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Bavarian Center for Applied Energy Research Defektanalyse von Photovoltaik-Modulen mittels Infrarot-Thermographie 4. Workshop „PV-Modultechnik“, 29./30. Nov. 2007, TÜV Rheinland, Köln Ulrike Jahn, Claudia Buerhop, Ulrich Hoyer

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Bavarian Center for Applied Energy Research

Defektanalyse von Photovoltaik-Modulen mittels

Infrarot-Thermographie

4. Workshop „PV-Modultechnik“, 29./30. Nov. 2007, TÜV Rheinland, Köln

Ulrike Jahn, Claudia Buerhop, Ulrich Hoyer

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Übersicht

1. Physikalische Grundlagen

2. IR-Defektanalyse

3. IR-Messergebnisse an PV-Komponenten

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Motivation

IR-Messungen für die Fehleranalyse an Modulen: • berührungslose und zerstörungsfreie Prüfung

im Labor und im Feld;• schneller Nachweis des korrekten Betriebs

nach der Installation;• zur Detektion von Modulfehlern und Degradation

von gealterten PV-Modulen.

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1. Physikalische Grundlagen

Emissionsgrad 0 < ε < 1

gibt an, um wieviel die Abstrahlung eines realenKörpers von der eines Schwarzen Körpers abweicht.

ε = f(Wellenlänge, Temperatur, Werkstoff, Oberfläche)

Thermisches Gleichgewicht ε + τ + ρ = 1

ε = Emissionsgradτ = Transmissionsgradρ = Reflexionsgrad

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Richtwerte für die Praxis:(bei 8 µm Wellenlänge)

PV: + Glas- Metallrahmen

1. Physikalische Grundlagen

ε = 0.85

< 0,1Metall~ 0,92Kunststoff

0,85GlasεWerkstoff

ε Glas (λ) = constant für λ = 8-12µmε (Temp) = constant für ∆T<100K

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1. Physikalische Grundlagen

„Optische Fenster“ für die Praxis(1 km Luftstrecke)

Quelle: Sutor, Bischoff, TechnischeUniversität Ilmenau, 2004.

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1. Physikalische GrundlagenWinkelabhängigkeit des Emissionsgrads

Richtungsabhängigkeit der Emissionsgrads bei Leitern und Nichtleitern

- Schwarzer StrahlerKeine Abhängigkeit

- Nichtleiter (Glas)cosinus α

- Leiter (Alu)starke Abhängigkeit

Quelle: Sutor, Bischoff, Thermo-Analyse, Technische UniversitätIlmenau, 2004.

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1. Physikalische Grundlagen

Emissionsgrad in Abhängigkeit von der Wellenlänge für Materialgruppen

Bereich Bolometer

Quelle: testo, Leitfaden zur Infrarot-Messtechnik, 2005.

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2. IR-DefektanalyseTyp I Typ II

Thermische Auflösung 0,1 K 0,01 K Vollbildfrequenz 30/s 145/sPixel 76.000 110.000Detektor Bolometer CMT

(ungekühlt) (gekühlt)Arbeitsbereich 8 - 14 µm 1,9 - 5,6 µm

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2. Defektanalyse

• Einkapselungsmaterial: Glas, Tedlar, Bypass-Diode• Haftung: Glas - Folie, Zelle - Folie• Zell/Modulverbinder• Solarzelle • Feuchte

Glass

Encapsulation

Solar cellsBacksheet

Junctionbox

Edgesealent

Frame

GlassGlass

Encapsulation

Solar cellsBacksheet

Junctionbox

Edgesealent

Frame

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2. Defektanalyse

IR-Messungen an PV-Modulen:- nach Produktion- bei Inbetriebnahme- nach Alterung

PV-Modul (2005) mit „Patchwork“ Muster

∆T = 10°C

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2. DefektanalyseLeerlauf Kurzschluss Last

Outdoor-Messung: Bei >700 W/m2

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• Riss im Wafer• Metallisierung

