Dünnschichttechnologie im Reinraum · 9472 Grabs Leo Beeli Werdenbergstrasse 1 9471 Buchs...

Dünnschichttechnologie

im Reinraum

TuP Praktikum

Praktikum: Dünnschichttechnologie im Reinraum

Team: Kevin Ilkow, Leo Beeli

Datum: 02.03.2011

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NTB

INTERSTAATLICHE HOCHSCHULE

FÜR TECHNIK BUCHS


Datum: 02.03.2011

Praktikanten:

Kevin Ilkow

Meinradsweg 3

9472 Grabs

Leo Beeli

Werdenbergstrasse 1

9471 Buchs

Verantwortlich für Dokumentation: Kevin Ilkow



Datum: 02.03.2011

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FÜR TECHNIK BUCHS

Inhaltsverzeichnis

1. Zielsetzung und Aufgabenstellung .................................................................................................. 4

2. Vorbereitung ................................................................................................................................... 4

2.1 Reinraumklassifizierungen ...................................................................................................... 4

2.2 Reinraumbeleuchtung ............................................................................................................. 4

2.3 Lackdicke ................................................................................................................................. 5

2.4 Schichtdicken S1813 ................................................................................................................ 5

2.5 Schleuderkurve von S1813 ...................................................................................................... 6

2.6 Strukturbreite .......................................................................................................................... 6

2.7 Redox-Reaktion ....................................................................................................................... 7

2.8 Selektivität eines Ätzmediums ................................................................................................ 7

2.9 Dünnschicht-Temperatursensoren aus Aluminium ................................................................ 8

3. Beschichten eines Wafer ................................................................................................................. 9

3.1 Allgemeines zur Arbeitsweise ................................................................................................. 9

3.2 Schritt 0: Wafer vorbereiten ................................................................................................... 9

3.3 Schritt 1: Dehydrieren ............................................................................................................. 9

3.4 Schritt 2: Priming ..................................................................................................................... 9

3.5 Schritt 3: Lackbeschichtung (Spin-Coating) ............................................................................. 9

3.6 Schritt 4: Softbake (Stabilisierung der Lackschicht) .............................................................. 10

3.7 Schritt 5: Belichtung .............................................................................................................. 10

3.8 Schritt 6: Entwicklung ............................................................................................................ 11

3.9 Schritt 7: Kontrolle der Farbschicht ....................................................................................... 12

3.10 Schritt 8: Ätzen ...................................................................................................................... 13

3.11 Schritt 9: Ätzung Ausmessen ................................................................................................. 14

3.12 Schritt 10: Strippen ................................................................................................................ 14

3.13 Schritt 11: Schichtdicke des Aluminium ................................................................................ 14

4. Quellen .......................................................................................................................................... 15

5. Anhang........................................................................................................................................... 15

5.1 CD .......................................................................................................................................... 15

5.2 Reinraumnotizen ................................................................................................................... 15

5.3 Eigenständigkeitserklärung ................................................................................................... 15



Datum: 02.03.2011

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1. Zielsetzung und Aufgabenstellung

Im Rahmen dieses Praktikums sollen alle Lithographie- und Ätzschritte, die zur Strukturierung eines

mit Aluminium beschichteten Glaswafers notwendig sind, von Ihnen selbstständig unter Anleitung

eines MNT Ingenieurs im Reinraum durchgeführt werden. Dabei soll ein strukturierter Wafer erstellt

werden, der neben einem Piktogramm auch Teststrukturen enthält, die im Anschluss an die

Dünnschichtstrukturierung mit einem Mikrotaster (dem so genannten DekTak) vermessen werden

können. Neben der Herstellung und Vermessung der strukturierten Aluminiumschicht soll von den

Studierenden ein ausführlicher Prozessplan erstellt werden, der alle Prozessschritte mit den

zugehörigen Prozessparametern enthält.

2. Vorbereitung

2.1 Reinraumklassifizierungen

Beschaffen Sie sich Informationen über Reinraumklassierungen. Welche Reinraumklassen gibt es

und für welche der oben beschriebenen Prozessschritte sind welche Reinraumklassen notwendig?

