Literaturverzeichnis

Zu Kapitell Passive Grundbauelemente

[1] Bitterlich, W.: Einführung in die Elektronik, Sp ringer 1967

[2] A E G: AEG-H ilfsb uch für elektri sche Licht- und Kraftan lagen, W. Gi­rardet , Essen 1981

[3] Rint, Curt: Handbuch für Hochfrequen z- und Elekt ro- Tec hniker, BandI bis VIII, Verlag für Radi o- , Foto- und Kinotechnik , Berlin

[4] Siemens: Diverse Sonderdr ucke au s Fach zei tsch riften (Siemens-Zeitschrift u.a.)

[5] Valvo: Diverse Nu m mern de r Fachrei hen Tec hnische Informationen fürdie Indu st rie un d Valvo- Brief

[6] MeinkejGundlach: Taschenbu ch der Hochfrequ en ztechn ik , Sp ringe r1973

[7] SteinbuchjRupprecht: Nac hrichtentechnik, Springer 1967

[8] Völz, Horst: Elektronik für Nat ur wisse nscha ften, Akad emie-Verl ag Ber­lin 1974

[9] Höft , Herbert: Passive elekt ronische Bau elemen te, Dr. A. Hüthig Ver­lag, 1977

[lü] Zinke, Seither: W iderstände, Konden satoren , Spulen und ihre Werk­st.offe, Springer 1982

[11] Vitrom: Hauptk at alog. Drucksch rif ten Wi de rstände etc, 1991

[12] Valvo: Drucksch riften Wi derstän de , Koriden statoren e t.c, 199 1

350 Literaturverzeichnis

Zu Kapitel 2, Leitungsmechanismus im Vakuums.a. [3], [4], [6], [7], [9]

[13] Barkhausen, H.: Lehrbuch der Elektronenröhren und ihrer technischenAnwendungen , Bände I - IV, Hirzel Verlag 1968

[14] Rothe, H. u. Kleen, W.: Bücherei der Hochfrequenztechnik, Bände2...5, Geest und Portig, Leipzig 1959

[15] Rumpf, K .H.: Bauelemente der Elektronik - Eigenschaften- Anwen ­dung, VEB-Verlag Technik, Berlin 1966

[16] Unger, H.-G.jSchultz, W.: Elektronische Bauelemente und Netz­werke I, 2. Auflage , Vieweg 1971

[17] Kortüm, G.: Lehrbuch der Elektrochemie, 5. Auflage , Verlag Chemie,Weinheim (Bergstr.) 1972

[18] Bergmann, Schäfer: Lehrbuch der Experimentalphysik, Walter deGruyter 1987

Zu Kapitel 3 und 4, Grundlagen derHalbleiterphysik

s.a. [1], [3], [4], [5], [6], [7] , [9], [16]

[19] Spenke, E.: Elektronische Halbleiter, 2. Auflage, Springer 1965

[20] RuschejWagnerjWeitzsch: Flächentransistoren, Springer 1961

[21] Paul, R .: Halbleiterphysik, (Bd . 1 der Reihe Elektronische Festkörper­bauelemente) Verlag Dr. A. Hüthig, Heidelberg 1975

[22] Möschwitzer, u.a.: Halbleiterelektronik, Band Lehrbuch , Verlag Dr. A.Hüthig, Heidelberg 1975

[23] Möschwitzer, u .a.: Band Arbeitsbuch , Verlag Dr. A. Hüthig, Heidel­berg 1975

[24] Möschwitzer, u .a.: Band Wissensspeicher, Verlag Dr . A. Hüthig, Hei­delberg 1975, Verlag Dr. A. Hüthig, Heidelberg 1975

[25] Adler, R.B. u.a .: Introduction to Sem iconductor Physi cs, Sem iconduc­tor Electronics Education Committee, Voll, J . Wiley & Sons, 1964

Literaturverzeichnis 351

[26] Beam, W.R.: Electronics of Solids , Mc Graw -Hill Physical and Quan­tum Electronics Series, Mc Graw-Hill Book Company 1965

[27] Haug, A.: Theoretische Festkörperphysik, Bd. I, F. Deuticke, Wien 1964

[28] Me Kelvey, J .P.: Solid State and Semiconductor Physics, Harper tabRow, New York, Evanston u. London and J. Weatherhill , Inc ., Tokyo 1966

[29] Madelung, 0 .: Halbl eit er, Handbuch der Physik Bd.XX, ElektrischeLeitungsphänomene 11, S. 1-245, Spr inge Verlag 1957

[30] Madelung, 0.: Die physikalischen Eigenschaften der III - V Verbindun­gen, Festkörperprobleme Bd. III, S. 55 - 80, Fr. Vieweg & Sohn , Braun­schweig 1964

[31] Moll, J.L.. : Phy sics of Semi conductors, Mc Graw-Hill Physical andQuantum Electronics Series, Mc Graw-Hill Book Company 1964

[32] Myser, H.A.: Einfüh rung in die Halbleiterphysik , Dr. D. SteinkopffVerlag, Darmstad t 1960

[33] Ollendorff, F.: Technische Elekt rody namik Bd. 11 , Teil 4: Grundlagender Kristall-Elektron ik, Springe Verlag 1966

[34] Bardeen, J., Brattain, W.H.: Th e Transistor , a Sem i- ConductorTriode, Nature of the Forward Current in Germanium Point-Contact Rec­tifiers., Phys. Rev. 74(1 948), 230, 231

[35] Bardeen, J ., Brattain, W.H.: Physical Principles Involved in Tran si­sto r Act ion . Phys. Rev. 75 (1949) , 1208-1 225

[36] Kunz, H., Kraft, W .: Bipolartransistoren und ihre Anwendungen, Ver­lag des Akademi schen Maschinen- und Elektroingenieurvereins an derETH Zürich, 1. Auflage 1983

Zu Kapitel 5, Bauelemente auf polykristallinerBasis

[37] Möschwitzer, A. Köhler, E.: Elektronische Festkörperbauelemente,Nachr ichte ntechnik 15 (1965), Nachrichtentechnik 16 (1966)

[38] Siemens/Halske: Halbleit er-Datenbücher (Standard- und Ind ustri e­Typen)

352 Literatur verzeiehnis

[39J Kuhrt, F., Lippmann , H.J .: Hallgeneratoren-Eigenschaften und An­wend ungen, Springer 1968

[40] Heywang, W.: Sensorik, Bd. 17 Reihe Halbleiterelek tron ik. Springer1985

[41] Heywang, W. : Amorphe und polykristalli ne Halbl eiter , Bd. 18 ReiheHalblei terelektronik, Springer 198.5

Zu Kapitel 6 u. 7, Dioden und Bipolar-Transistorens.a. [1], [6], [7], [9], [15], [19], [20], [22]., [23], [24], [36]

[42J Telefunken: Der Tran sist or, Band I und 11, Telefunken GmbH, Ulm ,Donau 1965

[43J Ebers, J .J., Moll, J .L. : Large-Signal Behavior of Jun ction Transistors,Proc. IRE, 1954, S. 1761-1 772

