Technologie zur Herstellung von Si-basierenden Detektoren ... · Der Photoresist besteht aus 2...

Post on 17-Sep-2019

1 views 0 download

Transcript of Technologie zur Herstellung von Si-basierenden Detektoren ... · Der Photoresist besteht aus 2...

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Technologie zur Herstellung von Si-basierenden Detektoren und Transistoren für Retina-Implantate

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Moor´s Law

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Pentium IV

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Wie groß ist ein Transistor?

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Der MOSFET

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Der MOSFET

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Funktionsweise eines MOSFETs

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

MOSFET = MOS-Feldeffekttransistor

Siliziumsubstrat

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

n-Kanal-MOSFET = n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor

Siliziumsubstratn+ n+

p

Der n-Kanal-MOSFET besteht aus einem p-dotierten Siliziumsubstrat (Bor),in dem in geringem Abstand (etwa 0,5-5µm) zwei n-dotierte Bereiche integriert sind. (p-Dotierung: Bor) (n-Dotierung: Arsen, Phosphor)

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

n-Kanal-MOSFET = n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor

Siliziumsubstrat

QuelleSource

SenkeDrain

n+ n+

p

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

n-Kanal-MOSFET = n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor

Siliziumsubstrat

QuelleSource

SenkeDrain

SiliziumdioxidIsolator

n+ n+

p

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

n-Kanal-MOSFET = n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor

Siliziumsubstrat

QuelleSource

SenkeDrain

SiliziumdioxidIsolatorPolysilizium

n+ n+

p

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

n-Kanal-MOSFET = n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor

Siliziumsubstrat

QuelleSource

SenkeDrain

SiliziumdioxidIsolatorPolysilizium

Gate

n+ n+

p

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hochintegrierte Schaltkreise auf Halbleiterbasis

n-Kanal-MOSFET = n-Kanal-MOS-FeldeffekttransistorMOS = Metal-Oxide-Semiconductor

Siliziumsubstrat

Wenn am Gate eine ausreichende, positive Spannung anliegt, so entsteht ein leitfähiger Kanal von der Quelle zur Senke.

QuelleSource

SenkeDrain

SiliziumdioxidIsolatorPolysilizium

Gate

n+ n+

p

------------------------Kanal------------------------

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Rohstoff Silizium

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Züchtung eines Siliziumkristalls

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Reinigung eines Kristalls

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Vom Kristall zum Substrat

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Bearbeitung von Kristallscheiben

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

ArbeitsschritteSägenKanten verrundenSchleifen/LäppenÄtzenPolierenReinigen

Wacker Siltronic

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Vorbehandlung der Substrate im Labor

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Herstellung des isolierenden Oxids

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

SiliziumscheibeSiliziumoxidPhotoresist

Lithographie: mit dem Stein schreibenPhotolithographie: mit Licht schreibenPhotoresist: Material, das beim Belichten seine Löslichkeit ändert

Grundschritte der Prozessierung

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

SiliziumscheibeCu-SchichtPhotoresist

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Natronlauge

Aceton

HF/H2O2

löslichunlöslich

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Kunststoffe = Polymere Makromoleküle= Plastik =

MonomerePerle (Baustein)

PolymerPerlenkette

CH2 CH2 CH2* *n CH2

Ethen(Ethylen) Polyethylen n > 1000

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Der Photoresist besteht aus 2 KomponentenKomponente 1: Polymer (Novolac)

CH2

OHCH2

OHCH2

OHCH2

OHCH2

OHCH2

OHCH2

OHOH

CH3 CH3 CH3CH3CH3 CH3 CH3

CH3

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

O

R

NN

Komponente 2: Photoaktives Material

Molekül I

R

COOHUV-Licht

Molekül II

unpolar polar

in Natronlauge unlöslich in Natronlauge löslich

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Belackung

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Herstellung von Masken

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Strukturgrößen bei der optischen Lithografie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Masken

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Hoechst High Chem Magazin

Ein Silicium Wafer enthält mehrere hundert Mikroprozessoren!

Jeder Prozessor mehrere Millionen Bauelemente!

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Ätzanlagen

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Metallisierung durch Sputtern

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Kontakte

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Metallisierung

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

„State of the Art“

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Prozessschritte für 16Mbit DRAM

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Transistor gate

Trenchcapacitor

{

3 μm

Der Chip enthält vieleStrukturen, die kleinerals 1μm sindkleinste Struktur inaktuellen Mikrochips0.13 μm (130 nm)

Infineon Technologies

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

1m(Meter)

1mm = 10-3m (Millimeter)

1μm = 10-6 m(Mikrometer)

1nm = 10-9 mNanometer

1000X

kleiner

1000X

kleiner

1000X

kleinerClarissa Drummer, Universität Bayreuth

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Transistor gate

Trenchcapacitor

{

10 μm

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Es gibt 3 verschiedene Ansätze, um

Blinden das Sehen zu ermöglichen:

- Retinaimplantat:

• Das epiretinale Implantat

• Das subretinale Implantat

- Gehirnimplantat

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Das Retinaimplantat kanneingesetzt werden beiNetzhautablösungen, z.B.:- Retinitis Pigmentosa - Makuladegeneration- Usher Syndrom

In Deutschland ca. 40000 Betroffene

In welchen Fällen kann dasRetinaimplantat nichtangewendet werden?- Bei angeborener Blindheit- Bei Schädigungen des

Sehnervs - Bei Erkrankungen des

vorderen Augenabschnitts oder Sehschwäche

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Bei dem epiretinalen Implantat wird das Implantat vor der Netzhaut angebracht

Bei diesem Ansatz:

• sollen die Photorezeptoren durch eine Minikamera ersetzt werden,

• ein Neurocomputer das Bild in eine Impulsfolge umwandeln,

• die Nervenzellen im Auge stimuliert werden.

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

EmpfängerStimulations-elektronik

StimulationskontakteKamera-Chip

Sender

Retina-Encoder

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Empfänger: 4.7 mm x 4.6 mm

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Stimulation des Sehnervs

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Der Retina Encoder ist ein lernfähiger Neurocomputer, der die Bildsignale einer Kamera in Signale umwandelt, die denen einer gesunden Netzhaut entsprechen sollen.

Der Träger des Implantats kann die Einstellungen des Retina Encoders verändern, um die Sehwahrnehmung zu optimieren.

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Die Anpassung der technischen Parameter des Encoderswird mit Hilfe einer Dialogkonsole durchgeführt:

• Parameter des Retina Encoders nicht belegt Implantat-Träger nimmt nur diffuse Lichtpunkte wahr.

• Implantat-Träger wählt aus verschiedenen Bildeinstellung die aus, die am ehesten der Vorlage entspricht.

• Neue Parametersätze werden generiert.

• Wiederholung dieses Lernzyklus.

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

In Tests wurde nachgewiesen:

• Verträglichkeit: Langzeitstudie an einem Hund

• Stimulierbarkeit: Studie mit einer speziellen Sonde in Amerika an Freiwilligen

Anbringen des Implantats:

• Durch chirurgischen Eingriff mit speziellem Halter durchführbar

• Routinemäßiger Eingriff

Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien

Technische Universität Ilmenau, FG Nanotechnologie

- Derzeit wird Retina Encoder durch Großrechner realisiert um 100 Bild-Punkte zu stimulieren

- Fixierung des Implantats

- Qualität des erkannten Bildes

- Kosten hoch aber noch schwer kalkulierbar;

- Übernahme Krankenkasse?

- Sehprothesen:www.3sat.de/nano/serien/03867/www.medizin.uni-koeln.de/kliniken/augenklinik/epi-ret3.htm