Die Reinraumklassifizierungen werden in der Norm EN ISO 14644-1 geregelt, es gibt neun

verschiedene Stufen, angefangen bei ISO 9 bis hin zu ISO 1. Je kleiner der Zahlenwert, desto weniger

Partikel dürfen sich pro Kubikmeter in der Luft befinden. An der NTB wird die alte

Reinraumklassifizierungen nach amerikanischer Norm US FED STD 209E verwendet. In dieser Norm

werden die Reinräume durch Anzahl Partikel pro Kubikfuss klassifiziert. Am NTB werden 5 Reinräume

der Klasse 1000 mit Arbeitsbereichen der Klasse 100 Betrieben. Bei der Gegenüberstellung der zwei

Reinraumklassifizierungen entspricht die Klasse 1000 ca. der ISO Klasse 6 und die Klasse 100 ca. der

Klasse 5. Für die Dünnschichttechnologie gibt es keine konkreten Mindestanforderungen, jedoch gilt,

je höher die Klassifizierung, desto genauere Wafer können hergestellt werden.

2.2 Reinraumbeleuchtung

Im Skript-Abschnitt über Reinräume sind zwei der fünf MNT Reinräume dargestellt: der Weiss-

raum und der Gelbraum. Photolithographie wird im Gelbraum durchgeführt – WARUM??

Da der Photolack der auf die Wafer aufgetragen UV empfindlich ist, kann nicht im Weissraum

gearbeitet werden, da der Lack sonst durch die UV-Strahlen reagieren würde. Da das blaue Licht,

bzw. die Wellenlänge des blauen Lichtes den Photolack reagieren lassen, wird in einem Raum mit

gelbem Licht gearbeitet. Es könnte auch ein Raum mit rotem Licht sein, das Arbeiten in gelbem Licht

ist jedoch angenehmer als in rotem.



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2.3 Lackdicke

Auf eine Oberfläche soll eine 1,5 μm dicke Lackschicht aufgebracht werden. Berechnen Sie die

dafür notwendige Drehzahl ω. Setzen Sie die prozessabhängige Konstante . √

ein.

Für die Berechnung der Lackdicke wird die Formel √ verwendet. Die Dicke d hängt dabei von

der Drehzahl ω und der Zähigkeit (Viskosität) des Lackes ab. Für eine Lackdicke von 1.5 muss

folglich die Drehzahl . !"

.# $"√% 83.41 ) * +,

2.4 Schichtdicken S1813

Beschaffen Sie sich im Internet das Datenblatt des Photolacks S1813 der Firma Shipley. Bestimmen

Sie damit aus der Schleuderkurve (Schichtdicke in Abhängigkeit der Drehzahl) die erforderlichen

Drehzahlen für die Schichtdicken 1.0, 1.5 und 3.0 μm. Was fällt Ihnen auf?

Die erforderliche Drehzahl kann aus dem Diagramm des Datenblattes ausgelesen werden.



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Die erforderliche Drehzahl für 1.0 ist 7000 /0

Die erforderliche Drehzahl für 1.5 ist 3000 /0

Die Schichtdicke von 3.0 kann mit diesem Photolack nicht erreicht werden, dazu müsste der

Photolack S1822 verwendet werden.

Die Photolacke können immer nur für einen relativ kleinen Bereich eingesetzt werden, das setzt

voraus, dass im Labor verschiedene Photolacke vorhanden sind, was grössere Kosten zu Folge hat.

2.5 Schleuderkurve von S1813

Bestimmen Sie, wie gut die Schleuderkurve die √1 Beziehung erfüllt und bestimmen Sie die

prozessabhängige Konstante Kd.

Die Prozesskostante Kd berechnet sich: 2 √ 3456/ 789:";<

Daraus ergibt sich bei 1.0 eine Kd von 1 10< =< . >

√

Daraus ergibt sich bei 1.5 eine Kd von 1.5 10< =< . ?>

√

Die Prozesskonstante ist bei den zwei berechneten Schichtdicken sehr Ähnlich, das heisst, dass die

Bedingung √ erfüllt wird.

2.6 Strukturbreite

Berechnen Sie die minimale Strukturbreite, die sich bei einer Lackschichtdicke von 3 μm und

einem Proximity-Abstand von 20 μm bei UV Belichtung (λ ≈ 400nm) ergibt.

Die minimale Strukturbreite berechnet sich:

5"@7 =A ) B CD

A E6FF60Fä0H6 ) IJ4K//LM N5)LO0

LP Q/RS6 6J TORS)RU/RUL

Mit den Werten :

A 4000) 20LP 3

Ergibt sich: 5"@7 =400 10W 20 10< B $" 2.932 10< * Y



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2.7 Redox-Reaktion

Das Ätzen von Metallen ist eine chemische Redox-Reaktion, bei der das Silizium oxidiert wird. Wo

gehen diese Elektronen des Siliziums bei der oben vorgeschlagenen Reaktionsgleichung hin?