[44J Moll, J.L.: Large- Sign al Transient Resp onse of Ju nction Tran sistors,P roc. IRE, 1954, S. 1773-1784

[45] Gummel,H.K. , Poon , H.C.: An Integral Charge Cont rol Model ofBipolar Tran sistors, Bell Syst. Tech. Journ. May - J une 1970, S.827- 8.52

[46] Schlegel : Der Transistor, C.F. Winterse he Verlags buchha ndlung Pri en ,2. Auflage 1961

[47] Weitzsch , F.: PN P- Flächent ra nsistoren, Kompen diu m Teil I und Ir,Valvo Ber ichte Bd . III , H1 u. 3, 1957

[48] Valvo: Transistor-Kompend ium Teil I, Gru ndlage n 2. Auflage 1967

[49J Gärtner, W .W.: Einführung in die Physik des Tran sistors, SpringerVerlag 1963

[50] Guggenbühl, W., Wunderlin, W., Strutt, M.J.O.: Halbleiterbau­elemente, Bd . I Halbl eiter und Halbl eiterdioden , Bd. 11 und III , Transi­st oren, Birkhäu ser Verl ag Basel und St uttgart 1962

[51J Dosse, J .: Der Tr an sistor, R. Olden bourg, München 4. Auflage 1962

[52J Kesel,G., Hammerschmitt, J., Lange, E.: Signal verarbeitende Di­oden, Reihe Halbleiterelekt ron ik Bd 8, Spr inger 1982

Literaturverzei chn is 353

[53] Müller, R .: Bau elem ente der Halbleiter elek t ron ik, Reih e Hal blei terelek­t roni k Bd 2, 3. Auflage, Sp ringer 1987

[54J Tietze, V., Schenk, C.H.: Hal bleiter - Schal t ungstechni k, Springer1989, 9. Au flage

Zum Abschnitt Kapazitätsdioden s.a . [54]

[55] Micic, L. : Dioden abgest immter Resonan zkreis, Int. Elekt ron. Rund­schau 1968, No. 6

[56] Ocker, H .: Automatische Scharfabstimmung mit der Kap azitä tsdiodeBA 101 im UH F-Tune r, Telefunken RMI 601165

[57J Rinderle, H ., Hoffmann, G .: St udie über die Diodena bstimmun g fürde n LW- und MW-Bere ich, Int . Elektron. Ru ndschau 1968, Heft 1 und 2

Zum Abschnitt Z-Dioden

[58] ITT: Han dbücher Z- Dioden

s.a. Literatur zu Kap.f und 7

Zum Abschnitt Photohalbleiter s.a. [40], [41]

[59J Wiesner, R.: Der P N- Fot oeffekt , Halbleiterpr ob lem e 111 , Fr . ViewegVerlag, Braunschweig 1956

[60J Nitsche , E .: Zu m Sta nd der Solarzell en-Tech nologie , Raumfah rtfor ­schu ng XII (1968) Heft 2

[61] Winstel, G . Weyrich C .: Optoelek t ronik 11 , P hotodioden, P hototran­sistoren, Photoleite r und Bildsensoren, Reihe Hal bleiter elek tronik Bd 11,Springer 1987

354 Literaturverzeichnis

Zum Abschnitt Unijunction-Transistoren

[621 Damaye: Rund um den Unijunct ion-Transis tor , Elektronik 17 (1968)Heft, 1, 2 und 3.

[63J Heumann, K., Stumpe, A.C.: Th yri storen , Eigenschaften und An­wendung, Teubner Stuttgart, 3. Auflage 1974

[64J Trofimenkoff, F.N., Huff, G.J.: DC-Theory of the Unijunction­Transistor, lnt. J . Electronics 20 (1966)

Zum Abschnitt Feldeffekt-Transistorens.a, [3], [9], [24J

[65] Paul , R.: Feldeffekttransistoren , Physikalische Gr undlagen und Eigen­schaften , Verlag Berlin er Union GmH , Stuttgart 1972

[66] Möschwitzer, A.: Zum stat ischen und dynamischen Grosignalverhaltendes MOS-Feldeffekt transistors, NT Z 1967 Heft 3, 150-154

[67J Wüstehube, J .: Feldeffek t-Transistor en , Valvo GmH , April 1968

[68] Trappe, P., Brumme, R.: Das Gleichstromverhal ten des Feldeffekt ­Transistors, Teil l Nachrich tentechnik 17 (1967) , Heft 1,2-7

[69] Paul , R.: Frequenz verhalten von Sperrschicht -Feldeffekt- Transi stor enAEÜ 21 (1967) Heft 4,259-272

[70] Paul, R.: Der MOS-Transistor, Nachri cht entechnik 15 (1965), Heft 11,412-420

[71] Mäusl, R.: Der Feldeffekt-Transistor, Th eor ie und Eigens chaften, Elek­tronik 1965, Heft 5, 139-142

[72] Morgenstern, H.: Phy sikalisch e Rauschursachen in Feldeffekt-Transis torena) Teil I: Der Sperrschicht-Feldeffekt -Transistor , Nachrichtentec hnik 17(1967) , Heft 12,471 - 474b) Teil 2: Der MOS-Feldeffek t-Transistor Nachrichte ntechnik 18 (1968) ,Heft 1, 36-40

[73] Sevin, L.J. Jr.: Field-Effect Transistors , Mc Graw-Hill Book Company1965

Literaturverzeichnis 355

[74] Wallmark, J.T.: Field-Effect Transistors, Physics, Technology and Ap­plications, Prentice Hall Inc., Englewood Cliffs, New Jersey 1966

[75] Richmann, P .: Characteristics and Operation of MOS Field-Effect De­vices, Mc Graw-Hill Book Company 1967

[76] Beneking, H.: Feldeffekttransistoren, Band 7 Reihe Halbleiterelektro­nik, Springer 1973

[771 Hillebrand, F., Meierling H.: Feldeffekttransistoren in analogen unddigitalen Schaltungen, Franzis-Verl. 1972

[78] Kellner, W., Kniepkamp, H.: GaAs-Feldeffekttransistoren, ReiheHalbleiterelektronik Bd. 16, Springer Verlag 1985

Zu Kapitel 8, Thyristoren

[79] Lappe, R .: Thyristor-Stromrichter für Antriebsregelungen, VEB VerlagTechnik, Berlin 1968

[80] BBe: Silizium-Stromrichter-Handbuch, BBC Baden (Schweiz) , 1971

[81] Valvo: Thyristoren, Hanseatische Druckanstalt, Hamburg

[82] Keller, H., Wieczorek, G.: Die Silizium-Vierschicht-Diode und ihreAnwendungen als elektronischer Schalter, Frequenz 15 (1961), 33-39

[83] Gerlach, W., Köhl, G.: Steuerbare Siliziumgleichrichter, Festkörper­probleme II, 203-21.5, Fr. Vieweg & Sohn, Braunschweig 1963

