ETG WORKSHOP SCHALTUNGSTECHNIK FÜR GaN ......Montag, 19.03.2018 12:30 Anmeldung 13:00 Begrüßung...
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Vorwort GaN-Bauelemente haben in den letzten Jahren eine rasante Ent- wicklung durchlaufen und etablieren sich mehr und mehr in der angewandten Leistungselektronik. Inzwischen sind Leistungshalb- leiter-Bauelemente von verschiedenen Herstellern in unterschied- lichen Ausführungen und Technologien sowie Spannungs- und Stromklassen kommerziell erhältlich und auf dem Weg in die Appli- kation. Immer mehr Anwender investieren in Forschung und Ent- wicklung, um das Potenzial der schnellen GaN-Halbleiterschalter für ihre Systeme zu nutzen. Dabei stellen sich viele Fragen zur ge- eigneten Transistortechnologie, zu optimalen Schaltungstopologi- en, zu den Gate-Treibereinheiten und zur praktischen Umsetzung beispielsweise im Hinblick auf Aufbau- und Integrationstechniken oder der EMV. Im Fokus der Anwender stehen neben den klas- sischen hartschaltenden Anwendungen, bei denen die niedrigen Durchlasswiderstände der GaN-Bauelemente genutzt werden, be- sonders die hohen mit GaN erreichbaren Schaltfrequenzen sowie resonante bzw. quasi-resonante Schaltungen. Ziel des Workshops ist ein Austausch der bisher mit GaN-Leis- tungsbauelementen gesammelten vielfältigen Erfahrungen. Einer- seits sollen dabei die Auswirkungen der GaN-Spezifika auf die Applikation diskutiert und noch bestehende technische Heraus- forderungen beleuchtet, andererseits die neuen, weiter gesteckten Grenzen ausgelotet werden. Der Workshop wendet sich insofern an Anwender, Schaltungs- und Bauelemententwickler aus Industrie, Instituten und Hochschulen. Veranstalter Energietechnische Gesellschaft (ETG) im VDE Fachbereich Q1 „Leistungselektronik und Systemintegration“ Wissenschaftliche Tagungsleiter K. F. Hoffmann, Helmut-Schmidt-Universität, Hamburg S. Dieckerhoff, Technische Universität Berlin A. Lindemann, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg N. Kaminski, Universität Bremen Veranstaltungsort Maritim Hotel Stuttgart Seidenstraße 34, 70174 Stuttgart Montag, 19.03.2018 12:30 Anmeldung 13:00 Begrüßung Klaus F. Hoffmann, HSU Hamburg Sibylle Dieckerhoff, TU Berlin 13:15 - 14:45 GaN Bauelemente und Technologie • 600V GaN Leistungstransistoren – Technologie, Fertigung und Anwendung O. Häberlen, Infineon Technologies, Villach • GaN Power Switching Devices: Competing Technologies and Future Trends H.-J. Würfl, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin • Potential and Challenges of Monolithic Multi-Functional Integration of 600V Class GaN HEMT-Based Power Circuits I. Kallfass, Universität Stuttgart 14:45 Kaffeepause 15:00 - 16:30 Schaltungstechnik und Ansteuerung • Bipolare DC-Netz-Kopplung mit GaN-Halbleitern S. Klötzer, Helmut-Schmidt-Universität, Hamburg • Anwendung bidirektionaler GaN Transistoren in der Leistungs- elektronik C. Kuring, TU Berlin • Entwicklung und EMV-Analyse eines modularen GaN-DC/DC- Wandlers L. Middelstädt, OvGU Magdeburg 16:30 Kaffeepause 17:00 - 18:30 Systemaspekte und Applikationen • Resonant High-Frequency DC/DC-Converter with GaN- Transistors for Aviation Applications C. Schöner, Fraunhofer ISE • Betriebsmodi und Schaltverluste einer GaN-PFC-Stufe Nikolas Bauer, BMW Group, München • GaN-Stromrichter für die Elektromobilität C. Henkenius, Firma Delta Energy Systems GmbH, Soest 18:30 - 19:00 Abschlussdiskussion 20:15 Gemeinsames Abendessen 19. MÄRZ 2018 • STUTTGART • MARITIM HOTEL SCHALTUNGSTECHNIK FÜR GaN-BAUELEMENTE IN DER LEISTUNGSELEKTRONIK ETG WORKSHOP www.vde.com/GaN2018
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Vorwort