Z/[Z\ B 22]^ [O_\ B 2^ ] a Z/`bc][]^\ B 2^ B 22`[O_\

Das Silizium wird oxidiert, das heisst es gibt Elektronen ab. Gleichzeitig nimmt das KOH, welches

reduziert wird die Elektronen wieder auf, es entstehen das Oxidierte Silizium Z/`bc][]^\ und

das Kalium-Ion.

2.8 Selektivität eines Ätzmediums

Wie wird beim Ätzen die Selektivität eines Ätzmediums in Bezug auf Materialien bestimmt?

Es ist bekannt welche Ätzmedien für welchen Photolack, respektive für welches Metall oder für

welchen Kristall verwendet werden können. Eine Auswahl ist in der Tabelle unten gegeben.

Selektivität bedeutet, dass die Ätzlösung die Fähigkeit hat nur einen bestimmten Werkstoff

anzugreifen und die anderen nicht zu beschädigen.



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2.9 Dünnschicht-Temperatursensoren aus Aluminium

Metallische Widerstände haben in der Regel einen Widerstandswert R, der proportional zur

Temperatur ist. Kennt man den genauen Zusammenhang, kann man umgekehrt über eine

Widerstandsmessung die Temperatur bestimmen. Anstelle eines Drahtes verwendet man hier nun

bei Dünnschichtsensoren einige Hundert Nanometer dicke metallische Schichten

(Mäanderstrukturen), die auf einem Isolator aufgebrachte sind. Recherchieren Sie das Thema

Dünnschicht-Temperatursensoren und speziell für den Fall Aluminium.

Meistens werden Dünnschichttemperatursensoren auf Platin-Basis hergestellt, Aluminium ist nicht so

weit verbreitet. Ein Beispiel eines Platin-Sensors ist unten abgebildet.

Der Vorteil dieser Sensoren ist:

• vergleichsweise geringer Preis (Wenger als 1€ pro Stück)

• bessere Dynamik (regeltechnisches Verhalten) wegen kleinerer

Masse und großer Oberfläche



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3. Beschichten eines Wafer Die Hauptaufgabe in diesem Praktikum war die Herstellung und Vermessung eines mit Aluminium

beschichteten Glaswafers. Auf die notwendigen Prozessschritte wird im nachfolgenden

Praktikumsbericht genau eingegangen.

3.1 Allgemeines zur Arbeitsweise

Die Beschichtung, Belackung, Belichtung, Ätzung etc. findet in einem Reinraum der Klasse 1000 mit

Arbeitsbereichen der Klasse 100 statt. Zum verhalten im Reinraum gibt es allgemeine

Verhaltensregeln, die zwingend einzuhalten sind. Genaue Angaben über die Verhaltensregeln sind

dem Skript „Praktikum: Dünnschichttechnologie im Reinraum“1 zu entnehmen. Generell ist

Anzumerken, dass nur exaktes und vorsichtiges Arbeiten zum Erfolgt führt. Ebenfalls ist wichtig, das

mit dem Wafer bis zu Schritt 7 nur im Gelblichtraum gearbeitet werden darf.

3.2 Schritt 0: Wafer vorbereiten

Die Vorbereitung des Wafers gehört nicht direkt zum Inhalt des Praktikums, ist jedoch trotzdem

erwähnenswert. Die Glaswafer wurden einer Standreinigung unterzogen, bevor sie in der

Sputteranlage mit Aluminium beschichtet wurde. Diese Aluminiumschicht ist die Schicht die während

des Praktikums wieder teilweise abgetragen wird.

3.3 Schritt 1: Dehydrieren

Als erstes wurden die mit Aluminium beschichteten Wafer in einem Ofen2 mit 135°C für ca. 15-30

Minuten getrocknet. Durch die Hitze wird die Feuchtigkeit die sich durch Lagerung und Transport auf

dem Wafer abgesetzt hat entfernt.