[84] Mayerhofer, W.A.: Die Vierschicht-Diode - ein bistabiler Halbleiter­Zweipol, Elektronische Rundschau 13 (1959),51-54

[85] Schultz, W .: Berechnung der statischen Kennlinie von Vierschichten­trioden (Thyristoren), Z. angew. Physik XX, Heft 1 (1965), 26-35

[86] Köhl, G.: Wirkungsweise und Eigenschaften steuerbarer Siliziumgleich­richter, Int. Elektron. Rundschau 17 (1963) Heft 7, 337-340

[87] Köhl, G.: Über die Bemessung hochsperrender Thyristoren, Elektron .Zeitschrift Ausg. A, Bd. 89 (1968) Heft 6, 131-135

[881 Herlet, A .: Physikali sche Grundlagen von Thyristor-Eigenschaften, Sei­entia Electrica XII (1966) Fase. 4,105-122

356 Literaturverzeichnis

[89] Anke, D.: Leistungselektronik, Oldenbourg Verlag München, 1986

[90] ETG-Fachbericht 23: Abschaltbare Elemente der Leistungselektronikund ihre Anwendungen, VDE Verlag, 1988

Zu Kapitel 9, Halbleitertechnologies.a. [3], [9], [24], [42], [50]

[91] Seiler, K.: Physik und Technik der Halbleiter, Wissenschaftl . Verlagsge­sellschaft Stuttgart 1964

[92] Stern, L.: Grundlagen integrierter Schaltungen, Franzis-Verlag 1971

[93] Ruge, 1.: Halbleitertechnologie, Band 4 Reihe Halbleiterelektronik. 2.Auflage, Springer 1984

[94] Widmann, D., Mader, H.,Friedrich, H.: Technologie hochintegrier­ter Schaltungen, Band 19 Reihe Halbleiterelektronik, Springer 1988

[95] Rein, H.-M., Ranfft, R.: Integrierte Bipolarschaltungnen, Band 13Reihe Halbleiterelektronik, Springer 1980

[96] Weiß, H., Horninger, K.: Integrierte MOS-Schaltungen, Band 14Reihe Halbleiterelektronik, Springer 1982

[97] Höffiinger, B, Zimmer G.: Hochintegrierte analoge Schaltungen, 01­denbourg 1987

Index

O'o-Stromverstärkung, 245Ätztechnik , 328Ätzverfahren, 333Übergangszeit, 179Üb erkompensat ion, 345Überkopfzündung, 317Überlastschutz, 190

Üb erschußleitung, 118Überschu ßrekom bina t ionsra te, 130Üb erspannungsableiter , 155Übertrager , 791. Durchbruch ,2652. Du rchbru ch, 265

A-Betrieb, ;306Abschn ürbereich. 288, 293, 306Abschnürgrenze, 28.5, 288

Abschn ürpunkt , 290Ab schnürsp annung, 284 , 288Abstimmung

elektronische, 191

AFe, 191Aktor, 1, 154Ak zeptor, 118 , 331Al-Gate, 344alloy-transistor, 331Alterungskurve, 22Aluminiurnsilikat , 46Amplitudenbegrenzung, 190

Analog-Multiplikator , 138

Analogschalter. 346

Anfangspermeabilität , SOAnlaßverzögerung , 1.51

Annular-Struktur , 340

Anode, 311Anreicherungs-MOSFET, 297Anreicherungsbetrieb, 299Anreicherungsrandschicht, 208Anzeigeeinheit, 144Arbeitsbereich, 234Arbeitsgerade, 234Arbeitspunkt, 234

Einstellung, 306FET, 304instabil, 236sel bstleitender MOSFET, 309selbstsperrender MOSFET, 309

ArbeitsspannungZ-Diode, 187

Atommodell, 107Ausfallrate, 24Ausgangskapazität eCE , 252Ausgangskennlinie, 250, 290

FET,287Ausgangskennlinienfeld, 224,236,301

Ausgangsleitwert g CE , 250Ausgangswiderstand TCE , 250Ausgangswider stand r DS , 292Ausheizen, 341Auslötsicherungen, 10Ausschaltzeit

Diode , 179Aussteuerung

symmetrische , 235

Austrittsarheit,96Austrit tsenergie

Elektron , 93autom . Vorspannungserzeugung, 308

358

avalanche-break-down , 174

B-Betrieb, 306Backup-Kondensator, 67Backward-Diode, 206Backwarddiode, 205Bahnwiderstand, 177, 267ballistische Elektronen , 101Band

verbotenes, 111Bandüberlappung, 206Bandabstand, 171, 173,201Bardeen, 103, 213Barium-Titanat, 151Bariumoxid-Katode,97Basis, 214Basis -Emitterdiode, 219Basis-Emitterspannung, 214, 215Basisbahnwiderstand , 267Basischaltung, 248Basislaufzeit, 254Basisschaltung, 223, 303, 316Basisspannungsteiler, 236, 241, 243Basisstrom. 215, 219Basisweite, 216, 220, 255

Modulation, 232Basiszone, 216Bauelement, 2

aktiv, 3diskretes, 327galvanomagnetisches, 161linearv Snicht -reziprokes, 162nichtlinear, 3passiv, 3pass iv, linear, .5

Baugröße. 7Belastbarkeit, 16, 22Beleuchtungsstärke, 159, 200Betrieb

inverser, 220

Index

Betriebsspannungmaximale, 234

Beweglichkeit , 301BICMOS-Technik, 344, 346bifilar, 45Bindung

kovalente, 110Bindungsmodell, 107Bipolar-CMOS-Prozeß, 347Bipolar-Technik, 344Bipolar-Transistor, 123, 213Bipolartransistor, 167

Verstärkerwirkung. 216Wirkungsweise, 216

Blechkern, 79, 89Bleiglanz, 100Bohr, 107Boltzmann-Konstante, 31Boltzmann- Verteilung, 97Boltzmannkonstante, 257Bonden, 341Brattain, 103, 213Braun, 103Braunstein , 62Bulk, 281buried collector, 341

CECC, 6, 52Celluloseacetat (CA), 56Chalkogenid-Halbleiter, 156Chemical Vapour Deposition, 337CMOS,67CMOS-Technik, 344Collector, 214Corotron, 157Curie-Tem peratur, 80CVD-Verfahren, 337Czochralski , 329

Dünnfilmmetallwiderstand, 13Debye-Länge, 169, 218Defektelektron , 118

Index

Defektelektronenleitung, 118, 139depletiori-type, 297Derating, 23 , 189, 266Diac, 325Diamant , 112Diamantgitter, 108Dickfilmwiderstand, 14dielektrischer Füllfaktor. 35dielektrischer Verlust, 75Dielektrizitätskonstante, 176Differen ti aldrehkondensator , 70differentieller Eingangswiderstand, 248differentieller Leitwert, 178differentieller Widerstand, 152, 160,

209negativer, 311Z-Diode, 187

Diffusionsfeld, 129Diffusionska.pazität, 176, 251Diffusionskonstante, 131Diffusionsschwa.nz, 169Diffusionsspannung, 128, 192Diffusionsstrom, 127, 131, 132, 168,