GaN-Bauelemente haben in den letzten Jahren eine rasante Ent-wicklung durchlaufen und etablieren sich mehr und mehr in der angewandten Leistungselektronik. Inzwischen sind Leistungshalb-leiter-Bauelemente von verschiedenen Herstellern in unterschied-lichen Ausführungen und Technologien sowie Spannungs- und Stromklassen kommerziell erhältlich und auf dem Weg in die Appli-kation. Immer mehr Anwender investieren in Forschung und Ent-wicklung, um das Potenzial der schnellen GaN-Halbleiterschalter für ihre Systeme zu nutzen. Dabei stellen sich viele Fragen zur ge-eigneten Transistortechnologie, zu optimalen Schaltungstopologi-en, zu den Gate-Treibereinheiten und zur praktischen Umsetzung beispielsweise im Hinblick auf Aufbau- und Integrationstechniken oder der EMV. Im Fokus der Anwender stehen neben den klas-sischen hartschaltenden Anwendungen, bei denen die niedrigen Durchlasswiderstände der GaN-Bauelemente genutzt werden, be-sonders die hohen mit GaN erreichbaren Schaltfrequenzen sowie resonante bzw. quasi-resonante Schaltungen.
Ziel des Workshops ist ein Austausch der bisher mit GaN-Leis-tungsbauelementen gesammelten vielfältigen Erfahrungen. Einer-seits sollen dabei die Auswirkungen der GaN-Spezifika auf die Applikation diskutiert und noch bestehende technische Heraus-forderungen beleuchtet, andererseits die neuen, weiter gesteckten Grenzen ausgelotet werden.
Der Workshop wendet sich insofern an Anwender, Schaltungs- und Bauelemententwickler aus Industrie, Instituten und Hochschulen.
VeranstalterEnergietechnische Gesellschaft (ETG) im VDEFachbereich Q1 „Leistungselektronik und Systemintegration“
Wissenschaftliche TagungsleiterK. F. Hoffmann, Helmut-Schmidt-Universität, HamburgS. Dieckerhoff, Technische Universität BerlinA. Lindemann, Otto-von-Guericke-Universität MagdeburgN. Kaminski, Universität Bremen
VeranstaltungsortMaritim Hotel StuttgartSeidenstraße 34, 70174 Stuttgart
Montag, 19.03.2018
12:30 Anmeldung
13:00 Begrüßung Klaus F. Hoffmann, HSU Hamburg
Sibylle Dieckerhoff, TU Berlin
13:15 - 14:45 GaN Bauelemente und Technologie
• 600V GaN Leistungstransistoren – Technologie, Fertigung und Anwendung
O. Häberlen, Infineon Technologies, Villach
• GaN Power Switching Devices: Competing Technologies and Future Trends
H.-J. Würfl, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin
• Potential and Challenges of Monolithic Multi-Functional Integration of 600V Class GaN HEMT-Based Power Circuits
I. Kallfass, Universität Stuttgart
14:45 Kaffeepause
15:00 - 16:30 Schaltungstechnik und Ansteuerung
• Bipolare DC-Netz-Kopplung mit GaN-Halbleitern S. Klötzer, Helmut-Schmidt-Universität, Hamburg
• Anwendung bidirektionaler GaN Transistoren in der Leistungs-elektronik
C. Kuring, TU Berlin
• Entwicklung und EMV-Analyse eines modularen GaN-DC/DC-Wandlers
L. Middelstädt, OvGU Magdeburg
16:30 Kaffeepause
17:00 - 18:30 Systemaspekte und Applikationen
• Resonant High-Frequency DC/DC-Converter with GaN- Transistors for Aviation Applications
C. Schöner, Fraunhofer ISE
• Betriebsmodi und Schaltverluste einer GaN-PFC-Stufe Nikolas Bauer, BMW Group, München
• GaN-Stromrichter für die Elektromobilität C. Henkenius, Firma Delta Energy Systems GmbH, Soest
18:30 - 19:00 Abschlussdiskussion
20:15 Gemeinsames Abendessen
19. MÄRZ 2018 • STUTTGART • MARITIM HOTEL
SCHALTUNGSTECHNIK FÜR GaN-BAUELEMENTE IN DER LEISTUNGSELEKTRONIK
ETG WORKSHOP
www.vde.com/GaN2018
Teilnahmebedingungen
Leistungen:
Tagungsunterlagen werden registrierten Teilnehmern zum Herun-terladen zur Verfügung gestellt. Im Preis enthalten sind außerdem die Kaffeepausen sowie das Abendessen.