3.4 Schritt 2: Priming

Nachdem die Wafer im Ofen getrocknet wurden, wurde auf die Oberfläche einen

Haftvermittler auftragen. Zu diesem Zweck wurden die noch heissen Wafer in die

Priming-Box gestellt, diese wurde dann zuerst mit reinem Stickstoff geflutet,

anschliessend wurde HMDS (ein Haftvermittler) in Dampfphase in die Box

eingeblasen. Dadurch wurde auf die Wafer der Haftvermittler aufgetragen.

3.5 Schritt 3: Lackbeschichtung (Spin-Coating)

Der nun erkaltete Wafer mit der Aluminiumseite nach oben in die Lackschleuder3 eingelegt, zu

diesem Zweck, wurde eine Pinzette die nur für die unbeschichteten Wafer war eingesetzt. Der Wafer

wurde nun mit Stickstoff abgeblasen um eine allfällige Staubpartikelschicht vom Transport zu

1https://intranet.ntb.ch/fileadmin/Intranet/unterrichtsunterlagen/chemie/MWC_II/Praktikum%20TuP_Reinrau

m_2011.pdf 2 Umluftofen Heraeus UT6/UT6P

3 Spincoater SM-180-BM



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entfernen. Anschliessend wurden ¾ einer Pipette mit Lack S18134 auf die Mitte des Wafers gegeben,

es musste darauf geachtet werden, dass die Farbe aus der Mitte der Flasche abgesogen wurde und

dass der Lack mittig und ohne Luftblasen auf den Wafer aufgetragen wurde. Anschliessen wurde der

Deckel der Schleuder geschlossen und an der Bedieneinheit auf das Programm für den Lack S1813

gestellt. Dieses drehte die Scheibe 40 Sekunden lang, mit einer Umdrehungszahl von maximal 4000

/0. Durch die Fliehkraft wurde der Lack nun über den ganzen Wafer verteilt. Gemäss

Theorieunterlagen5 im Reinraum war die entstandene Schicht nun 1.5 dick.

3.6 Schritt 4: Softbake (Stabilisierung der Lackschicht)

Um den Lack, der eben aufgetragen wurde, zu

stabilisieren musste der Wafer nun mit der

Pinzette für die beschichteten Wafer aus der

Lackschleuder genommen werden. Er wurde

dann auf die bereits auf 115°C vorgewärmte

Vakuum-Hotplate6 gelegt. Wichtig war, dass das

Vakuum angeschaltet wurde, bevor der Wafer

in die Maschine gelegt wurde, da der Wafer

sonst nicht schön gehaftet hätte. Der Wafer

wurde jetzt exakt 1 Minute auf der Heizplatte

gelassen und wurde dann, nach abschalten des

Vakuums, mit der Pinzette in einen Carrier7

gelegt.

3.7 Schritt 5: Belichtung

Vorder Belichtung müsste grundsätzlich noch

eine Rehydrierung des Wafers gemacht

werden, da die Lackschicht in unserem Fall

jedoch sehr dünn ist, muss dieser Schritt nicht

gemacht werden. Die Zeit in der die Wafer der

Umgebungsluft8 ausgesetzt sind bevor sie

belichtet werden reicht aus.

4 Lack S1813 / TuP-Praktika (MWC 2) / 27.02.11 ST

5 Durfte nicht aus dem Reinraum entnommen werden, ist den Studenten auch nicht zugänglich.

6 Hotplates HP150 7 Haltevorrichtung für Wafer, aus Kunststoff oder Glas

8 Temperatur 21.2°C / Luftfeuchtigkeit 45.8%



Datum: 02.03.2011

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Für die Belichtung wurde ein Maskaligner EVG

620 verwendet, mit diesem Belichtungsgerät

können sowohl 5x5" / 7x7" Glasfotomasken

(Chrommasken) oder Low-Res Folienmasken

mittels Glaschuck verwendet werden. Für den

Wafer, der im Praktikum beschichtet wurde,

reichte eine Folienmaske, da die zu

belichtenden Strukturen nicht zu fein sind. Die

Folienmaske und die Wafer werden in den

Belichter eingelegt, vorher aber noch mit

Stickstoff abgeblasen. Das

Belichtungsverfahren ist Top-Down, das heisst

die Folienmaske liegt oberhalb des Wafers und das Licht aus einer Quecksilberdampflampe wird von

oben zuerst durch die Folie und dann auf den Wafer gelassen. Am Belichter kann das Programm für

den Photolack S1813 eingestellt werden, die zusätzlichen Parameter die eingestellt werden müssen

ist der Proximity Abstand von 5 und die Belichtungsdosis von 350"d

e"f.