176Diffusionsstromdichte, 124Diffusionstechnik , 332Diffusionverfahren. 328Difussionsverfahren, 333Digitaltechnik, 328DIN IIEC 62, 17Diode, 168

Scha.lter, 179Dioden-Ersatzschaltung

Transistor, 215Diodenkennlinie

Scherung, 177Diodenstrom, 168Dipolschicht, 64diskrete Bauelemente, 327Display, 144

Donator, 116, 331

359

Donatoratorn, 125Donatorion , 116dopen, 114Doppelbasis-Diode, 209

Doppelschichtelektrochemische, 63

Doppelschicht-Kondensator, 63dotieren, 114Dotierung, 106Dotierungsprofil, 340Dotierungsrate, 117Drahtwiderstand, 9, 33Drain, 281Drain-Gate-Durchbruchspannung, 293Drain-Source-Kurzschlußstrom I DSS,

289Drain-Source-Sättigungsstrom l oss ,

301Drainschaltung, 303 , 305Drehkondensator, 69Drehziehverfahren , 329Driftstromdichte, 124Drifttransistor, 332Dual-Gate-MOSFET, 303Dunkelstrom, 196Duplex-Schalter, 209

Durchbruch, 185erster , 265zweiter, 265

Durchbruchspannung, 187, 192Durchbruchspannungen

FET, 293Durchlaßrichtung, 313Durchschaltzeit tgr , 319Durchschlagfeldstärke

kritische, 36

E-Toleranzreihe, 9Early-Effekt , 175, 250 , 255, 269Early-Spannung, 232

Early-Effekt , 232

360

Eb ers -Moll-Mod ell, 215, 232, 245,246

Eb ersjMoll-Ersa t zbildTransistor, 220

ECL-Technik , 344Edelgas, 107EI-Schnitt , 89EIA,52Eigenkapazität

Spule, 77Eigenleitfähigkeit, 107, 157, 196Eigenleitung, 105, 113Eigenresona.nz

Kondensator, :39Spule , 77

Eingangskapazität CB EO , 251Eingangskennl inienfeld , 224, 22.5Eingangswiderstand rBE , 248Eingangszei tk onstante , 251Einhei ts zelle , 65Einkristall , 101, 110, 329

Her stellung, 329Ein sa tzspannung

Elek trolyse , 65Eins chal tz eit

Diode, 180Ein stellung Arbeitspunkt , 306elekt rische Doppelschicht, 64elektrische Leitfähigkeit , 104elekt risches Ladungsbild , 158Elektrolyt, 61Elektrolytkonden sator , 55, 59Elek tron , 113

Austri t.tsen ergie, 93balli sti sches , 101freies, 104Geschw ind igkei t , 93heißes, 102Ruhemasse, 91Wellen char ak ter , 101

Elektronen , 123

Index

Elek tronengas , 104Elektronenleitung, 106, 118Elek tronenröhre, 91Elek tronen strom , 169elektronische Ab sti mmung, 191elektrophotogr aphische Kopi ertech-

nik , 157Elementarladung, 91, 107Elementhalbleiter , 106Elko ,59

Polung,60Emission, 95Emitterkapazität, 240Emi tterl adezeit, 254Emitterreststrom, 221Emitterschal tung, 223 , 235, 303, 316Emitterstrom, 215Emitter verlustleistung, 263Energie

im Kondens a tor , 35magnet ische, 74

En ergie- Eigen wer t , 108, 111Energie- Min irnierungsprinzip , 107En ergi eb ändermod ell , 99, 111, 116En ergi eband , 108, 111Energieminimierungsprinzip , 113Energiequant , 108, 157En ergi eterm, 108enhance me nt- ty pe, 297Entmagn etisierung, 154Epitaxial-Mesa- Tr ansistor, 339Epitaxial- Struktur

diffundierte, 331legierte , 331

Epi tax ial- Tr ansistor , 337Epitaxial techn ik, 328Epi taxi e, 125, 337Erholzeit , 179Ersatzschal tb ild

Diod e, 179FET , 294

Index

MOSFET,302Thyristor, 314Transistor, 266Varicapdiode, 192

ErsatzspannungsquelleThevenin, 237

ErsatzstromquelleNorton , 237

Erwärmungskenngrößen, 244Bipolartransistor, 261

ErzeugungLadungsträger, 129

Esak i-Diode, 205Exemplarstreuungen, 336Exemplarstreuungen, FET, 306

Fänger, 118Füllfaktor

dielektrischer, 35Fünfschichtenfolge, 323Faraday, 147Farbeode, 17farbiges Rauschen, 257, 258Farbkopierer, 158FCTh,321Feldeffekt, 167Feldeffekt-Transistor, 161, 167,213,

280Feldeffektthyristor, 167, 321Feldemission , 95

innere, 172feldgesteuerter Thyristor, 322Feldplatte, 144, 161, 163Feldstrom, 131, 132, 176Fermi-Energie, 133Fermi-Kante, 113 .Fermi-Niveau, 113, 205Fermi-Statistik, 113Fernordnung, 100Ferrit, 83Ferrocart.-Kern , 83

361

Festkörper, 99Festwiderstand, 10FET,280FET-Grundschaltungen, 303Flächendiode, 182Flächentransistor, 214Flachbahn-Steller, 13flicker noise, 258Flußbetrieb, 174Flußrichtung, 136Flußstrom, 196, 233, 245, 246Formfaktor, 73freie Weglänge, 101, 173Freiwerdezeit t q , 319Frequenzabhängigkeit, 16, 27Frequenzkenngrößen, 244Frequenzvervielfachung, 195Frigen, 45Funk-Entstörkondensator, 68Funkelrauschen, 258

GüteVaricapdiode, 192

Güteklasse, 17, 22GaAs, 106, 110GaAs- Transistor, 256Gabelweiche, 162Gallium-Arsenid , 106Galvani-Potential , 64galvanomagnetisches Bauelement , 161Gaskondensator, 45Gate, 281, 312Gate-Array, 347Gateschaltung, 303Ge, 106Geber, 116gedruckte Spule, 78Gegeninduktion, 73Gegenkopplung, 243Gegentaktschaltung, 194Generation, 125

362

Ladungsträgerpaar, 112Generationsrate, 258Geometrie, FET, 296Germanium, 106Gesamt-Rauschleistung, 260Glühemission, 92, 95Glas

leitendes, 144Gleichlaufeigenschaften

Varicapdioden, 192Gleichstromarbeitsgerade, 235Gleichstromarbeitspunkt, 234, 235

Stabilitätskriterium, 236Gleichstromeingangswiderstand RBE,

250Gleichstromkenngrößen, 244Gleichstromlei twert

Diode, 178Gleichstromverstärkung, 228Gleichstromverstärkungsfaktor B ß, 0'

245Glimmer, 45Golddrahtdiode, 182Größe

nichtelektrische, 144Graphit, 112Grenzdaten, 16Grenzfrequenz

Varicapdiode, 193Grenzfrequenz i: 252Grenzfrequenz [e, 253Großsignal-Ersatzbild

Bipolartransistor, 221Großsignalbetrieb, 306Großsignalverhalten, 220Grundschaltungen