Ansprechpartner:
VDE Konferenz Service:Tel: +49-696308-477E-Mail: [email protected]
Teilnahmegebühr:
Nichtmitglied € 120,00
Persönliches* VDE-Mitglied € 090,00
ECPE Mitglied € 090,00
* Die reduzierte Teilnahmegebühr gilt nur bei Angabe der Mitgliedsnummer. Ohne Nachweis wird der Nichtmitgliedsbeitrag berechnet.
Zahlungsbedingungen:
Die Rechnungsstellung erfolgt nach der Anmeldung. Die Teilnah-megebühr ist innerhalb von zwei Wochen nach Erhalt der Rech-nung fällig.
Stornierung:
Abmeldungen müssen schriftlich erfolgen. Bitte haben Sie Ver-ständnis, dass bei Abmeldungen, die später als 14 Tage vor der Veranstaltung bei uns eingehen und bei Fernbleiben oder Abbruch des Workshops die gesamte Teilnahmegebühr fällig ist.
Veranstaltungsabsage:
Die Veranstalter behalten sich vor, den Workshop aus wichtigen Gründen abzusagen. Weitere Ansprüche gegen die Veranstalter bestehen nicht.
Datenschutz:
Die vom Teilnehmer überlassenen Daten stehen dem VDE zur Ver-fügung. Der VDE behandelt die Daten vertraulich und nutzt diese, um über aktuelle Neuerungen und weitere Angebote des VDEs zu informieren. Wenn Sie zukünftig keine Informationen und Angebote mehr erhalten möchten, können Sie der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Nutzen Sie dazu die E-Mail-Adresse: [email protected]
Anreise
Maritim Hotel StuttgartSeidenstraße 3470174 Stuttgart
Das Maritim Hotel Stutt-gart liegt im Stadtzentrum in der Nähe des Haupt-bahnhofs mit direkter Anbindung an das Kultur- und Kongress zentrum Liederhalle. Gleich gegenüber befindet sich das Bosch Areal mit Kinos, Fitness-Studio sowie verschiedenen Einkaufsmöglichkeiten. Einige kulturelle Einrichtungen und bekannte Museen der Stadt sind bequem zu Fuß erreichbar.
Entfernungen:
Hauptbahnhof: 1,5 kmAutobahn: 8 kmFlughafen: 14 km
Bahn- und Buslinien
Ab Flughafen: S2 Richtung „Schorndorf“ oder S13 Richtung „Kircheim (T)“ bis Haltestelle „Stadtmitte“ (Rotebühlplatz), dann Stadtbahn Linie U14 Richtung „Neckargröningen Remseck“ bis Haltestelle „Berliner Platz“ (Hohe Straße).
Ab Hauptbahnhof:Stadtbahn Linie U9 Richtung „Vogelsang“ bis Haltestelle „Berliner Platz“ (Liederhalle) oder Stadtbahn Linie U14 Richtung „Heslach Vogelrain“ bis Haltestelle „Berliner Platz“ (Liederhalle).
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Stuttgart ist eine Stadt, in der mehr als 170 Nationen zusammen leben. Eine Stadt mit vielen Parks und grünen Bereichen, einer großen kulturellen Szene, anschaulichen Stadtbezirken mit einer geschäftigen Klubszene, Weingüter im Herzen der Stadt, Mineral bäder für die Entspannung und viel mehr − kurzum: Die Stadt bietet eine hohe Lebensqualität. Stuttgart ist modern, städtisch, kosmopolitisch, nachhaltig und manchmal auch etwas nervös. Entdecken Sie mehr unter www.stuttgart.de
© Maritim Hotel Stuttgart
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19. MÄRZ 2018 • STUTTGART • MARITIM HOTEL
SCHALTUNGSTECHNIK FÜR GaN-BAUELEMENTE IN DER
LEISTUNGSELEKTRONIK
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Anmeldung online:www.vde.com/GaN2018
oder per Fax an: 069 63 08 144 oder per E-Mail an: [email protected]
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