3.8 Schritt 6: Entwicklung

Vor dem Entwickeln sollte eigentlich noch kurz gewartet werden, damit der beim belichten in der

Farbe freigewordene Stickstoff auf der Farbe entweichen kann, da die Lackschicht jedoch sehr dünn

ist, kann in unserem Fall darauf verzichtet werden.

Als Entwickler wurde Microposit 351 verwendet,

dieser besteht aus 10%NaOH-Lösung die dann 1:5

verdünnt wurde. Für das entwickeln wurden die

Wafer in einen Kunststoffhalter eingespannt und

dann für ca. 30 Sekunden in die Entwickerlösung

getaucht. Anschliessend wurden die Wafer in einen

fliessenden Wasserstrom aus deionisiertem Wasser

eigetaucht und bewegt. Ein Messgerät mass den

elektrischen Widerstand dieses Wasserbades,

sobald dieser über 6Ω gestiegen war, konnte der

Wafer wieder entnommen werden. Der

Wiederstand zeigte an wie viele Ionen aus der

Ätzlösung sich noch im Wasser befanden, je höher

der Wert, desto weniger Ionen. Anschliessend

wurden die Wafer in einer Schleuder9

trockengeschleudert.

9 Trockenschleuder SM-180



Datum: 02.03.2011

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3.9 Schritt 7: Kontrolle der Farbschicht

Unter dem Mikroskop10 mit Vergrösserung 20

wurden jetzt die feinsten Strukturen des Wafers

auf ihre Genauigkeit vermessen. Als Testobjekt

diente ein Kreuz, das etwa die breite von 410

hatte. Durch den Vergleich der zwei Wafer

untereinander und mit der Belichtungsfolie, stand

fest, dass die festgestellte Asymmetrie des Kreuzes

bereits im Belichtungsfilm vorhanden war. Ebenso

hatte auch die Belichtungsfolie keine scharfen

Ecken und keine geraden Seitenflächen, was sich

auch bei den Wafern zeigte. Ursachen für diese

Fehler in der Folie liegen beim Drucker der Folie,

dieser Drucken ist zwar hochpräzise, scharfe Ecken

sind trotzdem nicht möglich und eine Asymmetrie

in eine Richtung ist auch immer vorhanden.

Das einzige Problem des Wafers, welches nicht auf

die Belichtungsfolie zurückgeführt werden konnte ist, dass das Kreuz auf dem Wafer kleiner ist als

das Kreuz auf der Folie. Die wahrscheinliche Ursache ist das die Ätzung zu stark war, diese hängt

unteranderem von folgenden Parametern ab:

• Zeit der Ätzens (in unserem Fall 30s)

• Leistung beim Belichten ( bei uns 350"d

e"f.)

• Proximity Abstand (bei uns 5 \

Belichtungsfolie11 Wafer 1 Wafer 2

Ebenfalls wird durch mittels DekTak die Schichtdicke des Photolackes auf dem NTB-Logo vermessen,

die Prozessparameter sind: Max. Messdicke 6.5 ; Messlänge 2000

Die gemessene Lackdicke ist 1.26 was im erwarteten Bereich liegt.

10

Lichtmikroskop Nikon ME600 11

Siehe CD für hochauflösende Bilder



Datum: 02.03.2011

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3.10 Schritt 8: Ätzen

Vor dem Ätzen sollte eigentlich ein Hardbake gemacht werden, da die verwendete Ätzflüssigkeit

jedoch nicht sehr aggressiv ist, kann dieser Vorgang eingespart werden. Der Ätzvorgang findet jetzt

auch im Weissraum statt.

Als Vorbereitung für Ätzen muss die Ätzflüssigkeit

AluEtch auf 52°C vorgeheizt werden. Diese

Flüssigkeit trägt ca. 200nm pro 30s ab. Als

Personenschutz wird eine dicke

Chemieabweisende Schürze getragen, ebenso

Handschuhe und ein Gesichtsschild. Gearbeitet

wird im kontaminierten Bereich immer nur mit

einer Hand, die andere bleibt auf dem Rücken, sie

wird verwendet um die Armaturen ausserhalb des

kontaminierten Bereiches zu bedienen.

Das Ätzen selber gliedert sich in 7 Schritte:

1. Die Wafer werden in einen Carrier aus Kunststoff gestellt, dieser wird dann für genau 1

Minute in die Ätzlösung getaucht.