FET,303GTO-Thyristor, 320Gummel,220Gunn-Element, 209Gyrator, 73

Index

Halbleiter-, 162

h-Parameter,272Höchstohmwiderstand, 7Höckerstrom

Tunneldiode, 205Halbleiter, 103, 105, 112

Massenwirkungsgesetz, 116Halbleiter-Bildwandler, 161Halbleiter-Thermoelement, 144Halbleiter-Zirkulator, 162Haiblei terbauelement

aktives, 213thermoelektrisches, 144

Halbleiterdiode, 168Halbleitergyrator, 162Hall-Effekt, 103, 137Hallgenerator, 144, 161Hallkonstante, 138Hallspannung, 138Hallwinkel, 140Haltespannung, 313

Speicher, 67Haltesstrom, 313HDK, 49, 51Heizelement

selbstregelnd, 154heiße Elektronen, 102Heißleiter, 143, 147, 148Herero-Bipolar- Transistor, 256Hochfrequenzabschwächer , 209Hochfrequenzstufen, 254Hochpaß, 28hot carrier, 102, 206Hystereseschleife, 80Hystereseverlust, 75

I2L , 346I2L-Technik, 328I-Leitung, 113I-Zone, 122IC, 334, 342

Index

iec, G, ,52IGFET, 280 , 2mll l-Vv-Vcrbiudung, lOGl mpat.t-Diodc, 209IIII plk rist.all, :129Impulsübertrager. 88

lrnpulsbclast.uug, 2:1lncliurnant.imonid , 1:18, !GaInd iuma rscn id , I:lSlndukt.ionsgcsct.z. T:llndllktivitä: , ni IIduzicrtc EI11 ission

I.as or , :W1111llur-uz, 21)8illh~irellt('(" difr('("('lll i,'lkr Widorsf.aud

ZDiode. 1:'1lujckt.ionst.runsist or. lGI, 21:\. 219,

:30:1lnnc-nwidcrst.aud 1'('/,; , 2GOi 11 neu- Feldelll ission , IT2innere-r Photoclfckt , 9G, IG7, 1,59,

195. :117illstabiler Arboitspunkt. , :tHiintegrated ci rCII it. :l:H1ntcgra t.cd lnjcct.ion I.ogic, :128. :HGlut.cgricrtc Schalt.ulIg. :128, :n ,1

int.rinsic, 11 :111Ilrillsicdichte. 11 ,1Inverslwtrieb.27Tinverser I~(·l.ri,'b. 220l nvcrsiou. 2'J8. :l:\1)111 \'('rsiollsd ich t r-. 111IOIWII - huplanr.ar.ion , :110loucuimplant at.ion. 125, :128loncnleilung . 101. lOGIS,:HIIsola l.iOllsgii t.c

Kondensator. :18Isolator , lOG. 111IV -V-Vcrbindnng.lIG

.Iohuson - fLwschen, :30

363

Kaltleiter , H :3, 147

Kaltleitereffekt. 152

Kamera-Sigualverarbeitung, 329

Karnrnerwicklungv S?Kanal, 280, :\00

Geometrie, 288

Kanalstrom /D, 285Kapazität

spezifische, 3.5Kapazit ätsdiode, 191

Kapazitätshllb, 192

Kappenkernv S?Karbonylcisen , 8 :~

Katode, :311heizbare, 9G

Kenndaten, IGKenngrößen

dynamische, 24-1statische, 244Transistor, 2,'l4

l\cnnlinicnfcld ,244Keramik--Klcinkondensatoren,51

Kcra m ik- Hal bleitcroxidischc, 147

Keramikkondensator. 46

l\eral11ikschichtkondensator,59Kern , lOTKernspeicher. 881\ippbod ingllng

Thyrist.or. :3l Ci1\ippspa nnung, :11:\I\kinsigllal -Ersatzschalt.llug

C;,ltc . :30:)SOIlI"C(' -, :lQ.,

Kloinsignal ausstcucruug, 2221\\cinsignal betrieb. :\oGI\leinsigllalkcllllgrößen .2.181\lci nsigualstromvcrst ärk ung Q, 2481\lci nsignalst.romvcrstärk ung ;3 , 248Koerz i ti vlcldstärkc, SO

koh ärente Li chtsl.rahluug, :204

364

Kohlcgernisch-Schi chtwiderstand .8I\oh lenstoff, 112Kohleschichtwiders tand, 7. :3:3Kollektor, 2 I ,1Kollektor- Basis--Hückwirkung, 269Kollektor- Bas is-Spe rrs chi cht. 232Kollektor-Basisdiode. 218Koll cktoi--Hasis re ststrom , 218Koll ek tor-Has isspannung, 214, 215I\ollek tor- EIll it tr-rspan nu ng, 21.5Kollcktor-H cstspan nllllg ,22.5Kollekt.or-Sät. t.i glillgsspannung, 22.5Kollektorladezeit. 2.54l\ollekt.orlallfzeit.25'1I\ollek torres t.strolll, 229, 31.51\01Id:t.orfuhest.rom.2:35Koll cktorsät.tigu ngsspan nung, 235Kollek torschaltung. 22:3 , ;30:3Kollektorst.rorn , 21.5, 219

maximaler. n ·tKollekt orv crllls t.l eist.llng,26:3Kompcnsat.iouspunkt , 2!}.I . :l()(i

l\oll l!H'll scl! iOIIS ZOIW. 1:Z2l\ olllpl( '1I11'IItiir 1\ cll 1<1 1 l\IOS-T('rhnik.

:11:)Konden sator, JI

akti ves VOIUIl WII. :1.')I ~ i gell resoll all z. :1!JI':rscl t.ZSCh Cl It hikl. :l( i

lsolat.ion sg üto. :IKl.cckstroru , :li'~IP . 5.')SC 'lhst hcilllll p, . .')·1 , .')9

1\ondonsa t.orr-u

!\('lllIZcichnuug, "10Konst.au z. nKon t.akt.icrnugst cchnik, :328. J 1Ikout akt.losc Sign algalw . 162Kout.akt.rauschou . :121\ Oll vck I iCHI SS! rom dicht (' . 1211\o pir- rt ('('h 11 ik

Index

elekt rophotogra.phische, 157Ko mbereich . 100Korngrenzeneffek t, 144kovalente Bindung, 110KP -Kondensator , 56Kreuzrnodulationsfest igke it, 303Kreuzwickel

Spule, 77Kr ist alld etektor, 181Kristallgleichrichter, 168kritische Durchschlagfeldst ärke. 36krit ische Spannungssteilh eit, 317, 320kritische Stromsteilheit , 320KS-Kondensator, 56KT-Kondens ator, 56Kunststoffolienkondensator , .55Kupferoxidul , 184Kupferwiderstand

Spule, 75Kurzschluß-Sättigungsst rom l oss , 287Kurzschlußinnenwiderstand rce» , 2.50Kurzschlußsteilhei t . 291Kurzschlußsteilheit 55 , 292K1Irzsch lu ßst rorn

Solarzelle, 200Ku rzzeit speicher . 209

Löcher, 12:3 , 12.5Löch erle itung. 11 8Löch erstrorn , 169Ladungsbild

elektrisches, 1.58Lad 1Ingsträger

Laufzeit, 2.54Lebensdauer , 125, 209

Ladungsträgerbewegli chk eit , 289, 293Ladungst rägerd ichte. 127Ladungsträgergencr at ion , !70Ladun gsträ.gerpaarbildung, 112, In,

I !)(;

Ladungst.rägcrvcrarmun g , 1:3:)

Index

l.ageru ngstcm pcrat.u rh oreich. 266Largo Scale Intcgrat.ion , :328

LAS ER, 204Laser-Diod e, 202 , 20·1

Lastrninderuugskurve , 2:3 , 266La t ch - lIp-Erfekt, :J;3!), :3'(,5Laufzeit.

