundärwicklung bezüglich Richtung des
magnetisches Flusses
U1 U2
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12Definition: Kopplungsstärke
LL
Lk
21
12 LL
Lk
21
12 0,1
Bemerkung: Idealer Transformator keine Streufeld- etc. Verluste gesamter magnetischer Fluss durchsetzt beide Spulen
k 11222
2ind21211
1ind ILILUILILU Induktionsgesetz
2
2ind2
1ind1 IZUUUU Maschenregel
2211 IωiIIωiI Wechselstrom
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
Tafelrechnung
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
Phasendrehung:
ZReiZImarge
U
U
U
U2
2
2
Lk1ω
Zi
1
2
1
2)(
Spezialfall: Spulen gleichen VolumensWindungszahlen N1, N2
1
2
1
222,102,1 N
N
L
LNVμμL
Idealer Transformator: k
1
2lSpezialfal
1
2
1
2
N
N
L
L
U
U
1
2lSpezialfal
1
2
1
2
N
N
L
L
U
U
11I
I
2
2
1
2
2
1
LωiZ
NNlSpezialfal
LωiZ
LL
1
2
11I
I
2
2
1
2
2
1
LωiZ
NNlSpezialfal
LωiZ
LL
1
2
π π
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
ZReiZImarg 2
2
2
Lk1ω
Z
)(
ZReiZImarg
22
2
Lk1ω
Z
)(
Unbelasteter Transformator: Z
1
2lSpezialfal
1
2
1
2
N
Nk
L
Lk
U
U
1
2lSpezialfal
1
2
1
2
N
Nk
L
Lk
U
U 0
I
I
1
2 0I
I
1
2 π π
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
ZReiZImarg 2
2
2
Lk1ω
Z
)(
ZReiZImarg
22
2
Lk1ω
Z
)(
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
Spezialfall: Spulen gleichen VolumensWindungszahlen N1, N2
1
2
1
222,102,1 N
N
L
LNVμμL
Kurzgeschlossener Transformator: Z0
0U
U
1
2 0U
U
1
2 N
Nk
L
Lk
I
I
2
1lSpezialfal
2
1
1
2 N
Nk
L
Lk
I
I
2
1lSpezialfal
2
1
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
ZReiZImarg 2
2
2
Lk1ω
Z
)(
ZReiZImarg
22
2
Lk1ω
Z
)(
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
Spezialfall: Spulen gleichen VolumensWindungszahlen N1, N2
1
2
1
222,102,1 N
N
L
LNVμμL
Transformator mit ohmscher Last: ZR
R
k1Lωarctanπ
22
R
k1Lωarctanπ
22
k1ωi1
k
U
U
RL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
RL2
LL
1
2
2
1
2
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
ZReiZImarg 2
2
2
Lk1ω
Z
)(
ZReiZImarg
22
2
Lk1ω
Z
)(
Transformator mit induktiver Last: ZiL
π π k11
k
U
U
LL2
LL
1
2
2
1
2
)(
k11
k
U
U
LL2
LL
1
2
2
1
2
)(
1
k
I
I
2
2
1
LL
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LL
LL
1
2
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
ZReiZImarg 2
2
2
Lk1ω
Z
)(
ZReiZImarg
22
2
Lk1ω
Z
)(
Transformator mit kapazitiver Last: Z(iC)
sonst
1LCωk1falls ,π,0
222
sonst1LCωk1falls
,π,0
222
k11
k
U
U
222
LL
1
2
LCω)(1
2
k11
k
U
U
222
LL
1
2
LCω)(1
2
1
k
I
I
22
2
1
LCω1
LL
1
2
1
k
I
I
22
2
1
LCω1
LL
1
2
U2 U1größer als im unbelasteten Fall falls k2 2 C L2
Resonanzfrequenz:
1
2
UU
22R
π0 ngPhasenspru
LCk1
1ω
U1 U2 2indU
I1 I2
Z 1indU
L1 L2
L12
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
k1ωi1
k
U
U
ZL2
LL
1
2
2
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
1
k
I
I
2
2
1
LωiZ
LL
1
2
ZReiZImarg 2
2
2
Lk1ω
Z
)(
ZReiZImarg
22
2
Lk1ω
Z
)(
Anwendungen:
• Transformation auf Hochspannung• Hochstromanwendung: N1 1 , N≫ 2
Aluminium-Schmelzen Edelstahl-Gewinnung• Punktschweißen• Aufheizen von Werkstücken durch Wirbelströme• Betatron-Beschleuniger
2212 IRPII groß
e- BeschleunigungeN
S
Primärspulen (Helmholtz-Typ)
Elektronenstrahl als Sekundärstromschleife
inhomogenes magnetisches Wechselfeld
Strahlfokussierung
z.B. Rinne mit Metallschmelze
2.2.8. Hochfrequenzleitung: Der Skineffekt
Elektrischer Leiter ohmscher Widerstand und Induktivität: Z RiL
induktive Effekte dominieren für R L (typisch ≳ O( MHz ))
Elektrischer Leiter
L
E
j
B jμμBrot 0
jμμBrot 0
t
BErot ind
t
BErot ind
indE
Stromschwächung
Lenz
Folgerung: Bei hohen Frequenzen können Ströme nur nahe der Leiter-Oberfläche fließen ( Skineffekt ).
Quantitative Untersuchung ( Theorie) Eindringtiefe des Stroms
ωσμμ
2d
el0
ωσμμ
2d
el0
L
el
j
r
r
j
L
Ld
e1
expj dρr L expj dρr L
Beispiel: KupferleiterHz dmm
50 94
103 2
106 0,07
ωσμμ
2d
el0
ωσμμ
2d
el0
0ω
2Lρπ
1R
Volumen
ω
Lρπ2
1R
Oberfläche
Übergangsbereich
ωdρπ2
1R
L
( effektives ) durchströmtes
Volumen
• HF-Spannungen sind relativ ungefährlich
• Eisendrähte ( großes ) sind schlechte HF-Leiter
• Gute HF-Leitung bei großer Oberfläche ( Hohlrohre, Litzen, ... )