2. Der Carrier wird vorsichtig in eine Tropfschale gestellt und quer über den Tisch gezogen bis

zum Spülbecken.

3. Der Carrier wird nun in das Spülbecken eingetaucht und immer hoch und runter bewegt.

4. Nach ca. 20 Sekunden hat sich ein Grossteil der Säure gelöst, das deionisiertem Wasser wird

nun abgelassen und durch frisches ersetzt.

5. Nun wird im neuen Wasser solange gespült bis der elektrische Widerstand des Wassers

mind. 6Ω erreicht hat.

6. Nun wird der Carrier aus dem Wasserbad genommen und in den nicht kontaminierten

Bereich der Arbeitsfläche gestellt.

7. Tropfschale und Handschuhe werden jetzt im Wasserbad gründlich gereinigt, anschliessend

wird die Arbeitsfläche noch von vorne nach hinten geputzt.

Die nun fertig geätzten Wafer wurden dann in den Carrier für die

Waschmaschine eingefüllt und dann in die Waschmaschine

gelegt, wo sie gründlich durchgespült wurden.



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3.11 Schritt 9: Ätzung Ausmessen

Wiederum mit dem DekTak12 wird nun zuerst die Schichtdicke von Aluminium und Lack gemessen,

der gemessene Wert ist 1.87 (Selbe Parameter wie bei Schritt 7). Da eine isotrope Ätzung

gemacht wurde, musste damit gerechnet werden, dass das Aluminium unter dem Lack auch

angegriffen wurde. Um das zu Überprüfen, wurden die Kanten des Kreuzes auf Unterätzungen

untersucht.

Wie im Photo links deutlich erkennbar ist, ist zwischen der

Aluminiumschicht und dem Glaswafer eine braune Schicht von

ca. 2.5 Breite diese Schicht ist Lack unter dem das

Aluminium weggeätzt wurden.

3.12 Schritt 10: Strippen

Prinzipiell ist unser Wafer jetzt fertig geätzt, jedoch ist immer noch der Photolack auf dem Aluminium

aufgetragen, diesen gilt es nun zu entfernen. Dazu wird der Wafer wieder in die Trockenschleuder

eingesetzt und mit Aceton benetzt. Dieses Aceton wird jetzt für ca. 20 Sekunden einwirken lassen.

Nun wird gleichmässig Aceton auf den Wafer gespritzt und die Trockenschleuder auf ca. 4000 /0

beschleunigt, anschliessend wird ohne Unterbruch von Aceton auf Isopropanol gewechselt und

anschliessen auf deionisiertes Wasser, der ganze Vorgang dauert höchstens 40 Sekunden. Jetzt ist

der komplette Lack abgetragen und der Wafer ist fertig.

3.13 Schritt 11: Schichtdicke des Aluminium

Als letzter Schritt wird nun noch die Schichtdicke des Aluminium gemessen, ebenfalls wider mit dem

DekTak, mit denselben Parametern wie bereits bei Schritt 7. Die Schichtdicke des Aluminiums auf

dem Glaswafer beträgt 530nm, was im Verhältnis zum möglich doch relativ dick ist. Zum Schluss wird

der Wafer zur Aufbewahrung in einen Kunststoffbehälter gelegt.

12

Dektak³ST



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4. Quellen

Bilder: - https://institute.ntb.ch/mnt/infrastruktur/prozesstechnologie/fotolithographie.html

- Powerpointpräsentation TU Braunschweig

Texinhalte: Praktikum: Dünnschichttechnologie im Reinraum

5. Anhang

5.1 CD

Auf der CD befinden sich:

• Praktikumsanleitung

• Praktikumsbericht als PDF

• Datenblatt S1813

• Powerpointpräsentation TU Braunschweig (Temperatursensoren)

• High-Resolution Bilder der Mikroskopaufnahmen

5.2 Reinraumnotizen

Reinraumnotizen Blatt 1-3

5.3 Eigenständigkeitserklärung

"Ich erkläre hiermit,

− dass ich die vorliegende Arbeit ohne fremde Hilfe und ohne Verwendung anderer als

der angegebenen Hilfsmittel verfasst habe,

− dass ich sämtliche verwendeten Quellen erwähnt und gemäss gängigen wissenschaftlichen

Zitierregeln nach bestem Wissen und Gewissen korrekt zitiert habe.“

Donnerstag, 3. März 2011

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