Ladllngst räger,2.) '1

Laufzcitcllckt, 20!)Lawin cndurchhruch , 17:3 , 185, 187,

265Lawincncflekt., 209, 265LawinenlaufzcitdiodccZü')Lebensdauer

Ladllllgstr~iger, 125, 20!)Le ckst.rouu G?

um, 200. :!()2

Leerlauf 1111( '11widers t an d rcta , 250l ,C'eri allfrallscil spilllllllllg , 260I.cc-rla 11fspa :1111111g

Sol ar zelle. 200Legieren, 12.') , 1s ILcgi erllllgst.ccl lTli k , :127. :3:1 ILeginllllgs1.rall sist.or, :3:11Leistungsaupassun g. 2.'j~ . :!(il

Lcist.ungsck -kt.ronik , :3\ 1Lci stungsgk -i clnicht.cr. 182

Lci stuugskondou satorcn , 'I.j

l.cist.u ngsschalt.cr, :311Lcistungs vcrsui rkuug, 220 , 2:)6LC'i t.C'I", !)·l, 10-1, 10.'). 112Lci1.r~illi gkci1. , 11 ·1

elcktr isclw. 10-1Lcit.ungsba nd , 201, :205Leit.lIllgsc·!c·kl r oll . !)·I. % , 101L(·il IIl1gsgesclJwilld igk eit , 10!)L(·i t wnt

d ifrcrcllt ic-l l<· r. Di ode, liSI.i rl il str ahluug

ko hj irr-nt e. 2()·1

Loch. 11 :1

365

Loren tzkraft , !)<I , 140LSI-Sch al tllng, 328Luftspule. 78Lumi neszenz-Diod e , 200

l"I-Schni tt , 89

Magnesiurnsilikat.vlfMagne tbandabtastung

stat isch e , 162

Magnetdiode. 211magnetisch e Energi e, 74Majoritätsträger, 123 , 12,5, 129, 1:35Majori tätsträgerkonzcutration. 129

lVIajori tätsträgerl ebensdaller , 129Majoritä ts träge rstrol1l,21!)

Mangandi oxid . 62Man gelleitung. 11 SMAS ER,204

Maskcn tc clmik , :3:3'11'1 asscnä ndcrung

re lat ivistische, 92

Masscnwirk 11 ngsgesc t zHalbl ei ter , 116

Massew ider stand . 8

l\l atc ric wcllc, 92m aximale Sperrschi ch ttcmpcra tur , 2(i(j

maximale Vcrlustleistung, 26(iMedium Scal e Integrat ion , 1~S

Mesa- Technik , 1:31

Mesa-Transistor, 3:33MESFET, 280, 2831\1dall - 11 aIbl<~i t.erkont.a k t , :20(iI\kLallglaslIr-Widerstand,81\ Ict.a llox id -·Schicht wide rs t. a nd , 8M cl.a llpapic r- K ondr-n sator, .').)

Mct.allschichtwid crst .and , 8, :3:3Mcßiibc rt.ragcr. 80I\kllglei chri ch ter , 18·1

Mikrowellendiode. I S1j\ 1IL, Ö, 52

Milkr- Errekt. ,2G!)

366

Millcr-Cleiclrung, 174Miller-Kapazität,269Minorit ätsladungsträger, 217

Minoritätsträger, 123, 125, 129Minorit.ätsträgerstrorn, 219

Mischstufe, 192, 303

MISFET, 280, 297Mitkopplung. 315MKC-Kondensat.or, .56MKP-Kondcnsat.or, .56MKS-Kondcnsator, .56MKT-Kondcnsator,56MKU-Kondensat.or, .56rviNSFET, 207Modulation

Basiswei tc, 2:32l\1odulator, 30:3

MOS-Kapazit.ät CCD , Ces , 302 .MOS- Technik, :344MOSFET, 280, 297

Ersatzschal t. b iId, 302selbstleitender. 297selbstsperrender. 297

l""lOSFET- Tet.rode, 303MP-Kondensator, 5.5MSI-Scha.ltung, 328MTOS-Prozeß, :344Multiplikator, 163Mumetall . 80

N-H a.lbleitcr , 116N-K anal-MOSFET,299N-Kanal-PN-FET, 283N-Kanal-Sperrschi cht-FET, 283N-Leitung, 118

N-Wannenprozeß ,34.5N-Zone, 122

NachstimmschaltungAFC , 191

Nagelkopf-Bonden , 341

Nahordnung, 100

Index

NDK,49Nennfrequenz , :39Nennkapazität , 39 , 65Nennlast., 16, 17Nennspannung. 39

Elko,60Nennwert, 16, 17Nennwiderstand , 164

NeutralisationKollektorrückwirkungv Zö?

Neutron, 107Nichtleiter, 10.5nichtlineare Verzerrungen, 291, 306NMOS , :H4norrnally-off-type , 297norrnally-on-type, 297NPIN-Transistoren, :3 ~.37

NPN-·Si-TransistorPlanar-, :333

NPN-Transistor,214

NTC,147NTC-Widerst3.nd , 143NTC-Thermistor, 147Nulloden , 209Nullpunktsunterdrückung, 191

obe re Zü ndspannung, 319Oberflächenpotential. G4Oberflächenschutz, 3:.37offen e Spule , 86Ohmseher Ber eich , 300 , 306Ohmseher Bereich ,FET, 284Ordnungszahl, 106Oxidationstechnik

thermische, 328Oxidk eramik . 47

P-Kanal-Sperrschicht- FET, 294

P -Leitung, 118P-Schnitt , 89P-Wannenprozeß, 345

P-Zone, 122

Index

P-Kanal-I\10SFET, 344Papicrkondensator, 5.5, 56parametrischer Verstärker, 192parasitärer Thyristor, :H.5parasitärer Transistor, :H.5Pauli -Prinzip, 107Peltier-Effekt, 142, 146Pelt.ier-Koeffizient., 142Poltier-Modul, 146Pentodenkennlinie, 225Permeabilitätskonst.ante, 73Photo- Transistor, 278

Photodiode, 19·5Photoeffekt

innerer, 96, 157, 159Photoelement, 198Photoemission, 96Photokopierer, 157Photolithographie. 328Phot.on, 195,201,204Photostrorn, 196Photothyristor. :317photovoltaisches Element, 198Photowiderstand, 143 , 1.59, 19.5PIN-Diode, 208pinch-off-Spannung, 284, 288Planartechnik , 285, 327, 333Planck'sches Wirkungsquantum, 92Plattenschnitt, 69PMOS ,344PN-Übergang, 122, 12.5, 331PN -FET, 283, 297PNFET,280PNIP-Transistoren, 337PNP-Transistor,214Poissonsche Gleichung, 128Poly-Si, 345Poly-Si-Gate, 344

Polycarbonat (PC), .56Polycarbonatschichtkondensator, 59

Polypropylen (PP), .56

367

Polystyrol (PS), .56Polyterephta.lsäureester (PETP) , .56Poon, 220Popcorn-Rauschen, 258Porzellan, 46Proton, 107PSN,209PSN-Struktur, 183PTC-Widerstand, 143, 152PTC-Thermistor, 147Pulverkern, 83

Quantenmechanik, 99Quantenphysik, 148Quantenwirkungsgrad, 201Quelle, 101Quetschtrimmer, 71

Röhrchenkondensator, 47Rückkopplung, 315, 317Rückwärtsbetrieb , 219, 220Rückwärtsrichtung, 313Rückwärtssperrstrom, 313Rückwärtssteilheit, 272Rückwirkungskapazität Cc ao , 252Rückwirkungskapazität Cc a , 269Randschichttheorie

Schottky, 207Rate-Effekt , 317, 323rate-grown, 331Raumladung, 118Raumladungsdichte, 127Raumladungsdoppelschicht, 127,131,

169Raurnladungswolke, 96Raumladungszone, 170Rauschabstand , 259Rauschanpassung, 261Rauscheigenschaften, 16Rauschen

bistabiles, 258farbig , 31

368

farbiges , 2.57Mittelwert.quadratischer. :30

thermisches, :Wweißes, :W, 2.57

Rauschgenerator, 30Rauschkenngr ößen , 244

Bipolartransistor. 256Rauschleistungsdichte- Sö?

Rauschmaß. :336Rausehrnaß F*, 256, 259Rauschoptimierung. 261Rallschverha.lten,FET,282

Rauschzahl F, 256, 259REA D-Diode, 209Rechner-Zentraleinheit, 329

recovery -time, 179Regler, 10Rekornbination , 11:3 , 125, 129,220Rekombinat ionsratc , I ;W, 217, 258Hekombinationsweglänge,218relativistische Massenänderung. 92

Relativitätstheorie, 92Relaxation, ;37Relaxationsverlust 76Resonanz

Widerstand, 28

Reststrorn, 233, 245, 293, 336Ringkern. 88, 90Ringpotentiometer, 13Rotor, 69Ruhemasse

Elektron, 91

S-Schnitt , 90

Sätt igungsspannung, 301

Sättigllngsspan nung Uos,«, 286Sättigungsspannung U DSS, 288Sättigungssperrstrom, 221

Sättigungsstrom, 170, 245

Sättigungsstrom l o ,« , 285, 286

SAW, 155

Index

SchaleElektronen- , 107

Schalen kern, 87

SchalterDiode, 179

Schalterbetrieb. 306Schaltungen

integrierte, 328Schaltungsdimensionierung, 234Schei benkondensator, 47Scherung

Diodenkennlinie. 177Schichtwiderstand , 7

Kohle-, 7Metall-, 7Meralloxid-, 7

Schleifenverst ärkung, 315

Schleusenspannung. 184Schneiden-Bonden , 341schneller Spannungsanstieg, 317Schnittbandkern, 79Schottky-Diode, 206 , 283Schottky-Kontakt , 311Schottky-Rauschen, 258Schrägbedampfung, 334

Schraubkern, 86Schrotrauschen, 258, 282Schutzgas, 329Schwellspannung, 219 , 301, 309Schwellwertschalter, 211Schwinggrenzfrequenz, 256second break down, 265Seebeck-Effekt , 141Seebeck-Elernent , 141, 144, 145

Seebeck-Koeffizient, 141

Sekundäremission , 95

SelbstheilungKondensator, 54

Selbstinduktion, 73

selbstleitender MOSFET, 297

Arbeitspunkt, 309

In dex

se lbstsperrende r l'vIOS F ET , 297 , 299Arbeitspun kt, 309

Sele ngl eichrichter , 185

Se ltene E rden , 148

Senke , 101Se nsor, 1, 1.54

Sensorik, 144

Se rienresonanz

Varicapdiod e , 193Sc rienwiclerstand

äqu iva lenter, 66

Sho ckley , 10:3 , 300

sho rted e m it.te r. :117

sh ot noi se , 2.58

Si, lOG, 3:30ein kristallines , :3:30

polykri stallines, 330

Si- Epi t axie , 338Si-Ge- Tran sis tor , 256

Signalgabekontak tl ose. 162

Signalke nn grö ße n , 24,1

Silbersulfid . 147Silizium, lOGSiliziurnkarb id . 148 , 155

Sinterano de. .5!)

Sinterve rfahren . 148

Skin-Effekt, 6. 28 , 75

Srnall Sc ale In tegr a ti on , :328S l'vlD, 7, 17

SM D- Tech nik, l 'lSIVrO- Wi dcl' stand , [ .')snap- off- Diodc , I!JISolarzelle, 143, Fl8

Source - ZßlSo urcefolger , :30.5

Sourceschaltung , 303Span nu ng s-Grenzwert , 265

spann ung sabh äng iger W id e rstand , 155

Spannungsabhängigkeit , 16, 26

Spannungsrückwi rkung V r , 251

369

Spannu ng ssteilheitkriti sche , 317, 320

Spannungsste uerung. 225 , 291, 321

Sparks, 214

Speiche r , 347

Speichereffekt, 283

Spei chere le rnent , 160

Sp errbe tri eb , 174

Sperrichtu ng, 13.5, 31:3Sp errsch icht , 122, 133, 168Sperrschich t -FET, 280, 283, 297

Sp errs ch icht - Transistor, 213

Sp errschi chtdi od e. 168

Sper rschi chteffekt, 122,152, 167 , 321Sp errsch ich tkapazität , 180 , 2.52 , 317

S pe rrsch ichtka pazität CCD, Ces , 295

Sp errsch ich ttempera tur , 263

max imale, 266Sperrschi chtweite. 135 , 17.5, 2:32 , 269

Sperrst rorn , 170 , 196 , 233, 246, 293spezifische Ka pazi t ä t , 35

Sp itzendetektor , 103

Spitzendiode , 181Spitzentransistor , 214

sponta ne r E rn it te r , 202

Spule, 73ge d ruckt , 78

offene, 86Ver lustwiders tand , 74

Spuleu g üte, 76

SSI -Sch alt un g, 328

Stö rsc hutzkondensato r, 68Störstelle n le it fähigke it, 107

Störste llenleit ung, 105Stab ilit ä tskri t eri um

(I leichstromarbeitspu nkt , 236

stat ische Magnetbandabt.astu ng , 162statischer St ro rnve rst.ä rku ngsfak to r ,

228

Sta tor , 69

Steat it , 46

370

Steilheit, 267,291,302Steiler, 10Stellwiderstand, 10stcp-recovery-Diode, 191, 194stcp-rccovery-Effekt, 176, 265, 283steuerbarer Widerstand, FET, 306Steuerkennlinie. 290, 299

FET,287Steuerkennlinienfeld , 224, 226, 301stimulierte Emission

Laser, 204Stoßionisation, 173Strahlungsdiagramm

LED,203Strahlungswiderstand, 75Strom-Grenzwerte, 266Stromdichte

Diffusionsstrom , 13:3Feldstrom. 13:3

Strornfokuss ierung, 26.5Stromgegenkopplung, 240, 243Stromquelle

Transistor, 225St.romrausch en , 30, :32Stromsteilheit

kritische, :320Stromsteuerung, 226Stromverstärkung. 232, 291 , 336Stromverstärkung G, 248

Stromverstärkung e, 248Stromverstärkungsfaktor

statisch er , 228Stromverteilungsfaktor 0'0' 245Supraleitung, 6symmetrische Aussteu erung, 23.5

Tafelberg, 3:3 :1

TalstromTunneldiode. 205

Tandempotentiomet er. 12Tantalelko. .59

Index

Tastverh ältnis, 24

Tauchtrimmer, 71Teal, 214Teilerquerstrom

Basisspannungsteiler, 243Temperatur-Geschwindigkeit, 97Temperatur-Grenzwerte, 266

Temperaturdurchgriff, 261, 293Temperaturkenngrößen, 293Temperaturkoeffizient, 16, 25, 114,

147, 148, 156, 173, 174, 187,293

Parallelschaltung, 49Temperatursensor, 151, 153Temperaturspannung, 97, 131, 221Temperung, 341Textur

magnetische, 89thermische Oxidationstechnik, 328thermischer di fferentieller Widerstand

Z-Diode, 187thermischer Widerstand, 150, 263Thermistor, 147Thermoelement, 141 , 143, 144

Halbleiter, 144Thermokompressions-Kontaktierung,

341Thermokraft, 141Thermospannung, 141, 144Thomson-Effekt , 142Thyratron, 311Thyristor, 167, 311

bidirektionaler, 323Ersatzschaltung, 314felclgesteuerter, 322parasitärer, 345

Thyristor-Effekt, 316

Thyristor- Diode, 311Thyristortriode, 313Tiefpaß . 27Titandioxid, 46

Index

TK, 2.5, 114Toleranz, 16, 17Toner, 158Topfkern, 87Transformator, 73Transistor, 213

Ersatzschaltbild. 266NPN-, 214parasi tärer, 345PNP-, 214Stromquelle, 225

Transistoreffekt, 103Transistorkapazi täten, 251Transitfrequenz, 2.54Transmission-Gate, 346Tria.c, 324Triggerdiode. :32.5Trimmkondensator. 70Trimmpotent.iometcr, 12Trockcnätzverfah ren , 328Trockenelko, 6;1Tuner, 192Tunneldiode. 205, 209Tunneleffekt, 205Tunnelstrom, 206

UC B O , 234, 26.5UCEo, 234, 265UEBO, 234, 26.5Ultraschall-Bonden, 341Un ij unction-Transistor, 209, 311Unipolar-Transistor, 167,213,280Unschärfcrclat.ion, 11:3 , 116untere Zündspannung, :319

V-l\IOSFET,281Vakuum , 4.5Vakuumkondensator, 4.5Valenzband. 111, 201, 205Valcnzelektron , 99, 104, IlGVaractord iorlc , 191, 207Varicapdiocle, 101

371

Varistor, 143, 155Varistor-Effekt , 15.5

VDR,155Verarmungs-MOSFET,297Verarrnungsbetrieb, 299Verarmungsrandschicht, 208Verarmungszone,FET, 283Verbindungshalbleiter, 106verbotenes Band, 111Verlust

dielektrischer, 75Verlustfaktor

C,38Verlusthyperbel, 236Verlustleistung, 26:3

maximale, 234, 266Verlustwärme. 22Verlustwiderstand

Spule, 74Verlustwinkel

C,38Verschiebungsstrom, 317Verstärker, 213Verst ärkervierpol, 269Very Large Scale Integration, 329Verzögerungsglied, 154Verzerru ngen

nichtlineare, 291, 306Vielschichtkondensator , 47, 59Vierpol -Parameter, 270Vierschichtdiode, 311, 317Vierschichttriode, 211VLSl, 347VLSI-Schaltung, 329vollständiges Transistorersatzbild , 269Voltäquivalent, 97Volta-Potential, 63Volumen effekt. 122, 144, 196Vorspannungserzeugung

automatische, 308Vorwärtsbetrieb. 219, 220

372

Vorwärtsrichtung, 31:3Vorw ärtssperrstrom. 313Vorw ärtssteilheit. 272

Wärmeableitwiderstand, 150Wärmebewegung, 127Wärmeersatzschaltbild, 263Wärmekapazität, 150, 263W ärrn estrorn , 263Wärmewiderstand, 263Wanderungsgeschwindigkeit, 105Wechsellichtbetrieb. 159Wechselspannungsinnenwiderstand, 238Wechselstromeingangswiderstand I'BE,

250Wegl änge

freie, 17:3weißes Rauschen, 30, 257Wellenlänge

Elektron, 92Wendelpotent iometer, 13Wendelung, 7Wertebereich

C,39Wickel kondensator, 53Widerstand, 5

Bauelement, 5differentieller, 152, 178Langzeitkonstanz, 33physik. Phänomen, 5therrn ischer, 150 , 263

W iderstandsarray, 14Widerstandsgerade, 23.5, 308Widerstandskennlin ie, 12

linear, 13

Index

J02.-.. · _ lJ ~ ..:h , 1:3Widerstandsrauschen . 257, 260Widerstandswert , 17Wirbelstromverlust, 75Wirbelstromwärrne, 330

y-Pararneter, 271, 296

Z-Diode, 185z-Parameter, 270Zünddiagramm, 318Zündspannung, 313

obere, 319untere, 319

Zündstrom, 319Zündung

Thyristor, 317Zündverzugszeit tgd, 319Zündzeit tgt, 319Zeilentransformator, 78Zenerdiode, 173Zenerdurchbruch, 265Zenereffekt, 172, 185, 187, 205Zenerspannung, 173Zenerstrom

Tunneldiode, 206Zieh-Technik , 214Zinkblende-Struktur, 110Zinkoxid, 15·5Zirkulator

Halbleiter-, 162Zonenziehverfahren, 330Zweiwegthyristor, 324Zylinderspule, 78Zylinderwicklung, 87