• Gebrochene Zelle

3. Hot Spot – Riss in Solarzelle

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Lock-in-IR-Messung

3. Kontaktfinger-Unterbrechungen

156mm

Frequenz: 4Hz

Messdauer: 5000 Perioden

Bias: 6A

IR-Messung: Topographie

Frequenz: 4Hz

Messdauer: 5000 Perioden

Bias: 6A

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3. Hot Spot - Zelldefekt

PV-Anlage mit polykristallinen Modulen (2004): Hot Spot: ∆T > 40°C

Quelle: BEC-Engineering / Solarschmiede.

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3. Hot Spots

Innenwiderstand steigt: +120% Nennleistung und FF des Moduls sinkt : -12%

123141Ppk [W]4,01,8Rs [Ω]3032Upmax [V]4,14,4Ipmax [A]4444Uoc [V]4,95,0Isc [A]

Hot Spot-Modul

Referenz-Modul

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3. Zellbruch

Oben:- Glasbruch- kein Zellbruch

Unten:- Glasbruch- Zellbruch

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3. Zellbruch

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

0 5 10 15 20

Spannung [V]

Stro

m [A

] ReferenzmodulDefektes Modul

GI = 781 W/m2 Tmod = 41,2°C FF= 0,42

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3. Haftungsverlust

Kurzgeschlossenes Modul mit Delamination an einer Zelle

Quelle: Quintana et. al., 29th IEEE, 2002.

∆T (Zelle) > 30°C

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Kurzschluss von 18 Zellen

• erhöhte Temperatur• reduzierte Spannung• reduzierte Leistung

3. Defekte Bypass-Diode

Unter Last gemessen

Kurz-schluss Last

Kurz-schlussLast

∆T = 7°C

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3. Defekte Bypass-Diode

Uoc= 44 VIsc= 5,1 A160 WDatenblatt (STC)

1/3 aktivUoc= 15 VIsc= 4,9 A51 WMessung bei STC

0

1

2

3

4

5

6

0 10 20 30 40 50Spannung [V]

Stro

m [A

]

Intaktes ModulDefektes Modul

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Schule Erlangen

IR-Aufnahme mit MIDAS IR-Kamera bei 8 µm, 320x240 Pixel

62°C

55°C• Anschlussdosen• Aufständerung + Kabel• Defekter Substring• Defekte Einzelzelle

3. Defekter Substring

Unter Beleuchtung gemessen

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Defekte Strangherausführung zwischen 2 Laminaten

3. Defekter Verbinder

August 2007

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3. Defekter Substring

183128Ppk [W]915890Hi [W/m2]37.426.9Upmax [V]4.34.1Ipmax [A]46.734.2Uoc [V]4.634.55Isc [A]

Referenz-modul

Defektes Modul

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50

Voltage [V]

Cu

rren

t [A

]

Defective moduleReference module

Leerlaufspannung: - 27% Leistung des kurzgeschlossenen Moduls: - 30%

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Zusammenfassung

• IR auffällige Module (u.a. Zellrisse) sind nicht immer elektrisch relevant.

• Hot Spots:- Parallelwiderstand: Shunts im Emitter, Feuchteeintrag- Serienwiderstand: Verbinder, Zellrisse

• Substringausfall bedeutet Spannungsverlust (UOC): mit IR gut detektierbar.

• Heiße Zellen resultieren aus Zell-Mismatch (Patchwork).

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Schlussfolgerungen

• IR-Messungen sind geeignet für die effektive Fehlerdetektion von Defekten in Modulen und sind gut korreliert mit elektrischen Messungen.

• IR detektiert größere Leistungsverluste (>20%), die häufig mit FF-Verlusten und dem Anstiegdes Serienwiderstands verbunden sind.

• Weitere Untersuchungen an im Feld gealterten Modulen müssen durchgeführt werden, um die Degradationsmechanismen besser zu verstehen.

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Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit!